半导体装置制造方法及图纸

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管、位元线、第一电容器结构及第二电容器结构。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，包括半导体金属氧化物板位于基板上，以及一组多个电极结构位于半导体金属氧化物板上并沿着第一水平方向自一侧至另一侧含有第一源极、第一栅极、漏极、第二栅极与第二源极。位元线位于半导体金属氧化物板上并电性连接至漏极，且沿着第一水平方向横向延伸。第一电容器结构包括第一导电节点，其电性连接至第一源极。第二电容器结构包括第二导电节点，其电性连接至第二源极。其电性连接至第二源极。其电性连接至第二源极。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及至少两个动态随机存取存储器单元如动态随机存取存储器单元的二维阵列，尤其涉及半导体金属氧化物板以用于提供一对存取晶体管所用的一对半导体通道。

技术介绍

[0002]由于可在低温下处理薄膜晶体管而不损伤之前制作的装置，因此氧化物半导体所制造的薄膜晶体管为后段工艺集成所用的其他选择。举例来说，制作条件与技术不会损伤之前制作的前段工艺装置。

技术实现思路

[0003]本专利技术一实施例提供的半导体装置，包括：第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，包括半导体金属氧化物板位于基板上以作为连续材料部分，以及一组多个电极结构位于半导体金属氧化物板上并沿着第一水平方向自一侧至另一侧含有第一源极、第一栅极、漏极、第二栅极与第二源极，其中第一栅极及第二栅极分别与半导体金属氧化物板隔有第一栅极介电层及第二栅极介电层，其中横向延伸于第一源极与漏极之间的半导体金属氧化物板的第一部分包括第一半导体通道，且其中横向延伸于第二源极与漏极之间的半导体金属氧化物板的第二部分包括第二半导体通道；位元线，位于半导体金属氧化物板上并电性连接至漏极，且沿着第一水平方向横向延伸；第一电容器结构，包括第一导电节点，其电性连接至第一源极；以及第二电容器结构，包括第二导电节点，其电性连接至第二源极。
[0004]本专利技术一实施例提供的半导体装置，包括：存取晶体管对的二维阵列位于基板上，其中每一存取晶体管对包括含有半导体金属氧化物板的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，以及一组电极结构位于半导体金属氧化物板上，并沿着第一水平方向由一侧至另一侧包括第一源极、第一栅极、漏极、第二栅极与第二源极，其中第一栅极及第二栅极与半导体金属氧化物板分别隔有第一栅极介电层与第二栅极介电层，其中横向延伸于第一源极与漏极之间的半导体金属氧化物板的第一部分包括第一半导体通道，且其中横向延伸于第二源极与漏极之间的半导体金属氧化物板的第二部分包括第二半导体通道；位元线，沿着第一水平方向横向延伸，且电性连接至个别行的漏极；第一字元线，沿着第二水平方向横向延伸，且包括个别列的第一栅极作为其中的材料部分；第二字元线，沿着第二水平方向横向延伸，且包括个别列的第二栅极作为其中的材料部分；以及电容器对的二维阵列，其中每一电容器对包括第一电容器结构与第二电容器结构，第一电容器结构包括第一导电节点以电性耦接至个别的第一源极，且第二电容器结构包括第二导电节点以电性连接至个别的第二源极。
[0005]本专利技术一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成半导体金属氧化物板于基板上；形成第一栅极结构与第二栅极结构于半导体金属氧化物板之上或之下，其中第一栅极结构与第二栅极结构沿着第一水平方向横向分开，第一栅极结构包括第一栅极介电
