一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法技术

本申请涉及一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法，该方法包括：设计制作封装基板，所述封装基板上设有Controller焊接区域，其中所述Controller焊接区域为下沉式凹槽用于容纳Controller；对所述封装基板进行锡膏印刷；将Controller贴装入下沉式凹槽中并进行回流焊接清洗；使用点胶机对Controller底部点非导电底部填充胶，填充后的表面与所述封装基板的表面平齐，并进行烘烤固化；将多个Flash/Dram存储芯片晶圆进行堆叠粘贴并焊线。本发明专利技术将封装基板Controller焊接区域设计成下沉式，在Controller贴装回流焊接及Underfill底部填充胶填充之后，上表面与封装基板表面平齐，从而减少整体封装体的厚度，达到轻薄短小的目的。达到轻薄短小的目的。达到轻薄短小的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装
，特别是涉及一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法。

技术介绍

[0002]随着存储芯片技术的发展，存储芯片作为计算机设备的核心部件之一，对存储芯片封装结构的加工工艺有着越来越高的要求。
[0003]然而，在现有闪存芯片的封装工艺中，是先在SMD被动元件和Controller(FC)贴装焊接，FC底部填充完后，对Controller(FC)进行FOD(Film on die)；接下来再进行Dram/Flash存储芯片晶圆堆叠粘贴和焊线，然后产品整体封胶印字，植球后切单颗。显然，在现有技术中，由于Controller(FC)设计在封装基板表面，导致了整体封装体厚度比较厚。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法。
[0005]一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法，所述方法包括：
[0006]设计制作封装基板，所述封装基板上设有Controller焊接区域，其中所述Controller焊接区域为下沉式凹槽用于容纳Controller；
[0007]对所述封装基板进行锡膏印刷；
[0008]将Controller贴装入下沉式凹槽中并进行回流焊接清洗；
[0009]使用点胶机对Controller底部点非导电底部填充胶，填充后的表面与所述封装基板的表面平齐，并进行烘烤固化；
[0010]将多个Flash/Dram存储芯片晶圆进行堆叠粘贴并焊线。
[0011]在其中一个实施例中，所述下沉式凹槽的深度至少为封装基板厚度的一半。
[0012]在其中一个实施例中，所述封装基板厚度的0.2mm，所述下沉式凹槽的深度为0.1mm。
[0013]在其中一个实施例中，所述对所述封装基板进行锡膏印刷的步骤之后还包括：
[0014]将SMD元件装贴于封装基板表面并进行回流焊接清洗。
[0015]在其中一个实施例中，在所述将多个Flash/Dram存储芯片晶圆进行堆叠粘贴并焊线的步骤之后包括：
[0016]对整片进行整体封胶并印字。
[0017]在其中一个实施例中，在所述对整片进行整体封胶并印字的步骤之后还包括：
[0018]对整片背面植锡球后切成单颗多功能存储芯片颗粒。
[0019]上述UFS闪存芯片封装结构的加工方法，将封装基板Controller焊接区域设计成下沉式，在Controller贴装回流焊接及Underfill底部填充胶填充之后，上表面与封装基板表面平齐，然后不需要进行FOD加工可直接进行Flash/Dram晶圆堆叠粘贴和焊线，从而减少整体封装体的厚度，达到轻薄短小的目的。
附图说明
[0020]图1为传统技术中UFS闪存芯片封装结构的结构示意图；
[0021]图2为一个实施例中UFS闪存芯片封装结构的加工方法的流程示意图；
[0022]图3为一个实施例中UFS闪存芯片封装结构的结构示意图；
[0023]图4为另一个实施例中UFS闪存芯片封装结构的加工方法的流程示意图。
具体实施方式
[0024]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0025]目前，参考图1所示的传统技术中UFS闪存芯片封装结构的结构示意图，由于在现有闪存芯片的封装工艺中，是先在SMD被动元件和Controller(FC)贴装焊接，FC底部填充完后，对Controller(FC)进行FOD(Film on die)；接下来再进行Dram/Flash存储芯片晶圆堆叠粘贴和焊线，然后产品整体封胶印字，植球后切单颗。显然，在现有技术中，由于Controller(FC)设计在封装基板表面，导致了整体封装体厚度比较厚。
