实施方式提供一种能够抑制将衬底处理部的排出气体无端废弃的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备衬底处理部，所述衬底处理部使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体。所述装置还具备将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃的废弃部。所述装置还具备回收部，所述回收部使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质，生成包含所述第2物质的第2气体，并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。到所述衬底处理部。到所述衬底处理部。
【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置及半导体装置的制造方法
[0001][相关申请的交叉参考][0002]本申请享有以日本专利申请2021
‑
029111号(申请日：2021年2月25日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。
[0003]本专利技术的实施方式涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0004]在反应器(reactor)内使用气体对衬底进行处理的情况下，有时包含反应器中未被消耗的气体的排出气体从反应器排出。如果将这样的排出气体废弃，那么反应器中未被消耗的气体就被无端废弃了。
技术实现思路
[0005]本专利技术要解决的问题在于提供一种能够抑制将反应器等衬底处理部的排出气体无端废弃的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。
[0006]一实施方式的半导体制造装置具备衬底处理部，所述衬底处理部使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体。所述装置还具备将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃的废弃部。所述装置还具备回收部，所述回收部使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质，生成包含所述第2物质的第2气体，并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。
附图说明
[0007]图1是示意性地表示第1实施方式的半导体制造装置的构成的立体图。
[0008]图2是示意性地表示第1实施方式的D2O生成器的构成例的剖视图。
[0009]图3是表示第1实施方式的反应器的动作例的流程图。
[0010]图4是表示第1实施方式的衬底的示例的剖视图(1/2)。
[0011]图5是表示第1实施方式的衬底的示例的剖视图(2/2)。
[0012]图6是示意性地表示第2实施方式的半导体制造装置的构成的立体图。
具体实施方式
[0013]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。在图1至图6中，对相同构成标注相同的符号，并省略重复说明。
[0014](第1实施方式)
[0015]图1是示意性地表示第1实施方式的半导体制造装置的构成的立体图。
[0016]图1的半导体制造装置具备反应器11、泵12、净化器(洗涤器)13、D2O生成器14、D2O冷凝器15、D2O罐16、D2O气化器17、液位计21、阀22、及控制部23(D表示氘，O表示氧)。反应器
11是衬底处理部的示例，D2O罐16是收容部的示例。进而，液位计21是测量部的示例，阀22是切换部的示例。图1的半导体制造装置还具备D2供给部1、D2O供给部2、O2供给部3、及D2供给部4。
[0017]图1的半导体制造装置还具备废弃系统的流路P1及回收系统的流路P2。净化器13设置在流路P1上，构成本实施方式的半导体制造装置的废弃系统。D2O生成器14、D2O冷凝器15、D2O罐16、及D2O气化器17设置在流路P2上，构成本实施方式的半导体制造装置的回收系统。流路P1及净化器13是废弃部的示例。另一方面，流路P2、D2O生成器14、D2O冷凝器15、D2O罐16、及D2O气化器17是回收部的示例。流路P1从阀22延伸。流路P2从阀22向反应器11延伸。
[0018]反应器11收容作为处理对象的衬底(晶圆)W，并使用气体对所收容的衬底W进行处理。本实施方式的反应器11使用D2气体(氘气体)与D2O气体(重水气体)对衬底W进行处理。结果，衬底W内的物质与D2气体及D2O气体发生化学反应。通过该化学反应而产生的气体、与衬底W内的物质未发生化学反应的D2气体及D2O气体作为排出气体从反应器11排出。图1将该排出气体表示为“气体G1”。本实施方式的反应器11是使用D2气体与D2O气体对衬底W进行退火的退火炉。D2是第1物质的示例，D2O是第2物质的示例。另外，气体G1是第1气体的示例。
[0019]反应器11例如从D2供给部1导入D2气体，从D2O供给部2导入D2O气体，使用这些D2气体及D2O气体对衬底W进行处理。此外，关于从D2供给部1以外导入的D2气体及从D2O供给部2以外导入的D2O气体，将在下文中叙述。
[0020]泵12将从反应器11排出的气体G1经由阀22输送到流路P1或流路P2。阀22例如为三向阀，能够使阀22与流路P1、P2中的任一流路连通。因此，阀22能够使气体G1的排出目的地在流路P1与流路P2之间进行切换。