层与第一栅极，而第二栅极结构包括第二栅极介电层与第二栅极；形成第一源极、漏极与第二源极于半导体金属氧化物板的上表面的个别部分上，其中漏极形成于第一栅极结构与第二栅极结构之间，第一源极与漏极横向隔有第一栅极结构，且第二源极与漏极横向隔有第二栅极结构；形成位元线，其沿着第一水平方向横向延伸且电性连接至漏极；以及形成第一电容器结构与第二电容器结构，其中第一电容器结构的第一导电节点电性连接至第一源极，且第二电容器结构的第二导电节点电性连接至第二源极。
附图说明
[0006]图1为本专利技术一实施例中，形成互补式金属氧化物半导体晶体管、第一金属内连线结构于下侧层的介电材料层中以及隔离介电层之后的第一例示性结构的垂直剖视图。
[0007]图2A为本专利技术第一实施例中，形成底部栅极沟槽于绝缘基质层中之后的第一例示性结构的存储器阵列区的部分俯视图。
[0008]图2B为第一例示性结构沿着图2A的垂直平面B
‑
B
’
的垂直剖视图。
[0009]图2C为第一例示性结构沿着图2A的垂直平面C
‑
C
’
的垂直剖视图。
[0010]图3A为本专利技术第一实施例中，形成底部字元线于底部栅极沟槽中之后的第一例示性结构的存储器阵列区的部分俯视图。
[0011]图3B为第一例示性结构沿着图3A的垂直平面B
‑
B
’
的垂直剖视图。
[0012]图3C为第一例示性结构沿着图3A的垂直平面C
‑
C
’
的垂直剖视图。
[0013]图3D为第一例示性结构沿着图3A的垂直平面D
‑
D
’
的垂直剖视图。
[0014]图3E为第一例示性结构沿着图3A的垂直平面E
‑
E
’
的垂直剖视图。
[0015]图4A为本专利技术第一实施例中，形成连续底部栅极介电层、连续半导体金属氧化物层与连续顶部栅极介电层之后的第一例示性结构的存储器阵列区的部分俯视图。
[0016]图4B为第一例示性结构沿着图4A的垂直平面B
‑
B
’
的垂直剖视图。
[0017]图4C为第一例示性结构沿着图4A的垂直平面C
‑
C
’
的垂直剖视图。
[0018]图4D为第一例示性结构沿着图4A的垂直平面D
‑
D
’
的垂直剖视图。
[0019]图4E为第一例示性结构沿着图4A的垂直平面E
‑
E
’
的垂直剖视图。
[0020]图5A为本专利技术第一实施例中，图案化下侧连续栅极介电层、连续半导体金属氧化物层与上侧连续栅极介电层，而成底部栅极介电层、半导体金属氧化物板与顶部栅极介电层的堆叠之后的第一例示性结构的存储器阵列区的部分俯视图。
[0021]图5B为第一例示性结构沿着图5A的垂直平面B
‑
B
’
的垂直剖视图。
[0022]图5C为第一例示性结构沿着图5A的垂直平面C
‑
C
’
的垂直剖视图。
[0023]图5D为第一例示性结构沿着图5A的垂直平面D
‑
D
’
的垂直剖视图。
[0024]图5E为第一例示性结构沿着图5A的垂直平面E
‑
E
’
的垂直剖视图。
[0025]图6A为本专利技术第一实施例中，图案化顶部栅极介电层成多个顶部栅极介电层之后的第一例示性结构的存储器阵列区的部分俯视图。
[0026]图6B为第一例示性结构沿着图6A的垂直平面B
‑
B
’
的垂直剖视图。
[0027]图6C为第一例示性结构沿着图6A的垂直平面C
‑
C
’
的垂直剖视图。
[0028]图6D为第一例示性结构沿着图6A的垂直平面D
‑
D
’
的垂直剖视图。
[0029]图6E为第一例示性结构沿着图6A的垂直平面E
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一第一薄膜晶体管与一第二薄膜晶体管，包括一半导体金属氧化物板位于一基板上以作为一连续材料部分，以及一组多个电极结构位于该半导体金属氧化物板上并沿着一第一水平方向自一侧至另一侧含有一第一源极、一第一栅极、一漏极、一第二栅极与一第二源极，其中该第一栅极及该第二栅极分别与该半导体金属氧化物板隔有一第一栅极介电层及一第二栅极介电层，其中横向延伸于该第一源极与该...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜慧如，后藤贤一，凌嘉佑，谢佑刚，林仲德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：