本发明专利技术提供了一种激光解离用基板、其制作方法及巨量转移方法，所述激光解离用基板包括：包括激光照射面和背面的衬底基板；阵列排布在衬底基板的背面上的控制电路，控制电路包括开关器件以及控制电极；位于开关器件背离衬底基板一侧的导光层，导光层用于将从激光照射面照射的激光损伤后反射至开关器件；位于控制电极背离衬底基板一侧的压电器件，压电器件在衬底基板上的正投影与开关器件在衬底基板上的正投影互不交叠；位于压电器件背离衬底基板一侧的透镜，透镜在衬底基板上的正投影完全落入压电器件在衬底基板上的正投影的区域范围内，透镜用于将透过压电器件的激光聚焦至被解离物。离物。离物。
【技术实现步骤摘要】
一种激光解离用基板、其制作方法及巨量转移方法
[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种激光解离用基板、其制作方法及巨量转移方法。
技术介绍
[0002]现有常通过激光设备对密排有微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)的中载基板进行照射，以此实现对其上Micro LED的巨量转移。
[0003]然而，在激光解离过程中，由于中载基板不同区域位置的平整度有所不同，相应地，激光设备照射在中载基板上的能量有所差异，即照射在中载基板上的能量不均，从而降低了对中载基板上的Micro LED的解离良率，影响了巨量转移的效率。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种激光解离用基板、其制作方法及巨量转移方法，用于实现对激光解离能量的控制，进而提高激光照射被解离物的解离良率。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种激光解离用基板，包括：
[0006]衬底基板，包括激光照射面和背面；
[0007]阵列排布在所述衬底基板的背面上的控制电路，所述控制电路包括开关器件以及控制电极；
[0008]位于所述开关器件背离所述衬底基板一侧的导光层，所述导光层用于将从所述激光照射面照射的激光损伤后反射至所述开关器件，以增大通过所述开关器件向所述控制电极加载的电信号；
[0009]位于所述控制电极背离所述衬底基板一侧的压电器件，所述压电器件在所述衬底基板上的正投影与所述开关器件在所述衬底基板上的正投影互不交叠，所述压电器件用于根据所述控制电极加载的电信号，改变在垂直于所述衬底基板方向的厚度；
[0010]位于所述压电器件背离所述衬底基板一侧的透镜，所述透镜在所述衬底基板上的正投影完全落入所述压电器件在所述衬底基板上的正投影的区域范围内，所述透镜用于将透过所述压电器件的激光聚焦至被解离物。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述开关器件包括依次背离所述衬底基板设置的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层；
[0012]所述源漏极层和所述导光层之间还设置有有机层，其中，所述有源层在所述衬底基板上的正投影，完全落入所述导光层在所述衬底基板上的正投影的区域范围内。
[0013]在一种可能的实现方式中，所述控制电极包括间隔设置的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极和所述第二透明电极同层制作，其中，所述第一透明电极与所述开关器件电连接，在通过所述开关器件对所述第一透明电极和所述第二透明电极加载电信号时，所述压电器件在垂直于所述衬底基板方向的厚度与所加载的电信号呈正比。
[0014]在一种可能的实现方式中，所述压电器件在所述衬底基板上的正投影形状为方
形，所述方形的面积大小为10μm*10μm。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述导光层的材料为Mo。
[0016]在一种可能的实现方式中，所述压电器件为钛酸钡系、锆钛酸铅、聚偏氟乙烯中的至少一种。
[0017]第二方面，本专利技术实施例提供了一种微发光二极管的巨量转移方法，包括：
[0018]提供一粘接有多个微发光二极管的中载基板，以及具有驱动电路的显示基板；
[0019]将所述中载基板粘接有微发光二极管的一侧置于所述显示基板具有驱动电路一侧的上方进行对位；
[0020]将如上面所述的激光解离用基板置于所述中载基板上方的相距预设距离的预设位置处；
[0021]从所述激光解离用基板的上方采用激光照射所述激光解离用基板，使所述激光透过所述激光解离用基板照射至所述中载基板，被照射位置处的所述微发光二极管从所述中载基板上剥离至所述显示基板。
[0022]第三方面，本专利技术实施例提供了一种激光解离用基板的制作方法，包括：
[0023]在衬底基板的背面上形成阵列排布的控制电路，其中，所述控制电路包括开关器件以及控制电极；
[0024]在所述开关器件背离所述衬底基板的一侧形成导光层，所述导光层用于将从所述衬底基板的激光照射面照射的激光损伤后反射至所述开关器件，以增大通过所述开关器件向所述控制电极加载的电信号；
