封装结构及其形成方法技术

提供封装结构及封装结构的形成方法。前述方法包括：设置芯片结构在基板上方；以及形成第一黏接元件在基板上方。第一黏接元件具有第一电阻率。前述方法亦包括：形成第二黏接元件在基板上方。第二黏接元件具有第二电阻率，且第二电阻率大于第一电阻率。前述方法还包括：通过第一黏接元件及第二黏接元件附接保护盖到基板。保护盖围绕芯片结构且覆盖芯片结构的顶表面。顶表面。顶表面。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法


[0001]本公开的实施例是关于芯片封装(chip package)结构及其形成方法，特别是关于具有保护盖(protective lid)的芯片封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)产业经历快速增长。半导体制造制程的不断进步使得半导体装置具有更精细的部件及/或更高的集成程度(integration)。一般而言，功能密度(亦即，每个芯片面积的互连装置的数量)已经增加，同时部件尺寸(亦即，可以使用制造制程创造的最小组件)已经减少。这种按比例缩小的制程通常通过提高生产效率并降低相关成本来提供益处。
[0003]芯片封装不仅可以保护半导体装置免受环境污染物的影响，还可以为封装在其中的半导体装置提供连接接口(connection interface)。已开发出占用较少空间或较低高度的较小封装结构，来封装半导体装置。
[0004]已经开发了新的封装技术，以进一步提高半导体晶粒的密度及功能。这些相对较新的半导体晶粒的封装技术面临制造上的挑战。

技术实现思路

[0005]一实施例是关于一种封装结构的形成方法。前述方法包括：设置芯片(chip)结构在基板上方；以及形成第一黏接元件(adhesive element)在基板上方。第一黏接元件具有第一电阻率(electrical resistivity)。前述方法亦包括：形成第二黏接元件在基板上方。第二黏接元件具有第二电阻率，且第二电阻率大于第一电阻率。前述方法还包括：通过(through)第一黏接元件及第二黏接元件附接(attching)保护盖到基板。保护盖围绕(surrounds)芯片结构且覆盖芯片结构的顶表面。
[0006]另一实施例是关于一种封装结构。前述封装结构包括基板以及在基板上方的芯片结构。前述封装结构亦包括通过第一黏接元件及第二黏接元件附接至基板的保护盖。第一黏接元件及第二黏接元件由不同材料制成。前述封装结构还包括通过第一黏接元件电性连接至保护盖的接地结构。
[0007]又另一实施例是关于一种封装结构。前述封装结构包括基板以及在基板上方的晶粒封装(die package)。前述封装结构亦包括通过第一黏接元件及第二黏接元件附接至基板的保护盖(protective lid)。保护盖覆盖晶粒封装。第一黏接元件具有第一电阻率，第二黏接元件具有第二电阻率。第二电阻率大于第一电阻率。
附图说明
[0008]根据以下的详细说明并配合所附图式阅读，能够最好的理解本公开的态样。应注意的是，根据本产业的标准作业，各种部件未必按照比例绘制，且仅用于说明性目的。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。
[0009]图1A至图1D是根据一些实施例，显示用于形成封装结构的一部分的制程的各种阶段的剖面图。
[0010]图2A至图2D是根据一些实施例，显示用于形成封装结构的一部分的制程的各种阶段的剖面图。
[0011]图3A至图3D是根据一些实施例，显示用于形成封装结构的一部分的制程的各种阶段的平面图。
[0012]图4是根据一些实施例，显示封装结构的一部分的平面图。
[0013]图5是根据一些实施例，显示封装结构的一部分的平面图。
[0014]图6是根据一些实施例，显示封装结构的一部分的平面图。
[0015]图7是根据一些实施例，显示封装结构的一部分的剖面图。
[0016]图8是根据一些实施例，显示封装结构的一部分的剖面图。
[0017]图9是根据一些实施例，显示封装结构的一部分的剖面图。
[0018]图10是根据一些实施例，显示封装结构的一部分的剖面图。
[0019]图11是根据一些实施例，显示封装结构的一部分的剖面图。
[0020]其中，附图标记说明如下：
[0021]10：晶粒封装
[0022]10
’
：第二晶粒封装
[0023]20：基板
[0024]100：载板
[0025]101：离型膜
[0026]102：重布线结构
[0027]108A，108B，108C：芯片结构
[0028]108D，108E，108F，108G：装置元件
[0029]112，120：导电连接件
[0030]114，214：底部填充结构
[0031]116：保护层
[0032]118：载带
[0033]200：核心部分
[0034]202a，202b：绝缘层
[0035]203A1，203A2，203A3，203A4，203B1,203B2，203B3，203B4，203C1，203C2，203C3，203C4，203D1，203D2，203D3，203D4，903A，903B：接地结构
[0036]208：接合结构
[0037]230T：顶表面
[0038]302A1，302A2，302A3，302A4：第一粘接胶
[0039]302A
’1，302A
’2，302A
’3，302A
’4，602A
’1，602A
’2，602A
’3，602B
’1，602B
’2，602B
’3，602C
’1，602C
’2，602C
’3，602D
’1，602D
’2，602D
’3：第一黏接元件
[0040]302B1，302B2，302B3，302B4：第二粘接胶
[0041]302B
’
，302B
’1，302B
’2，302B
’3，302B
’4：第二黏接元件
[0042]304：导热胶
[0043]304
’
：导热元件
[0044]305a：上板
[0045]305b：支撑结构
[0046]306：保护盖
[0047]702：突出部分
[0048]C1，C2，C3，C4：角隅部分
[0049]S1，S2，S3，S4：侧边部分
具体实施方式
[0050]以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施所提供的专利技术标的的不同的部件。以下叙述组件及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，这些特定的范例仅为范例，而非用以限定。举例而言，若是本公开叙述了将第一部件形成于第二部件上方(over)或上(on)，即表示其可能包括前述第一部件与前述第二部件是以直接接触(in direct contact)的方式来形成的实施例，且亦可能包括了将其他部件形成于介于前述第一部件与前述第二部件之间，而使前述第一部件与前述第二部件可能未直接接触的实施例。另外，在各种范例中，本公开可能重复使用元件符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定在此所讨论的各种实施例及/或配置之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，包括：设置一芯片结构在一基板上方；形成一第一粘接元件在该基板上方，其中该第一粘接元件具有一第一电阻率；形成一第二粘接元件在该基板上方，其中该第二粘接元件具有一第二电阻率，且该第二电阻率大于该第一电阻率；以及通过该第一粘接元件及该第二粘接元件附接一保护盖到该基板，其中该保护盖围绕该芯片结构且覆盖该芯片结构的一顶表面。2.如权利要求1所述的形成方法，其中该保护盖包括一金属材料。3.如权利要求1所述的形成方法，还包括形成一接地结构，其中该接地结构通过该第一粘接元件电性连接至该保护盖。4.如权利要求1所述的形成方法，还包括形成多个接地导孔在该基板中，其中形成该第一粘接元件以覆盖该多个接地导孔的至少一些。5.如权利要求1所述的形成方法，还包括：分配一第一粘接胶在该基板的一侧边部分上方；分配一第二粘接胶在该基板的一角隅部分上方；以及设置该保护盖在该第一粘接胶及该第二粘接胶上方，使得该第一粘接胶及该第二粘接胶分别分布在介于该保护盖及该基板之间，以形成该第一粘接元件及该第二粘接元件。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文益，李光君，李建成，陈承先，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：