【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，具体涉及一种扇出型晶圆级封装结构及封装方法。
技术介绍
1、ewlb是一种扇出型晶圆级封装(fan-out wafer-level package缩写fo-wlp)技术，一般流程为：将芯片重新布置到一块人工晶圆上，然后向芯片四周扇出重布线、植球、然后进行封装。但当芯片厚度小于100um时，采用ewlb的形式进行封装，常常会出现严重的翘曲缺陷，产生次品。
2、因此需要一种方案，解决ewlb封装中，封装结构容易发生翘曲的问题。
技术实现思路
1、为了解决上述问题，本专利技术提供一种扇出型晶圆级封装方法及封装结构，以解决ewlb封装中，封装结构容易发生翘曲的问题。
2、本专利技术提供一种扇出型晶圆级封装结构，包括：芯片本体；所述芯片本体的无源面设置有硅片；包封层；所述包封层完全包覆所述芯片本体的侧部和所述硅片的侧部以及所述硅片背向所述芯片本体一侧的表面，且暴露出所述芯片本体的有源面；重布线层；所述重布线层位于所述芯片本体的有源面一侧。
3、可选的，所述芯片本体和所述硅片通过芯片贴装胶层贴合成一整体。
4、可选的，所述包封层包括：塑封层，塑封层完全包覆所述芯片本体的侧部和所述硅片的侧部；背膜，所述背膜完全覆盖所述硅片背离所述芯片本体一侧表面和所述塑封层背离所述重布线层一侧表面。
5、可选的，所述硅片的厚度为所述芯片本体的厚度的9-11倍；所述背膜的厚度为所述芯片本体的厚度的0.5-1.2倍。
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7、本专利技术还提供一种扇出型晶圆级封装方法，用于制造本专利技术提供的扇出型晶圆级封装结构。包括以下步骤：形成芯片待封装体；所述芯片待封装体包括芯片本体和设置于所述芯片本体无源面的硅片；塑封芯片；形成包封层，所述包封层完全包覆所述芯片本体的侧部和所述硅片的侧部以及所述硅片背向所述芯片本体一侧的表面，且暴露出所述芯片本体的有源面；扇出重布线；在所述芯片本体的有源面形成重布线层。
8、可选的，所述形成芯片待封装体的步骤包括：提供钢板，在所述钢板上设置热解键合膜，将所述芯片本体的有源面通过所述热解键合膜贴合于所述钢板；提供硅片，所述硅片一侧表面设置有芯片贴装胶层；将所述硅片通过所述芯片贴装胶层贴合至所述芯片本体的无源面，形成所述芯片待封装体。
9、可选的，所述塑封芯片的步骤包括：在所述钢板上采用塑封工艺形成塑封层，使得塑封层完全包覆所述芯片本体的侧部和所述硅片的侧部以及所述硅片背向所述芯片本体一侧的表面；减薄；通过研磨工艺对塑封层背离所述钢板一侧进行减薄，至暴露所述硅片；变更工艺参数继续研磨，使所述硅片的厚度与所述塑封层的厚度一同减薄，至达到预设厚度；背面封装；提供背膜，将所述背膜贴附于所述硅片背离所述芯片本体一侧表面，所述背膜完全覆盖所述硅片背离所述芯片本体一侧表面和所述塑封层背离所述钢板一侧表面；加热固化使所述背膜与塑封层形成一体，构成包封层。加热所述钢板至所述热解键合膜解键合的温度，剥离所述钢板，使被所述塑封层包覆的芯片本体的有源面一侧暴露。
10、可选的，扇出型晶圆级封装方法还包括：在所述钢板剥离后，将包括塑封层、芯片本体和硅片的中间结构放置于旋转真空吸盘结构，通过旋转真空吸盘结构带动所述中间结构旋转，在旋转过程中，对所述有源面喷淋去胶液。
11、可选的，所述钢板的厚度为200μm-500μm；形成所述塑封层后，还对所述塑封层进行加热固化，温度为120℃-180℃；加热所述钢板至所述热解键合膜解键合的温度为180℃-210℃。
12、本专利技术的有益效果在于：
13、本专利技术提供的扇出型晶圆级封装结构。通过在芯片本体无源面设置硅片，使得在整个封装结构中，尽可能的减小包封层的占比，使得包封层和硅片这一整体结构的热膨胀系数与芯片本体的热膨胀系数接近，从而尽可能减小封装中产生的翘曲。同时未使用硅基层转而使用通过包封层包覆硅片和芯片本体，避免使用硅基层整体包覆芯片，减小了硅在封装结构中的占比，可减小在运输过程中遇到外部冲击而破损的概率。通过将芯片本体的包覆结构改为无源面的硅片和包封层的形式，保障了封装材料的稳定性和强度。
14、本专利技术提供的扇出型晶圆级封装方法，通过用于制造本专利技术提供的扇出型晶圆级封装结构。通过先形成芯片待封装体，在芯片本体无源面贴合硅片，使得在整个封装结构中，尽可能的减小包封层的占比，使得包封层和硅片这一整体结构的热膨胀系数与芯片本体的热膨胀系数接近，从而尽可能减小封装中产生的翘曲。同时未使用硅基层转而使用通过包封层包覆硅片和芯片本体，减小了硅在封装结构中的占比，避免使用硅基层整体包覆芯片，可减小在运输过程中遇到外部冲击而破损的概率。通过将芯片本体的包覆结构改为无源面的硅片和包封层的形式，保障了封装材料的稳定性和强度。
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1.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，
6.一种扇出型晶圆级封装方法，用于制备如权利要求1-5中任一项所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求8所述的扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，
6.一种扇出型晶圆级封装方法，用...
【专利技术属性】
技术研发人员：林煜斌，孙群峰，向金贝，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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