[0021]净化器13将从阀22流入的气体G1净化。本实施方式的净化器13在利用其它气体将气体G1稀释之后，通过燃烧使气体G1内的D2气体变为D2O气体，由此将气体G1净化。由此，能够防止废弃后的气体G1燃烧。用于稀释的气体例如为N2气体(氮气)或H2O气体(水气(水蒸气))。经净化器13净化后的气体G1作为排气(drain)从净化器13排出。这样一来，将气体G1废弃。
[0022]D2O生成器14使从阀22流入的气体G1内的D2气体与从O2供给部3导入的O2气体(氧气)发生反应。结果，由D2气体及O2气体生成D2O气体。D2O生成器14可以利用O2气体使D2气体燃烧而生成D2O气体，也可以通过D2气体与O2气体的催化反应而生成D2O气体。
[0023]D2O冷凝器15使从D2O生成器14排出的D2O气体冷凝，也就是说，使D2O从气体(gas)变为液体。由此，能够生成纯度较高的D2O液体。
[0024]D2O罐16收容从D2O冷凝器15排出的D2O液体。这样一来，气体G1以D2O液体的形式被回收到D2O罐16内用于再循环。如下所述，D2O罐16内的D2O液体在反应器11内作为D2O气体被再利用。此外，D2O罐16内的D2O液体也可以不以这样的形式再循环，取而代之，通过用作用来生成D2气体的原材料而再循环。本实施方式的D2O罐16具备测量D2O罐16内的D2O液体的液位的液位计21。由此，能够通过液位来测量D2O罐16内的D2O液体的量。
[0025]此外，D2O罐16也可以不通过收容从D2O冷凝器15排出的D2O液体来回收D2O，取而代之，通过使从D2O生成器14排出的D2O气体混入到D2O罐16内的D2O液体内来回收D2O。
[0026]D2O气化器17使从D2O罐16排出的D2O液体气化，也就是说，使D2O从液体变为气体。由此，能够生成纯度较高的D2O气体。从D2供给部4导入到D2O罐16中的D2气体也进而流入到
D2O气化器17中。本实施方式的D2O气化器17将包含这些D2O气体及D2气体的“气体G2”排出。D2气体用作输送D2O气体的载体。气体G2经由流路P2向反应器11供给，在反应器11内作为D2O气体及D2气体使用。气体G2是第2气体的示例。
[0027]控制部23对图1的半导体制造装置的各种动作进行控制。本实施方式的控制部23从液位计21接收D2O罐16内的液位的测量数据，并基于所接收到的测量数据对阀22进行控制。例如，在D2O罐16内的液位高于阈值的情况下，由本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，具备：衬底处理部，使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体；废弃部，将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃；以及回收部，使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质，生成包含所述第2物质的第2气体，并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第1物质为D2或H2(H表示氢，D表示氘)，所述第2物质为D2O或H2O(O表示氧)。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中所述回收部使作为所述第1物质的D2或H2与O2发生反应，生成作为所述第2物质的D2O或H2O。4.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述回收部具备：生成器，使用所述第1气体内的所述第1物质生成所述第2物质；以及收容部，收容包含利用所述生成器所生成的所述第2物质的液体。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其中所述回收部还具备使利用所述生成器所生成的所述第2物质从气体变为液体的冷凝器，将从所述冷凝器排出的所述液体收容在所述收容部内。6.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其中所述回收部还具备使从所述收容部排出的所述液体变为所述第2气体的气化器，将从所述气化器排出的所述第2气体供给到所述衬底处理部。7.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其还具备：测量部，测量所述收容部内的液体的液位；切换部，使从所述衬底处理部排出的所述第1气体的排出目的地在所述废弃部与所述回收部之间进行切换；以及控制部，基于由所述测定部所测量出的所述液位，对所述切换部进行控制。8.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述回收部具备收容所述第1气体的收容部。9.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其中所述回收部还具备使用从所述收容部排出的所述第1气体内的所述第1物质生成所述第2物质的生成器，将包含由所述生成器所生成的所述第2物质的所述第2气体供给到所述衬底处理部。10.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其还具备：测量部，测量所述收容部内的气体的压力；切换部，使从所述衬底处理部排出的所述第1气体的排出目的地在所述废弃部与所述回收部之间进...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤井干，久保田浩史，相宗史记，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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