温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种功率MOSFET模块及生产方法，涉及半导体技术领域。其包括DBC板，DBC板上设置有若干铜衬底，若干铜衬底上均设置有晶圆；DBC板、铜衬底和晶圆均嵌设在塑封体中。本发明通过将晶圆固定在铜衬底的凹槽中后再与DBC板焊接固定，使...
该专利属于成都赛力康电气有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都赛力康电气有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。