一种多功能存储芯片封装结构的加工方法技术

本申请涉及一种多功能存储芯片封装结构的加工方法，该方法包括：设计制作封装基板，所述封装基板划分为多个功能区域，各功能区域周围设有EMI屏蔽金属接地焊垫；在各功能区域周围钻金属胶注胶通孔；使用全自动高速点胶机在各功能区域周围的通孔注入金属导电导热胶，待填充完后在上表面堆叠金属导电胶形成分区屏蔽墙；进行整体封胶，并将封胶后整片封胶面进行研磨减薄；在研磨减薄后的黑胶表面进行EMI屏蔽金属层溅镀形成共形屏蔽层。本发明专利技术可使用当前业界通用成熟的各种封装设备生产，实现了大批量生产提升效率。加工得到的多功能存储芯片具有分区屏蔽和共形屏蔽功能，且分区屏蔽层封装在产品内部，产品性能更稳定，可靠性更高。可靠性更高。可靠性更高。

【技术实现步骤摘要】
一种多功能存储芯片封装结构的加工方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，特别是涉及一种多功能存储芯片封装结构的加工方法。

技术介绍

[0002]随着存储芯片技术的发展，存储芯片作为计算机设备的核心部件之一，对存储芯片封装结构的加工工艺有着越来越高的要求。
[0003]然而，在现有存储产品中，为实现EMI(Electromagnetic Interference，电磁干扰)共形屏蔽和分区屏蔽功能，其加工工序复杂，制程质量风险高。具体地，现有技术的分区屏蔽通过对封胶后产品先钻孔，再将孔用金属导电胶填埋实现，其工序复杂。其次，共形屏蔽通过整片产品封胶后切单颗，然后取放至专用溅镀载具上，然后在单颗产品5个面溅镀金属形成，加工工序复杂侧面金属层厚度难以保证。此外，传统带EMI屏蔽功能的存储芯片没有散热方面的设计。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种多功能存储芯片封装结构的加工方法。
[0005]一种多功能存储芯片封装结构的加工方法，所述方法包括：
[0006]设计制作封装基板，所述封装基板划分为多个功能区域，各功能区域周围设有EMI屏蔽金属接地焊垫；
[0007]在各功能区域周围钻金属胶注胶通孔；
[0008]在各功能区域周围的通孔注入金属导电导热胶，待填充完后在上表面堆叠金属导电胶形成分区屏蔽墙；
[0009]进行整体封胶，并将封胶后整片封胶面进行研磨减薄；
[0010]在研磨减薄后的黑胶表面进行EMI屏蔽金属层溅镀形成共形屏蔽层。
[0011]在其中一个实施例中，所述在各功能区域周围钻金属胶注胶通孔，所述通孔与EMI屏蔽金属接地焊垫相邻的步骤之后还包括：
[0012]对所述封装基板进行锡膏印刷，并将SMD元件、功能模组、倒装芯片依次进行贴装、回流焊接以及清洗。
[0013]在其中一个实施例中，所述对封装基板进行锡膏印刷，并将SMD元件、功能模组、倒装芯片依次进行贴装、回流焊接以及清洗的步骤之后还包括：
[0014]使用点胶机对倒装芯片底部点非导电底部填充胶，并烘烤固化。
[0015]在其中一个实施例中，所述使用点胶机对倒装芯片底部点非导电底部填充胶，并烘烤固化的步骤之后还包括：
[0016]进行Flash/Dram存储芯片的晶圆粘贴以及焊线。
[0017]在其中一个实施例中，所述在各功能区域周围镭射钻金属胶注胶通孔的步骤包
括：
[0018]在各功能区域周围通过使用镭射钻金属胶注胶通孔，所述通孔与所述EMI屏蔽金属接地焊垫相邻接。
[0019]在其中一个实施例中，所述在研磨减薄后的黑胶表面进行EMI屏蔽金属层溅镀形成共形屏蔽层的步骤之后还包括：
[0020]对整片背面植锡球后切成单颗多功能存储芯片颗粒。
[0021]上述多功能存储芯片封装结构的加工方法，可使用当前业界通用成熟的各种封装设备生产，实现了大批量生产提升效率。加工得到的多功能存储芯片具有分区屏蔽和共形屏蔽功能，且分区屏蔽层封装在产品内部，产品性能更稳定，可靠性更高。各功能区分区屏蔽墙金属层连通至产品背面，增加了芯片散热功能。芯片可整片EMI电磁屏蔽金属层溅镀，并且只需溅镀上表面一个面，比传统封装产品切单颗后取放再EMI溅镀5个面的制程更简化，质量更稳定，效率更高。此外，在芯片封胶后加入片研磨工序使产品体积更小。
附图说明
[0022]图1为一个实施例中多功能存储芯片封装结构的加工方法的流程示意图；
[0023]图2为本方案中多功能存储芯片封装结构的结构示意图；
[0024]图3为另一个实施例中多功能存储芯片封装结构的加工方法的流程示意图。
