一种双芯超结MOS器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双芯超结MOS器件，涉及半导体器件技术领域。其包括封装在塑料壳体内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板连接的第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片；且第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片并排设置在散热底板的表面上；散热底板与D极引脚连接；第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片通过引脚线组分别与G极引脚、K极引脚和S极引脚连接；且S极引脚靠近散热底板的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区。本实用新型专利技术结构简单，通过设置两个超结MOS芯片，以及引脚打线区的设置使得能够连接更多功率引脚线，从而能够有效增加本MOS器件通过电流的能力，实现大电压、大电流的使用需求。大大降低了MOS器件的成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种双芯超结MOS器件


[0001]本技术涉及半导体器件
，具体涉及一种双芯超结MOS器件。

技术介绍

[0002]场效应管在机床、电动汽车、光伏发电等多个领域均需使用，IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管)是被运用较多的场效应管，但是IGBT模块在作为场效应管时，其开关速度低于MOS器件，损耗高于MOS器件，MOS器件具有更高开关频率、更低损耗的优点，现有技术通过使用MOS器件代替IGBT模块作为场效应管。普通MOS器件的耐压都小于IGBT模块，因此现有技术中采用具有更高耐压的SIC MOS器件或者超结MOS器件来代替IGBT模块；然而，SIC MOS器件受技术和设备的限制，良品不高，导致成本较高；而且不管是SIC MOS器件还是超结MOS器件都无法通过大电流，从而导致直接采用MOS器件代替IGBT模块运用在电子设备上时仍有一定的局限性。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的上述不足，本技术提供了一种更高开关频率、更低损耗且成本低、耐压高、能够运用在大电流使用环境的双芯超结MOS器件。
[0004]为达到上述技术目的，本技术所采用的技术方案为：
[0005]提供一种双芯超结MOS器件，其包括封装在塑料壳体内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板连接的第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片；且第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片并排设置在散热底板的表面上；散热底板与D极引脚连接；第一超结MOS芯片和第二超结MOS芯片通过引脚线组分别与G极引脚、K极引脚和S极引脚连接；且S极引脚靠近散热底板的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区。
[0006]进一步的，引脚线组包括两个信号引脚线和x个功率引脚线，且x≥6；两个信号引脚线分别将第一超结MOS芯片、第二超结MOS芯片以及G极引脚三者依次连接和将第一超结MOS芯片、第二超结MOS芯片以及K极引脚三者依次连接；若干功率引脚线均与引脚打线区连接，且若干功率引脚线均将第一超结MOS芯片、第二超结MOS芯片和S极引脚三者依次连接。
[0007]打线数量比同类产品更多，从而降低了器件的导阻、寄生电感，提高产品性能
[0008]进一步的，引脚打线区的宽度L满足5.5mm≤L≤8mm。更宽的引脚打线宽度的能够使双芯MOS结构设置更多的功率引脚线，增加电流通过性能。
[0009]进一步的，G极引脚和K极引脚的宽度均为L0，D极引脚的宽度L1满足2.5L0≤L1≤3L0；S极引脚的宽度L2满足2.5L0≤L2≤3L0。
[0010]进一步的，D极引脚的宽度S极引脚的宽度
[0011]本技术的有益效果为：
[0012]1、本技术结构简单，通过设置两个超结MOS芯片，以及引脚打线区的设置使得能够连接更多功率引脚线，从而能够有效增加本MOS器件通过电流的能力，实现大电压、大
电流的使用需求。同时，超结MOS芯片的成本仅为SIC MOS芯片的十分之一到五分之一，降低了本MOS器件作为场效应管的成本。
[0013]2、相比于现有技术，加宽的引脚打线区域以及加宽的D极引脚和S极引脚宽度，能够使功率引脚线的热量更快传递，并更快地散发热量，能够降低与本MOS器件连接的电子器件受到MOS器件发热的影响。
附图说明
[0014]图1为双芯MOS结构的结构示意图。
[0015]其中，1、塑料壳体；2、第一超结MOS芯片；3、第二超结MOS芯片；4、散热底板；5、D极引脚；6、G极引脚；7、K极引脚；8、S极引脚；9、引脚打线区；10、信号引脚线；11、功率引脚线；12、焊点；13、凹槽。
具体实施方式
[0016]下面对本技术的具体实施方式进行描述，以便于本
的技术人员理解本技术，但应该清楚，本技术不限于具体实施方式的范围，对本
的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本技术的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本技术构思的技术创造均在保护之列。
[0017]如图1所示，一种双芯超结MOS器件，其包括通过TO247PLUS封装方式封装在塑料壳体1内的双芯MOS结构，双芯MOS结构包括均与散热底板4通过焊锡焊接的第一超结MOS芯片2和第二超结MOS芯片3；且第一超结MOS芯片2和第二超结MOS芯片3并排焊接在散热底板4的表面上；散热底板4与D极引脚5连接；第一超结MOS芯片2和第二超结MOS芯片3通过引脚线组分别与G极引脚6、K极引脚7和S极引脚8连接；且S极引脚8靠近散热底板4的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区9。散热底板4、D极引脚5、G极引脚6、K极引脚7和S极引脚8上均设置有用于加强与塑料壳体1连接的凹槽13。
[0018]引脚线组包括两个信号引脚线10和六个功率引脚线11；本技术的其他实施例中功率引脚线11的数量还可以为7、8、9、10、11或12；两个信号引脚线10分别将第一超结MOS芯片2、第二超结MOS芯片3以及G极引脚6三者依次连接和将第一超结MOS芯片2、第二超结MOS芯片3以及K极引脚7三者依次连接；六个功率引脚线11均与引脚打线区9连接，且六个功率引脚线11均将第一超结MOS芯片2、第二超结MOS芯片3和S极引脚8三者依次连接。
[0019]信号引脚线10分别与第一超结MOS芯片2和第二超结MOS芯片3通过一个焊点12连接；功率引脚线11分别与第一超结MOS芯片2和第二超结MOS芯片3通过两个焊点12连接。
[0020]引脚打线区9的宽度L＝5.87mm；本技术的其他实施例中，引脚打线区9的宽度还可以为5.5mm、6.0mm、6.5mm、7.0mm、7.5mm或8.0mm。功率引脚线11的直径为15mil或20mil；信号引脚线10的直径为4mil或5mil。
[0021]G极引脚6和K极引脚7的宽度均为L0，D极引脚5的宽度S极引脚8的宽度本技术的其他实施例中D极引脚5的宽度还可以为2.5L0、
或3L0；S极引脚8的宽度还可以为2.5L0、、或3L0。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双芯超结MOS器件，其特征在于，包括封装在塑料壳体(1)内的双芯MOS结构，所述双芯MOS结构包括均与散热底板(4)连接的第一超结MOS芯片(2)和第二超结MOS芯片(3)；且所述第一超结MOS芯片(2)和第二超结MOS芯片(3)并排设置在散热底板(4)的表面上；所述散热底板(4)与D极引脚(5)连接；所述第一超结MOS芯片(2)和第二超结MOS芯片(3)通过引脚线组分别与G极引脚(6)、K极引脚(7)和S极引脚(8)连接；且所述S极引脚(8)靠近散热底板(4)的一端设置有与引脚线组连接的引脚打线区(9)。2.根据权利要求1所述的双芯超结MOS器件，其特征在于，所述引脚线组包括两个信号引脚线(10)和x个功率引脚线(11)，且x≥6；两个所述信号引脚线(10)分别将第一超结MOS芯片(2)、第二超结MOS芯片(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：周文定，苏建中，辜睿智，
申请(专利权)人：成都赛力康电气有限公司，
类型：新型
国别省市：