一种功率MOSFET模块及生产方法技术

本发明专利技术公开了一种功率MOSFET模块及生产方法，涉及半导体技术领域。其包括DBC板，DBC板上设置有若干铜衬底，若干铜衬底上均设置有晶圆；DBC板、铜衬底和晶圆均嵌设在塑封体中。本发明专利技术通过将晶圆固定在铜衬底的凹槽中后再与DBC板焊接固定，使得本功率MOSFET模块在生产时能够采用成本更低的设备进行生产，并且，铜衬底能够作为补充的额外热容，有效的增强了功率MOSFET模块的抗热冲击能力，使得本功率MOSFET模块的适用性更广。本发明专利技术通过将晶圆固定在铜衬底上，再进行测试分BIN，使昂贵的晶圆测试机替换为更便宜的普通芯片分选机，能够有效节省生产成本；同时，将晶圆固定在铜衬底上后，能够采用MOS单管生产用的SMT设备。能够采用MOS单管生产用的SMT设备。能够采用MOS单管生产用的SMT设备。

【技术实现步骤摘要】
一种功率MOSFET模块及生产方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种功率MOSFET模块及生产方法。

技术介绍

[0002]功率MOSFET模块几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设；网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备；消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品；工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。
[0003]现有的功率MOSFET模块在生产制造时，因为晶圆自身脆弱的特性，无法将其编带包装，即无法采用编带进料的贴片机进行贴片，需要采用特有的固晶机进行贴片操作，固晶机将晶圆直接粘在刷好锡膏的DBC板上后，经过真空回流焊进行焊接固定，再通过塑封、切筋、测试和打包生产得到功率MOSFET模块；这种方法一方面，生产出的功率MOSFET模块因为晶圆直接烧结在DBC板上，DBC板的铜层一般为0.3mm，铜层较薄，导致生产出来的功率MOSFET模块的热容较小，在将这种功率MOSFET模块运用在马达驱动时，抗热冲击能力较弱，容易出现损坏；另一方面，现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率MOSFET模块，其特征在于，包括DBC板，所述DBC板上设置有若干铜衬底(1)，所述若干铜衬底(1)上均设置有晶圆(2)；所述DBC板、铜衬底(1)和晶圆(2)均嵌设在塑封体中。2.根据权利要求1所述的功率MOSFET模块，其特征在于，所述铜衬底(1)上设置有凹槽(3)，所述晶圆(2)通过锡膏焊接于凹槽(3)的底部，且所述晶圆(2)不突出于铜衬底(1)的表面。3.根据权利要求2所述的功率MOSFET模块，其特征在于，所述晶圆(2)位于凹槽(3)的正中心，所述晶圆(2)与凹槽(3)之间设置有均匀的间隙。4.一种基于权利要求1、2或3所述的功率MOSFET模块的生产方法，其特征在于，包括如下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘波，
申请(专利权)人：成都赛力康电气有限公司，
类型：发明
国别省市：