具体实施方式
[0025]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0026]目前，现有技术中进行存储芯片的封装工艺至少具有如下缺点：
[0027]首先，现有技术的分区屏蔽通过对封胶后产品先钻孔，再将孔用金属导电胶填埋实现，工序复杂。
[0028]其次，共形屏蔽通过整片产品封胶后切单颗，然后取放至专用溅镀载具上，然后在单颗产品5个面溅镀金属形成，加工工序复杂侧面金属层厚度难以保证。
[0029]最后，传统带EMI屏蔽功能的存储芯片没有散热方面的设计。
[0030]基于此，本专利技术提出了一种多功能存储芯片封装结构和加工方法，该芯片由封装基板、被动元件、功能模块、倒装芯片、Dram/Flash存储芯片、金线、锡球、底部填充胶、导电胶、塑封黑胶组装完成。该方案在封胶前使用高性能全自动点胶机在各功能模块区域周围点导电金属胶形成分区屏蔽层，比传统封胶后再钻孔再填金属胶工艺简化，效率提升。
[0031]在一个实施例中，如图1所示，提供了一种多功能存储芯片封装结构的加工方法，该方法包括：
[0032]步骤102，设计制作封装基板，封装基板划分为多个功能区域，各功能区域周围设有EMI屏蔽金属接地焊垫；
[0033]步骤104，在各功能区域周围钻金属胶注胶通孔；
[0034]步骤106，使用全自动高速点胶机在各功能区域周围的通孔注入金属导电导热胶，待填充完后在上表面堆叠金属导电胶形成分区屏蔽墙；
[0035]步骤108，进行整体封胶，并将封胶后整片封胶面进行研磨减薄；
[0036]步骤110，在研磨减薄后的黑胶表面进行EMI屏蔽金属层溅镀形成共形屏蔽层。
[0037]在本实施例中，提供了一种多功能存储芯片封装结构的加工方法，该方法可以用于加工如图2所示的封装结构，由封装基板、被动元件、功能模块、倒装芯片、Dram/Flash存储芯片、金线、锡球、底部填充胶、导电胶、塑封黑胶组装完成。
[0038]在一个实施例中，在各功能区域周围镭射钻金属胶注胶通孔的步骤包括：在各功能区域周围通过使用镭射钻金属胶注胶通孔，所述通孔与所述EMI屏蔽金属接地焊垫相邻接。
[0039]具体地，首先，将封装基板按功能划分区域。然后，在各功能区域周围镭射钻孔。接着，将被动元件、功能模块、Flipchip倒装芯片贴装回流焊接，倒装芯片用Underfill底部填充胶填充，Dram/Flash存储芯片晶圆粘贴和焊线。按功能划分区域在区域镭射孔及其周围点导电胶形成屏蔽墙，并且导电胶透过镭射孔填充至基板背面。然后产品整体封胶，整体片研磨减薄露出屏蔽墙金属，产品研磨后表面整片EMI电磁屏蔽金属层溅镀。
[0040]在本实施例中，该加工工艺可使用当前业界通用成熟的各种封装设备生产，实现了大批量生产提升效率。加工得到的多功能存储芯片具有分区屏蔽和共形屏蔽功能，且分区屏蔽层封装在产品内部，产品性能更稳定，可靠性更高。各功能区分区屏蔽墙金属层连通至产品背面，增加了芯片散热功能。芯片可整片EMI电磁屏蔽金属层溅镀，并且只需溅镀上表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多功能存储芯片封装结构的加工方法，其特征在于，所述方法包括：设计制作封装基板，所述封装基板划分为多个功能区域，各功能区域周围设有EMI屏蔽金属接地焊垫；在各功能区域周围钻金属胶注胶通孔；使用全自动高速点胶机在各功能区域周围的通孔注入金属导电导热胶，待填充完后在上表面堆叠金属导电胶形成分区屏蔽墙；进行整体封胶，并将封胶后整片封胶面进行研磨减薄；在研磨减薄后的黑胶表面进行EMI屏蔽金属层溅镀形成共形屏蔽层。2.根据权利要求1所述的多功能存储芯片封装结构的加工方法，其特征在于，所述使用全自动高速点胶机在各功能区域周围的通孔注入金属导电导热胶，待填充完后在上表面堆叠金属导电胶形成分区屏蔽墙的步骤之后还包括：对所述封装基板进行锡膏印刷，并将SMD元件、功能模组、倒装芯片依次进行贴装、回流焊接以及清洗。3.根据权利要求2所述的多功能存储芯片封装结构的加工方法，其特征在于，所述对封装基板进行锡膏印...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻志刚，林建涛，
申请(专利权)人：东莞忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：