[0026]基于此，本专利技术提出了一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法，将现有Controller(FC)设计在封装基板内部，并取消FOD工序，从而达到UFS闪存芯片的整体封装厚度减薄的目的。
[0027]在一个实施例中，如图2所示，提供了一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法，该方法包括：
[0028]步骤202，设计制作封装基板，封装基板上设有Controller焊接区域，其中Controller焊接区域为下沉式凹槽用于容纳Controller；
[0029]步骤204，对封装基板进行锡膏印刷；
[0030]步骤206，将Controller贴装入下沉式凹槽中并进行回流焊接清洗；
[0031]步骤208，使用点胶机对Controller底部点非导电底部填充胶，填充后的表面与封装基板的表面平齐，并进行烘烤固化；
[0032]步骤210，将多个Flash/Dram存储芯片晶圆进行堆叠粘贴并焊线。
[0033]在本实施例中，提供了一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法，该方法可以用于加工如图3所示的封装结构，该封装结构包括封装基板(10)、SMD元件(20)、Controller(FC)(30)、Underfill底部填充胶(40)、Flash/Dram存储芯片(50)、焊线(60)以及锡球(70)。其中，封装基板(10)上设有下沉式凹槽，且Controller(30)位于下沉式凹槽中。
[0034]在一个实施例中，下沉式凹槽的深度至少为封装基板厚度的一半。
[0035]在一个实施例中，封装基板厚度的0.2mm，下沉式凹槽的深度为0.1mm。
[0036]参考图2所示，该芯片由封装基板、被动元件、控制器Controller(FC倒装芯片设计)、Flash/Dram存储芯片、金线、锡球、Underfill底部填充胶、塑封黑胶组装完成。具体地，首先将封装基板Controller(FC)焊接区域设计成下沉式，将被动元件、Controller(FC)贴装回流焊接，Controller(FC)用Underfill底部填充胶填充，上表面与封装基板表面平齐，接下来进行Dram/Flash存储芯片晶圆堆叠粘贴和焊线，然后产品整体封胶印字，植球后切单颗。此封装结构比传统使用FOD(Filmondie)结构的产品厚度和体积更小，更好地适应芯
片轻薄短小的发展趋势。
[0037]在上述实施例中，将封装基板Controller焊接区域设计成下沉式，在Controller贴装回流焊接及Underfill底部填充胶填充之后，上表面与封装基板表面平齐，然后不需要进行FOD加工可直接进行Flash/Dram晶圆堆叠粘贴和焊线，从而减少整体封装体的厚度，达到轻薄短小的目的。
[0038]在一个实施例中，对封装基板进行锡膏印刷的步骤之后还包括：将SMD元件装贴于封装基板表面并进行回流焊接清洗。
[0039]在一个实施例中，在将多个Flash/Dr本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种UFS闪存芯片封装结构的加工方法，其特征在于，所述方法包括：设计制作封装基板，所述封装基板上设有Controller焊接区域，其中所述Controller焊接区域为下沉式凹槽用于容纳Controller；对所述封装基板进行锡膏印刷；将Controller贴装入下沉式凹槽中并进行回流焊接清洗；使用点胶机对Controller底部点非导电底部填充胶，填充后的表面与所述封装基板的表面平齐，并进行烘烤固化；将多个Flash/Dram存储芯片晶圆进行堆叠粘贴并焊线。2.根据权利要求1所述的UFS闪存芯片封装结构的加工方法，其特征在于，所述下沉式凹槽的深度至少为封装基板厚度的一半。3.根据权利要求2所述的UFS闪存芯片封装结构的加工方...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建涛，喻志刚，
申请(专利权)人：东莞忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：