功率模块及其制备方法、封装结构技术

本申请涉及一种功率模块及其制备方法、封装结构,该功率模块包括基板、框架、第一IGBT单元和第二IGBT单元，基板上设置有安装区域，框架上设置有多个引脚，各引脚电连接于安装区域上，多个引脚包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚及第五引脚，第一IGBT单元的发射极与第一引脚电连接；第一IGBT单元的门极与第五引脚电连接；第二IGBT单元的发射极与第三引脚电连接；第二IGBT单元的门极与第四引脚电连接；第一IGBT单元的集电极和第二IGBT单元的集电极均与第二引脚电连接。该功率模块的体积更小，减小控制器中电路板的面积，走线方便，提高变频控制器的生产效率及可靠性，降低工艺难度，节省成本。节省成本。节省成本。

【技术实现步骤摘要】
功率模块及其制备方法、封装结构


[0001]本申请涉及电子功率器件
，尤其涉及一种功率模块及其制备方法、封装结构。

技术介绍

[0002]为了提高用电设备的效率，常常需要为用电设备提供电能的电源进行功率因数校正(PowerFactorCorrection，PFC)。其中，功率因数是衡量用电设备用电效率的参数，通常是指有效功率除以视在功率的比值。功率因数值越大，则用电设备用电效率越高。提高用电设备的功率因数的技术就称为功率因数校正。传统方法中，采用有源功率因数校正电路进行功率因数校正。现有控制器上PFC电路主流方案采用分立器件的绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)和二极管的方式实现。该方案所占控制器印刷电路板的面积较大，成本较高；二极管导通损耗较大，导致效率降低。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，为此，本专利技术提供一种功率模块及其制备方法、封装结构，该功率模块导通损耗更小。
[0004]为此，第一方面，本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率模块，其特征在于，包括：基板(1)，所述基板(1)上设置有安装区域；框架(2)，所述框架(2)上设置有间隔分布的多个引脚，各所述引脚电连接于所述安装区域上，所述多个引脚包括第一引脚(21)、第二引脚(22)、第三引脚(23)、第四引脚(24)以及第五引脚(25)；以及第一IGBT单元(3)和第二IGBT单元(4)，间隔设置于所述框架(2)上，所述第一IGBT单元(3)的发射极与所述第一引脚(21)电连接；所述第一IGBT单元(3)的门极与所述第五引脚(25)电连接；所述第二IGBT单元(4)的发射极与所述第三引脚(23)电连接；所述第二IGBT单元(4)的门极与所述第四引脚(24)电连接；所述第一IGBT单元(3)的集电极和所述第二IGBT单元(4)的集电极均与所述第二引脚(22)电连接。2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述安装区域包括间隔设置的第一导电部(11)、第二导电部(12)、第三导电部(13)、第四导电部(14)以及第五导电部(15)，所述第一导电部(11)与所述第一引脚(21)电连接，所述第二导电部(12)与所述第二引脚(22)电连接，所述第三导电部(13)与所述第三引脚(23)电连接，所述第四导电部(14)与所述第四引脚(24)电连接，所述第五导电部(15)与所述第五引脚(25)电连接。3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一IGBT单元(3)通过第一键合线(5)与所述第一引脚(21)连接，通过第二键合线(6)与所述第五引脚(25)连接；所述第二IGBT单元(4)通过第三键合线(7)与所述第三引脚(23)连接，通过第四键合线(8)与所述第四引脚(24)连接。4.根据权利要求1
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3任一项所述的功率模块，其特征在于，所述第一IGBT单元(3)的晶圆和所述第二IGBT单元(4)的晶圆均焊接于所述第二引脚(22)上。5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述基板(1)远离所述安装区域的一侧开设有第一定位孔(16)，所述框架(2)上还设有第二定位孔(26)，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋蒙恩，张岩，郭立星，霍星星，刘蓝田，赵向阳，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：