半导体装置制造方法及图纸

本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括介电鳍状物，在第一半导体通道与第二半导体通道之间。半导体装置包括第一栅极结构。第一栅极结构包括第一部分与第二部分，其通过介电鳍状物而彼此分离。半导体装置包括第一栅极间隔物，其沿着第一栅极结构的第一部分的侧壁延伸。半导体装置包括第二栅极间隔物，其沿着第一栅极结构的第二部分的侧壁延伸。第一栅极间隔物或第二栅极间隔物的至少一个包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分，第二厚度小于第一厚度，且其中第一部分比第二部分还要靠近介电鳍状物。第二部分还要靠近介电鳍状物。第二部分还要靠近介电鳍状物。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置及其制造方法，尤其涉及非平面式的晶体管及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体产业由于在各种电子构件(举例而言：晶体管、二极管、电阻器、电容器等等)的集积密度的持续改善，已历经了快速成长。大多数情况下，这样的在集积密度的持续改善是来自不断缩小最小特征尺寸的持续，得以将更多构件整合至一既定芯片面积中。

技术实现思路

[0003]一实施例是关于一种半导体装置。上述半导体装置包括一介电鳍状物，置于一第一半导体鳍状物与一第二半导体鳍状物之间。上述介电鳍状物、上述第一半导体鳍状物与上述第二半导体鳍状物均沿着一第一横向方向延伸。上述半导体装置包括一第一栅极结构，其沿着一第二横向方向延伸，上述第二横向方向正交于上述第一横向方向。上述第一栅极结构包括一第一部分与一第二部分，其通过上述介电鳍状物而彼此分离。上述半导体装置包括一第一栅极间隔物，其沿着上述第一栅极结构的上述第一部分的侧壁延伸。上述半导体装置包括一第二栅极间隔物，其沿着上述第一栅极结构的上述第二部分的侧壁延伸。上述第一栅极间隔物或上述第二栅极间隔物的至少一个包括具有一第一厚度的一第一部分以及具有一第二厚度的一第二部分，上述第二厚度小于上述第一厚度，且其中上述第一部分比上述第二部分还要靠近上述介电鳍状物。
[0004]另一实施例是关于一种一种半导体装置。上述半导体装置包括一第一介电鳍状物，其沿着一第一横向方向延伸。上述半导体装置包括一第二介电鳍状物，其沿着上述第一横向方向延伸。上述半导体装置包括一金属栅极结构，其沿着一第二横向方向延伸，上述第二横向方向正交于上述第一横向方向。上述金属栅极结构包括多个部分，其通过上述第一介电鳍状物与上述第二介电鳍状物而彼此分离。上述半导体装置包括一栅极间隔物，其沿着上述金属栅极结构的侧壁延伸。上述栅极间隔物具有至少一第一厚度与一第二厚度，而上述第一厚度大于上述第二厚度。
[0005]又另一实施例是关于一种半导体装置的制作方法。上述方法包括形成一介电鳍状物，其沿着一第一横向方向延伸。上述方法包括形成一虚设栅极结构，其越过上述介电鳍状物。上述虚设栅极结构沿着一第二横向方向延伸。上述方法包括形成一栅极间隔物，其沿着上述虚设栅极结构的侧壁延伸。上述方法包括形成一掩模层，其覆盖上述介电鳍状物的一部分，使上述虚设栅极结构的一部分与上述栅极间隔物的一部分置于上述的照层与上述介电鳍状物的上述部分之间。上述方法包括以一有效栅极结构来替换上述虚设栅极结构。上述有效栅极结构具有一第一部分与一第二部分，其被上述介电鳍状物的上述部分所分离。
附图说明
[0006]通过以下的详细说明配合阅读所附附图可更加理解本文公开的内容。要强调的是，根据产业上的标准作业，各个部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，可能任意地放大或缩小各个部件的尺寸。
[0007]图1示出根据一些实施例的一鳍式场效晶体管(fin
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based field
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effect
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transistor；FinFET)装置的透视图。
[0008]图2示出根据一些实施例的一非平面式晶体管的例示的制作方法的流程图。
[0009]图3A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0010]图3B示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0011]图4A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0012]图4B示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0013]图5A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0014]图5B示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0015]图6A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0016]图6B示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0017]图7A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0018]图7B示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0019]图7C示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0020]图8A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0021]图8B示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0022]图8C示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0023]图9A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0024]图9B示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0025]图10A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0026]图10B示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0027]图11A示出根据一些实施例通过图2的方法制作的在各种制造阶段期间的一例示的鳍式场效晶体管装置(或是上述例示的鳍式场效晶体管装置的一部分)的剖面图。
[0028]图11B示出根据一些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一介电鳍状物，置于一第一半导体鳍状物与一第二半导体鳍状物之间，其中该介电鳍状物、该第一半导体鳍状物与该第二半导体鳍状物均沿着一第一横向方向延伸；一第一栅极结构，沿着一第二横向方向延伸，该第二横向方向正交于该第一横向方向，其中该第一栅极结构包括一第一部分与一第二部分，其通过该介电鳍状物而彼此分离；...

【专利技术属性】
技术研发人员：林士尧，冯玠宁，李筱雯，陈昭成，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：