【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体领域，特别是涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。
技术介绍
1、扇出型晶圆级封装（fan-out wafer level packaging，简称fowlp）是一种利用重布线层（re-distribution layer，简称rdl）工艺，在芯片尺寸以外的区域做i/o接点布线设计，以增大芯片可使用的布线区域面积。扇出型晶圆级封装技术能够通过利用高密度布线制造工艺，在节约成本的同时，形成功率损耗低、功能性强的芯片封装结构。
2、然而，现有的扇出型晶圆级封装工艺中，重布线层的介质层和金属布线层之间的粘接力薄弱处容易存在应力集中现象。因此，在去除载板和临时键合层时，应力会于介质层和金属布线层之间的的粘接力薄弱处释放，造成重布线层中介质层和金属走线层的连接被破坏，出现规律性分层现象，从而降低了芯片封装的工艺良率并且对芯片的性能和使用寿命造成不良影响。
技术实现思路
1、基于此，本公开实施例提供了一种芯片封装结构及芯片封装方法，以提高重布线层的连接可靠性。
2、为了实现上述目的，一方面，本公开一些实施例提供了一种芯片封装结构。该芯片封装结构包括载板、临时键合层、重布线层和应力转移层。临时键合层设置于载板的一侧。重布线层位于临时键合层背离载板的一侧；重布线层包括介质层和金属走线层。应力转移层设置于临时键合层和重布线层之间，用于在解键合去除载板和临时键合层时将解键合释放的应力集中于应力转移层与临时键合层的接触界面。
3、在一些实施例中，应力转移
4、在一些实施例中，应力转移层满足如下方案中的至少一种：
5、方案一，应力转移层的抗腐蚀能力大于铝的抗腐蚀能力；
6、方案二，应力转移层的抗拉强度大于铝的抗拉强度；
7、方案三，应力转移层的硬度大于铝的硬度。
8、在一些实施例中，应力转移层包括钛金属层。
9、在一些实施例中，应力转移层包括叠层金属层。叠层金属层包括第一金属层和第二金属层。第一金属层设置于临时键合层背离载板的一侧。第二金属层设置于第一金属层背离临时键合层的一侧，并与金属走线层连接。其中，第一金属层与第二金属层之间的粘接力大于第一金属层与临时键合层之间的粘接力。
10、在一些实施例中，第二金属层与金属走线层材料相同。
11、在一些实施例中，第一金属层与第二金属层的厚度之比的取值范围包括1:2~2:1。
12、在一些实施例中，芯片封装结构还包括焊盘层、一个或多个芯片和包封结构。焊盘层设置于重布线层背离应力转移层的一侧，并与金属走线层电性连接。一个或多个芯片设置于焊盘层背离重布线层的一侧，并与焊盘层电性连接。包封结构包覆芯片及焊盘层。其中，载板和临时键合层用于在形成包封结构之后解键合去除；应力转移层用于在去除载板和临时键合层之后去除。
13、另一方面，本公开还根据一些实施例提供一种芯片封装方法。该芯片封装方法包括：提供载板，于载板的一侧形成临时键合层。于临时键合层背离载板的一侧形成应力转移层。于应力转移层背离临时键合层的一侧形成重布线层。于重布线层背离应力转移层的一侧形成焊盘层。提供一个或多个芯片，将芯片与焊盘层电性连接。形成包覆芯片及焊盘层的包封结构。解键合去除载板和临时键合层；其中，解键合释放的应力集中于应力转移层与临时键合层的接触界面。
14、在一些实施例中，于解键合去除载板和临时键合层之后，芯片封装方法还包括：去除应力转移层。
15、本公开实施例可以/至少具有以下优点：
16、本公开实施例中，通过于临时键合层和重布线层之间设置应力转移层，将解键合去除临时键合层和载板时释放的应力集中于应力转移层与临时键合层的接触界面，等效于将未设置应力转移层的芯片封装结构中集中于重布线层的介质层和金属走线层接触界面的应力转移至了应力转移层与临时键合层的接触界面。如此，避免了解键合过程中因应力释放于重布线层的介质层和金属走线层的接触界面导致的介质层和金属走线层之间的连接破坏，从而避免了重布线层中介质层和金属走线层的规律性分层现象，提高了重布线层的连接可靠性，有利于提高芯片封装的工艺良率。
17、本公开的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本公开的其他特征、目的和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。
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1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力转移层与所述临时键合层之间的粘接力小于所述介质层和所述金属走线层之间的粘接力。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力转移层满足如下方案中的至少一种：
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力转移层包括钛金属层。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力转移层包括叠层金属层，所述叠层金属层包括：
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二金属层与所述金属走线层材料相同。
7.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层的厚度之比的取值范围包括1:2~2:1。
8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：
9.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，于所述解键合去除所述载板和所述临时键合层之后，所述芯片封装方法还
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力转移层与所述临时键合层之间的粘接力小于所述介质层和所述金属走线层之间的粘接力。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力转移层满足如下方案中的至少一种：
4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力转移层包括钛金属层。
5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述应力转移层包括叠层金属层，所述叠层金属层包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯京，黄健，林煜斌，符海军，王亚玮，张梦杰，祝汉品，夏剑，彭思煌，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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