【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及破碎晶圆回收，尤其是指一种破碎晶圆回收处理的加工工艺。
技术介绍
1、针对完好的晶圆，现有的处理工艺如下：通过贴膜机对晶圆正面进行粘贴研磨胶纸，将贴好胶纸的晶圆装载到研磨设备上进行研磨，在达到规定厚度后，在晶圆背面粘贴切割胶纸，并把正面的研磨胶纸撕掉，对晶圆进行切割即可。
2、但是，针对破碎但有部分完好无损的晶圆，由于无法吸附在真空工作台上，现有的处理工艺无法对破碎的晶圆进行研磨，导致需要对整片晶圆进行报废处理，造成了极大的芯片材料的损失和浪费。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种破碎晶圆回收处理的加工工艺。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术实施例提供了一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，包括以下步骤：
4、制备一个圆环，并在所述圆环的一面粘贴uv膜，以得到贴膜圆环；
5、在破碎晶圆的正面粘贴研磨胶纸，以得到贴纸破碎晶圆；
6、将所述贴纸破...
【技术保护点】
1.一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述圆环的厚度为150±10μm。
3.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述UV膜的厚度为160-200μm。
4.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述研磨胶纸的厚度为175-200μm。
5.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述将所述贴纸破碎晶圆的正面粘贴于所述UV膜上，以使所述贴膜圆环环绕于所...
【技术特征摘要】
1.一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述圆环的厚度为150±10μm。
3.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述uv膜的厚度为160-200μm。
4.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述研磨胶纸的厚度为175-200μm。
5.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述将所述贴纸破碎晶圆的正面粘贴于所述uv膜上，以使所述贴膜圆环环绕于所述贴纸破碎晶圆，并得到承载破碎晶圆步骤中，在所述贴纸破碎晶圆的正面粘贴于所述uv膜后，对所述uv膜进行滚筒压实，以使所述贴纸破碎晶圆的正面贴紧于所述uv膜。
6.根据权利要求1所述的一种破碎晶圆回收处理的加工工艺，其特征在于，所述预设研磨厚度指的是所述破碎晶圆的最终厚度、所述研磨胶纸的厚度及所述uv膜的厚度之和，且所述破碎晶圆的最终厚度与所述研磨胶纸的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈海明，麦浚宇，
申请(专利权)人：东莞忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
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