【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种光刻胶的烘干方法半导体结构及电子设备。
技术介绍
1、相关方案中，在载体上涂覆光刻胶之后，将载体置于热板上快速烘干，载体和热板直接接触，载体升温速率快，能够将光刻胶快速烘干，但是这样的烘干方式，载体的底面的光刻胶和载体的侧面的光刻胶的受热速率差异大，载体的底面的光刻胶和载体的侧面的光刻胶的溶剂的挥发速率不同，常存在载体侧面的光刻胶烘烤不充分、出现溢胶问题，光刻胶烘烤不充分还会有粘性，影响载体的后续制程。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的光刻胶烘烤的不充分问题提供一种光刻胶的烘干方法、半导体结构及电子设备。
2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种光刻胶的烘干方法，所述光刻胶涂覆在载体的表面，所述烘干方法包括以下步骤：
3、将所述载体置于加热装置上方第一预设距离，所述加热装置向所述载体辐射热量，烘烤所述载体表面的所述光刻胶；
4、将所述载体置于加热装置上，所述载体和所述加热装置接触，所述加热装置...
【技术保护点】
1.一种光刻胶的烘干方法，其特征在于，所述光刻胶涂覆在载体的表面，所述烘干方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻胶的烘干方法，其特征在于，将所述载体置于加热装置上方第一预设距离，烘烤所述所述光刻胶第一预设时长；
3.根据权利要求2所述的光刻胶的烘干方法，其特征在于，所述第一预设距离为8mm-12mm；所述第一预设时长为90s-150s；所述第二预设时长为300s-400s。
4.根据权利要求1所述的光刻胶的烘干方法，其特征在于，将所述载体置于加热装置上，所述载体和所述加热装置接触，所述加热装置向所述载体传导热量，烘烤所述载...
【技术特征摘要】
1.一种光刻胶的烘干方法，其特征在于，所述光刻胶涂覆在载体的表面，所述烘干方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的光刻胶的烘干方法，其特征在于，将所述载体置于加热装置上方第一预设距离，烘烤所述所述光刻胶第一预设时长；
3.根据权利要求2所述的光刻胶的烘干方法，其特征在于，所述第一预设距离为8mm-12mm；所述第一预设时长为90s-150s；所述第二预设时长为300s-400s。
4.根据权利要求1所述的光刻胶的烘干方法，其特征在于，将所述载体置于加热装置上，所述载体和所述加热装置接触，所述加热装置向所述载体传导热量，烘烤所述载体表面的所述光刻胶之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的光刻胶的烘...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵东强，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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