System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 光刻胶的烘干方法、半导体结构及电子设备技术_技高网

光刻胶的烘干方法、半导体结构及电子设备技术

技术编号:40371753 阅读:6 留言:0更新日期:2024-02-20 22:14
本发明专利技术涉及一种光刻胶的烘干方法半导体结构及电子设备,光刻胶的烘干方法,光刻胶涂覆在载体的表面,烘干方法包括以下步骤:将载体置于加热装置上方第一预设距离,加热装置向载体辐射热量,烘烤载体表面的光刻胶;将载体置于加热装置上,载体和加热装置接触,加热装置向载体传导热量,烘烤载体表面的光刻胶,先通过热辐射的方式烘烤载体表面的光刻胶,均匀加热载体表面的光刻胶,以使光刻胶中的溶剂整体均匀挥发,然后采用热传导的方式加热载体,加速烘干光刻胶、提高烘干效率,既增加了光刻胶的烘干均匀性,降低光刻胶的流平速率避免光刻胶的侧边出现溢胶问题,同时兼顾烘干速率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路,特别是涉及一种光刻胶的烘干方法半导体结构及电子设备。


技术介绍

1、相关方案中,在载体上涂覆光刻胶之后,将载体置于热板上快速烘干,载体和热板直接接触,载体升温速率快,能够将光刻胶快速烘干,但是这样的烘干方式,载体的底面的光刻胶和载体的侧面的光刻胶的受热速率差异大,载体的底面的光刻胶和载体的侧面的光刻胶的溶剂的挥发速率不同,常存在载体侧面的光刻胶烘烤不充分、出现溢胶问题,光刻胶烘烤不充分还会有粘性,影响载体的后续制程。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对现有技术中的光刻胶烘烤的不充分问题提供一种光刻胶的烘干方法、半导体结构及电子设备

2、为了实现上述目的,第一方面,本专利技术提供了一种光刻胶的烘干方法,所述光刻胶涂覆在载体的表面,所述烘干方法包括以下步骤:

3、将所述载体置于加热装置上方第一预设距离,所述加热装置向所述载体辐射热量,烘烤所述载体表面的所述光刻胶;

4、将所述载体置于加热装置上,所述载体和所述加热装置接触,所述加热装置向所述载体传导热量,烘烤所述载体表面的所述光刻胶。

5、在其中一个实施例中,将所述载体置于加热装置上方第一预设距离,烘烤所述所述光刻胶第一预设时长;

6、将所述载体置于加热装置上,烘烤所述所述光刻胶第二预设时长,所述第二预设时长大于所述第一预设时长。

7、在其中一个实施例中,所述第一预设距离为8mm-12mm;所述第一预设时长为90s-150s;所述第二预设时长为300s-400s。

8、在其中一个实施例中,将所述载体置于加热装置上,所述载体和所述加热装置接触,所述加热装置向所述载体传导热量,烘烤所述载体表面的所述光刻胶之后,还包括:

9、将所述载体置于加热装置上方第二预设距离,所述加热装置向所述载体辐射热量,烘烤所述光刻胶第三预设时长。

10、在其中一个实施例中,所述第二预设距离为8mm-12mm;所述第三预设时长为30s-90s。

11、在其中一个实施例中,所述光刻胶包括如下质量百分比的各组分:

12、

13、所述助剂包括光致酸产生剂、分散剂、流平剂或稳定剂中的至少一种。

14、在其中一个实施例中,所述载体的表面的所述光刻胶的厚度为5μm-15μm。

15、在其中一个实施例中,所述加热装置的加热温度为100℃-120℃。

16、第二方面,本专利技术提供了一种半导体结构,采用如第一方面所述的光刻胶的烘干方法烘干光刻胶。

17、第三方面,本专利技术提供了一种电子设备,包括如第二方面所述的半导体结构。

18、本专利技术的光刻胶的烘干方法、半导体结构及电子设备,先通过热辐射的方式烘烤载体表面的光刻胶,均匀加热载体表面的光刻胶,以使光刻胶中的溶剂整体均匀挥发,然后采用热传导的方式加热载体,加速烘干光刻胶、提高烘干效率,既增加了光刻胶的烘干均匀性,降低光刻胶的流平速率避免光刻胶的侧边出现溢胶问题,同时兼顾烘干速率,烘干之后光刻胶的侧边没有粘性,能够避免载体凸片异常,有利于提高产品良率及产出率。

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【技术保护点】

1.一种光刻胶的烘干方法,其特征在于,所述光刻胶涂覆在载体的表面,所述烘干方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,将所述载体置于加热装置上方第一预设距离,烘烤所述所述光刻胶第一预设时长;

3.根据权利要求2所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,所述第一预设距离为8mm-12mm;所述第一预设时长为90s-150s;所述第二预设时长为300s-400s。

4.根据权利要求1所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,将所述载体置于加热装置上,所述载体和所述加热装置接触,所述加热装置向所述载体传导热量,烘烤所述载体表面的所述光刻胶之后,还包括:

5.根据权利要求4所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,所述第二预设距离为8mm-12mm;所述第三预设时长为30s-90s。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,所述光刻胶包括如下质量百分比的各组分:

7.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,所述载体的表面的所述光刻胶的厚度为5μm-15μm。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,所述加热装置的加热温度为100℃-120℃。

9.一种半导体结构,其特征在于,采用如权利要求1-8中任一项所述的光刻胶的烘干方法烘干光刻胶。

10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求9所述的半导体结构。

...

【技术特征摘要】

1.一种光刻胶的烘干方法,其特征在于,所述光刻胶涂覆在载体的表面,所述烘干方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,将所述载体置于加热装置上方第一预设距离,烘烤所述所述光刻胶第一预设时长;

3.根据权利要求2所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,所述第一预设距离为8mm-12mm;所述第一预设时长为90s-150s;所述第二预设时长为300s-400s。

4.根据权利要求1所述的光刻胶的烘干方法,其特征在于,将所述载体置于加热装置上,所述载体和所述加热装置接触,所述加热装置向所述载体传导热量,烘烤所述载体表面的所述光刻胶之后,还包括:

5.根据权利要求4所述的光刻胶的烘...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵东强
申请(专利权)人:长电集成电路绍兴有限公司
类型:发明
国别省市:

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