本发明专利技术提供激光加工装置，其能够抑制SiC锭的检查结果的错误。激光加工装置包含：卡盘工作台，其利用保持面对SiC锭进行保持；激光光线照射单元，其将激光光线的聚光点定位于距离第1面相当于要生成的晶片的厚度的深度而将激光光线照射至SiC锭，形成使SiC分离成Si和C并且裂纹沿着c面延伸的剥离层；移动单元，其使卡盘工作台和激光光线照射单元相对地移动；以及剥离层检查单元，其照射对于SiC锭具有透过性且被剥离层反射的波长的检查光，根据反射的光的强度而检查剥离层。保持面为吸收检查光的颜色。色。色。
【技术实现步骤摘要】
激光加工装置
[0001]本专利技术涉及激光加工装置，特别是涉及激光加工装置的卡盘工作台。
技术介绍
[0002]IC、LSI、LED、功率器件等器件是在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)、单晶SiC(碳化硅)作为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由在该功能层上交叉的多条分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件，分割得到的各器件被用于移动电话或个人计算机等电子设备。
[0003]形成器件的晶片通过利用线切割机将圆柱形状的锭薄薄地切断而生成。切断的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面。但是，当利用线切割机将锭切断并对切断的晶片的正面和背面进行研磨时，锭的大部分(70％～80％)会被舍弃，存在不经济的问题。特别是SiC锭的硬度高，难以利用线切割机进行切断，需要相当多的时间，因此生产率差，并且锭的单价高，在高效地生成晶片的方面具有课题。
[0004]因此，本申请人提出了如下的技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于SiC锭的内部，对SiC锭照射激光光线而在切断预定面形成剥离层，沿着形成有剥离层的切断预定面从SiC锭剥离晶片(例如参照专利文献1)。
[0005]但是，存在如下的问题：当由于重复进行晶片的剥离而使SiC锭的高度减少且切断预定面的晶体结构产生变化时，难以在起初的加工条件下沿着切断预定面形成适当的剥离层。因此，考虑如下的方法：在激光加工中或激光加工后，对剥离层照射检查光，根据检查光的反射光的亮度而确认是否适当地形成有剥离层(例如参照专利文献2)。
[0006]专利文献1：日本特许第6399913号公报
[0007]专利文献2：日本特开2020
‑
205312号公报
[0008]但是，专利文献2所示的晶片的生成方法存在如下的课题：当SiC锭变薄时，由于卡盘工作台(的保持面)所反射的检查光的影响，所拍摄的图像的亮度增加，剥离层的检查结果会改变，有可能使各剥离层的检查结果错误。
技术实现思路
[0009]由此，本专利技术的目的在于提供能够抑制SiC锭的检查结果的错误的激光加工装置。
[0010]根据本专利技术，提供激光加工装置，其在SiC锭中形成剥离层，其中，该激光加工装置具有：卡盘工作台，其利用保持面对SiC锭进行保持；激光光线照射单元，其包含聚光器，该聚光器将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离SiC锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而向SiC锭照射激光光线，形成使SiC分离成Si和C并且裂纹沿着c面延伸的剥离层；移动单元，其使该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对地移动；以及剥离层检查单元，其照射对于SiC锭具有透过性且被该剥离层反射的波长的检查光，根据反射的光的强度而检查该剥离层，该卡盘工作台的该保持面为吸收该检查光的颜色。
[0011]优选该检查光为可见光。
[0012]优选该卡盘工作台的该保持面由多孔板形成。
[0013]优选该多孔板由多孔玻璃构成。
[0014]根据本专利技术，起到能够抑制SiC锭的检查结果的错误的效果。
附图说明
[0015]图1是示出第1实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。
[0016]图2是作为图1所示的激光加工装置的加工对象的SiC锭的俯视图。
[0017]图3是图2所示的SiC锭的侧视图。
[0018]图4是将图2所示的SiC锭的一部分剥离而制造的晶片的立体图。
[0019]图5是以局部剖视示出图1所示的激光加工装置的卡盘工作台的侧视图。
[0020]图6是示出图1所示的激光加工装置在SiC锭中形成剥离层的状态的立体图。
[0021]图7是示出图1所示的激光加工装置在SiC锭中形成剥离层的状态的一部分的剖视图。
[0022]图8是示出图1所示的激光加工装置在卡盘工作台所保持的SiC锭中形成检查用的剥离层的状态的立体图。
[0023]图9是示出图1所示的激光加工装置在卡盘工作台所保持的SiC锭中形成检查用的剥离层的状态的一部分的剖视图。
[0024]图10是示意性示出图1所示的激光加工装置的剥离层检查单元对形成于SiC锭的检查用的剥离层进行拍摄的状态的侧视图。
[0025]图11的(A)～(D)是示意性示出图10所示的剥离层检查单元进行拍摄而获取的图像的图。
[0026]图12是示意性示出第2实施方式的激光加工装置的检测单元对SiC锭的小面区域进行检测的状态的侧视图。
[0027]标号说明
[0028]1：激光加工装置；10：卡盘工作台；11：保持面；12：多孔板；15：颜色；20：激光光线照射单元；21：激光光线；22：聚光点；23：聚光器；30：移动单元；40：剥离层检查单元；41：检查光；200：SiC锭；201：第1面(上表面)；211：剥离层；213：深度；220：晶片；222：厚度。
具体实施方式
[0029]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。本专利技术并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[0030][第1实施方式][0031]根据附图，对本专利技术的第1实施方式的激光加工装置1进行说明。图1是示出第1实施方式的激光加工装置的结构例的立体图。图2是作为图1所示的激光加工装置的加工对象的SiC锭的俯视图。图3是图2所示的SiC锭的侧视图。图4是将图2所示的SiC锭的一部分剥离而制造的晶片的立体图。图5是以局部剖视示出图1所示的激光加工装置的卡盘工作台的侧视图。图6是示出图1所示的激光加工装置在SiC锭中形成剥离层的状态的立体图。图7是示
出图1所示的激光加工装置在SiC锭中形成剥离层的状态的一部分的剖视图。
[0032](SiC锭)
[0033]第1实施方式的图1所示的激光加工装置1是对图2所示的SiC锭200进行激光加工的加工装置。在第1实施方式中，作为第1实施方式的激光加工装置1的加工对象的图2和图3所示的SiC锭200由SiC(碳化硅)构成，整体形成为圆柱状。在第1实施方式中，SiC锭200是六方晶单晶SiC锭。
[0034]如图2和图3所示，SiC锭200具有：形成为圆形状且作为上表面的第1面201；第1面201的背面侧的形成为圆形状的第2面202；以及与第1面201的外缘和第2面202的外缘相连的周面203。另外，SiC锭200在周面203上具有示出晶体取向的第1定向平面204和与第1定向平面204垂直的第2定向平面205。第1定向平面204的长度204
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1比第2定向平面205的长度205
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1长。
[0035]另外，SiC锭200具有相对于第1面201的垂线206向朝向本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光加工装置，其在SiC锭中形成剥离层，其中，该激光加工装置具有：卡盘工作台，其利用保持面对SiC锭进行保持；激光光线照射单元，其包含聚光器，该聚光器将对于SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离SiC锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度而向SiC锭照射激光光线，形成使SiC分离成Si和C并且裂纹沿着c面延伸的剥离层；移动单元，其使该卡盘工作台和该激光光线照射单元相对...
【专利技术属性】
技术研发人员：山本节男，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：
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