[0025]在所述控制电极背离所述衬底基板的一侧形成压电器件，所述压电器件在所述衬底基板上的正投影与所述开关器件在所述衬底基板上的正投影互不交叠，所述压电器件用于根据所述控制电极加载的电信号，改变在垂直于所述衬底基板方向的厚度；
[0026]在所述压电器件背离所述衬底基板的一侧形成透镜，所述透镜在所述衬底基板上的正投影完全落入所述压电器件在所述衬底基板上的正投影的区域范围内，所述透镜用于将透过所述压电器件的激光聚焦至被解离物。
[0027]在一种可能的实现方式中，所述在衬底基板的背面上形成阵列排布的控制电路，包括：
[0028]在所述衬底基板的背面上依次形成栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层，形成包括所述栅极层、所述栅极绝缘层、所述有源层和所述源漏极层的开关器件；
[0029]在所述开关器件背离所述衬底基板的一侧形成与所述源漏极层电连接的控制电极，形成包括所述开关器件和所述控制电极的所述控制电路。
[0030]在一种可能的实现方式中，在所述开关器件背离所述衬底基板的一侧形成与所述源漏极层电连接的控制电极之后，所述方法还包括：
[0031]在所述源漏极层背离所述衬底基板的一侧形成图案化的有机层；
[0032]在所述有机层背离所述衬底基板的一侧形成导光层，其中，所述有源层在所述衬底基板上的正投影，完全落入所述导光层在所述衬底基板上的正投影的区域范围内。
[0033]本专利技术的有益效果如下：
[0034]本专利技术实施例提供了一种激光解离用基板、其制作方法及巨量转移方法，其中，激光解离用基板包括衬底基板，阵列排布在所述衬底基板的背面上的包括开关器件以及控制
电极的控制电路，以及位于所述开关器件背离所述衬底基板一侧的导光层，所述导光层用于将从所述衬底基板的激光照射面照射的激光损伤后反射至所述开关器件，从而增大通过所述开关器件向所述控制电极所加载的电信号，所述激光解离用基板还包括位于所述控制电极背离所述衬底基板一侧的压电器件，所述压电器件在所述衬底基板上的正投影与所述开关器件在所述衬底基板上的正投影互不交叠，由于从所述激光照射面照射的激光经所述导光层损伤后可以反射至所述开关器件，从而增大通过所述开关器件向所述控制电极加载的电信号，进而改变所述压电器件在垂直于所述衬底基板方向的厚度，一旦所述开关器件在垂直于所述衬底基板方向的厚度发生了改变，位于所述压电器件背离所述衬底基板一侧的透镜，将对透过所述压电器件的激光的能量进行相应的调整，从而实现了对激光聚焦至被解离物的能量的调整，进一步地，实现了对激光解离能量的控制，提高了激光照射被解离物的解离良率。尤其是在将激光解离用基板置于粘接有微发光二极管的中载基板上方的相距预设距离的预设位置处时，可以将被激光照射位置处的微发光二极管从中载基板上剥离至具有驱动电路的显示基板上，从而实现了对微发光二本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种激光解离用基板，其特征在于，包括：衬底基板，包括激光照射面和背面；阵列排布在所述衬底基板的背面上的控制电路，所述控制电路包括开关器件以及控制电极；位于所述开关器件背离所述衬底基板一侧的导光层，所述导光层用于将从所述激光照射面照射的激光损伤后反射至所述开关器件，以增大通过所述开关器件向所述控制电极加载的电信号；位于所述控制电极背离所述衬底基板一侧的压电器件，所述压电器件在所述衬底基板上的正投影与所述开关器件在所述衬底基板上的正投影互不交叠，所述压电器件用于根据所述控制电极加载的电信号，改变在垂直于所述衬底基板方向的厚度；位于所述压电器件背离所述衬底基板一侧的透镜，所述透镜在所述衬底基板上的正投影完全落入所述压电器件在所述衬底基板上的正投影的区域范围内，所述透镜用于将透过所述压电器件的激光聚焦至被解离物。2.如权利要求1所述的激光解离用基板，其特征在于，所述开关器件包括依次背离所述衬底基板设置的栅极层、栅极绝缘层、有源层和源漏极层；所述源漏极层和所述导光层之间还设置有有机层，其中，所述有源层在所述衬底基板上的正投影，完全落入所述导光层在所述衬底基板上的正投影的区域范围内。3.如权利要求1所述的激光解离用基板，其特征在于，所述控制电极包括间隔设置的第一透明电极和第二透明电极，所述第一透明电极和所述第二透明电极同层制作，其中，所述第一透明电极与所述开关器件电连接，在通过所述开关器件对所述第一透明电极和所述第二透明电极加载电信号时，所述压电器件在垂直于所述衬底基板方向的厚度与所加载的电信号呈正比。4.如权利要求1所述的激光解离用基板，其特征在于，所述压电器件在垂直于所述衬底基板方向的厚度范围为[35μm，50μm]。5.如权利要求2所述的激光解离用基板，其特征在于，所述导光层的材料为Mo。6.如权利要求1所述的激光解离用基板，其特征在于，所述压电器件为钛酸钡系、锆钛酸铅、聚偏氟乙烯中的至少一种。7.一种微发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，包括：提供一粘接有多个微发光二极管的中载基板，以及具有驱动电路的显示基板；将所述中载基板粘接有微发光二极管的一侧置...
【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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