【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片封装，特别是涉及一种芯片封装方法及封装结构。
技术介绍
1、裸片，又称裸芯片，是经过电路设计和晶片制作工艺后形成的具有完整功能的芯片结构。为了防止裸片被外界损伤，通常会采用封装材料等将裸片包裹起来，形成芯片封装单元。然而，常见的芯片封装单元存在翘曲的问题，导致芯片封装单元无法连接到外连接元器件上，影响芯片封装单元的使用。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种芯片封装方法及封装结构，能够减小芯片封装单元的翘曲，以便芯片封装单元更好地连接到外连接元器件上。
2、一种芯片封装方法，提供一种芯片封装单元，所述芯片封装单元包括重布线层、包封层以及芯片本体，所述重布线层包括相对的第一表面以及第二表面，所述包封层以及所述芯片本体设于所述第一表面，所述包封层包封所述芯片本体，所述芯片本体与所述重布线层电性连接；
3、所述芯片封装方法包括：
4、在所述包封层背离所述重布线层的一侧设置至少一个背膜本体；
5、将所有所述背膜本体热压贴附于所述包封层上以形成背膜层，所述背膜层的膨胀系数接近所述重布线层的膨胀系数。
6、在其中一个实施例中，所述背膜层的膨胀系数与所述重布线层的膨胀系数之间的差值小于10ppm/℃。
7、在其中一个实施例中，所述背膜层的厚度大于或者等于所述重布线层的厚度。
8、在其中一个实施例中，所述背膜层的厚度为所述重布线层厚度的1倍～2倍。
9、在其中一个实施例中，所述包封层背
10、所述芯片封装方法包括步骤：取一张所述背膜，揭除所述第一分离膜；在高温环境下，采用真空压模的方法将所述背膜本体的所述第三表面贴附于所述包封层，揭除所述第二分离膜；再取一张所述背膜，揭除所述第一分离膜；在高温环境下，采用真空压模的方法将所述背膜本体的所述第三表面贴附于上一层的所述背膜本体的所述第四表面，揭除所述背膜本体的所述第二分离膜；重复上述两个步骤，直至所述背膜本体叠合形成所需厚度的所述背膜层。
11、在其中一个实施例中，所述的重复上述两个步骤，直至所述背膜本体叠合形成所需厚度的所述背膜层之后，所述芯片封装方法还包括步骤：加热固化所述背膜层；其中，所述背膜层加热固化的温度为120℃～180℃，所述背膜层加热固化的时间为0.5h～2h。
12、在其中一个实施例中，所述第二表面凸设有与所述重布线层电性连接的导电部；所述芯片封装单元还包括外联层，所述外联层设于所述导电部的外表面，并与所述导电部电性连接；所述的将所有所述背膜本体热压贴附于所述包封层上以形成背膜层，所述背膜层的膨胀系数接近所述重布线层的膨胀系数的步骤之后，所述芯片封装方法还包括步骤：准备基板，所述芯片封装单元放置于所述基板上，所述导电部通过所述外联层连接于所述基板；去除所述背膜层。
13、在其中一个实施例中，所述的在所述包封层背离所述重布线层的一侧设置至少一个背膜本体的步骤之前，所述芯片封装方法还包括步骤：在所述包封层背离所述重布线层的一侧设置金属隔离层；其中，所有所述背膜热压贴附于所述金属隔离层背离所述包封层的一侧。
14、在其中一个实施例中，所述的在所述包封层背离所述重布线层的一侧设置至少一个背膜本体之前，所述芯片封装方法还包括步骤：在所述外联层背离所述导电部的一侧贴附支撑膜；固化所述支撑膜。
15、在其中一个实施例中，所述的将所有所述背膜热压贴附于所述包封层上，形成背膜层，所述背膜层的膨胀系数接近所述重布线层的膨胀系数的步骤之后，所述的准备基板，所述芯片封装单元放置于所述基板上，所述导电部通过所述外联层连接于所述基板的步骤之前，所述芯片封装方法还包括步骤：揭除所述支撑膜；清洗所述外联层。
16、一种芯片封装结构，提供一种芯片封装单元，所述芯片封装单元包括重布线层、包封层以及芯片本体，所述重布线层包括相对的第一表面以及第二表面，所述包封层以及所述芯片本体设于所述第一表面，所述包封层包封所述芯片本体，所述芯片本体与所述重布线层电性连接；所述芯片封装结构包括结构本体，所述结构本体用于将背膜本体热压贴附于所述包封层上以形成与所述重布线层膨胀系数接近的背膜层。
17、上述的芯片封装方法及封装结构，在热压的过程中，芯片封装单元以及背膜层同时受热，芯片封装单元以及背膜层发生热膨胀。由于背膜层的膨胀系数接近重布线层的膨胀系数，包封层以及芯片本体被夹持在背膜层以及重布线层之间，使得包封层以及芯片本体的热膨胀受到限制，从而使得芯片封装单元的热膨胀与背膜层相似，进而减小芯片封装单元的翘曲，使得芯片封装单元趋于平整，以便芯片封装单元更好地连接到外连接元器件上，同时也减少芯片封装过程中产生裂片等不良情况的发生。
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1.一种芯片封装方法，其特征在于，提供一种芯片封装单元，所述芯片封装单元包括重布线层、包封层以及芯片本体，所述重布线层包括相对的第一表面以及第二表面，所述包封层以及所述芯片本体设于所述第一表面，所述包封层包封所述芯片本体，所述芯片本体与所述重布线层电性连接；
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述背膜层的膨胀系数与所述重布线层的膨胀系数之间的差值的绝对值小于或者等于10ppm/℃。
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述背膜层的厚度大于或者等于所述重布线层的厚度。
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述背膜层的厚度为所述重布线层厚度的1倍～2倍。
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述包封层背离所述重布线层的一侧叠设有多个所述背膜本体，提供多张背膜，所述背膜包括所述背膜本体、第一分离膜以及第二分离膜，所述背膜本体包括相对的第三表面以及第四表面，所述第一分离膜贴设于所述第三表面，所述第二分离膜贴设于所述第四表面；
6.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述第二表面凸设有与所述重布线层电性连接的导电部；所述芯片封装单元还包括外联层，所述外联层设于所述导电部的外表面，并与所述导电部电性连接；
8.根据权利要求7所述的芯片封装方法，其特征在于，所述的在所述包封层背离所述重布线层的一侧设置至少一个背膜本体的步骤之前，所述芯片封装方法还包括步骤：
9.根据权利要求7所述的芯片封装方法，其特征在于，所述的在所述包封层背离所述重布线层的一侧设置至少一个背膜本体的步骤之前，所述芯片封装方法还包括步骤：
10.根据权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，所述的将所有所述背膜热压贴附于所述包封层上以形成背膜层，所述背膜层的膨胀系数接近所述重布线层的膨胀系数的步骤之后，所述的准备基板，所述芯片封装单元放置于所述基板上，所述导电部通过所述外联层连接于所述基板的步骤之前，所述芯片封装方法还包括步骤：
11.一种芯片封装结构，其特征在于，提供一种芯片封装单元，所述芯片封装单元包括重布线层、包封层以及芯片本体，所述重布线层包括相对的第一表面以及第二表面，所述包封层以及所述芯片本体设于所述第一表面，所述包封层包封所述芯片本体，所述芯片本体与所述重布线层电性连接；所述芯片封装结构包括结构本体，所述结构本体用于将背膜本体热压贴附于所述包封层上以形成与所述重布线层膨胀系数接近的背膜层。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，提供一种芯片封装单元，所述芯片封装单元包括重布线层、包封层以及芯片本体，所述重布线层包括相对的第一表面以及第二表面，所述包封层以及所述芯片本体设于所述第一表面，所述包封层包封所述芯片本体，所述芯片本体与所述重布线层电性连接；
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述背膜层的膨胀系数与所述重布线层的膨胀系数之间的差值的绝对值小于或者等于10ppm/℃。
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述背膜层的厚度大于或者等于所述重布线层的厚度。
4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于，所述背膜层的厚度为所述重布线层厚度的1倍～2倍。
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，所述包封层背离所述重布线层的一侧叠设有多个所述背膜本体，提供多张背膜，所述背膜包括所述背膜本体、第一分离膜以及第二分离膜，所述背膜本体包括相对的第三表面以及第四表面，所述第一分离膜贴设于所述第三表面，所述第二分离膜贴设于所述第四表面；
6.根据权利要求5所述的芯片封装方法，其特征在于，所述的重复上述两个步骤，直至所述背膜本体叠合形成所需厚度的所述背膜层的步骤之后，所述芯片封装方法还包括步骤：
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，李宗泽，郭亮奎，
申请(专利权)人：长电集成电路绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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