一种基于神经MOS管的新型反相器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于神经ＭＯＳ管的新型反相器，由一个神经ＭＯＳ管和一个极性相反的ＣＭＯＳ管组成，神经ＭＯＳ管包括Ｎ型神经ＭＯＳ管和Ｐ型神经ＭＯＳ管，ＣＭＯＳ管包括Ｎ型ＣＭＯＳ管和Ｐ型ＣＭＯＳ管，神经ＭＯＳ管的栅极与ＣＭＯＳ管的栅极连接并与电压输入端连接，神经ＭＯＳ管的多个输入栅作为电压控制端与控制电压输入端连接，Ｐ型ＣＭＯＳ管或Ｐ型神经ＭＯＳ管的漏极与电源电压连接，Ｎ型ＣＭＯＳ管或Ｎ型神经ＭＯＳ管的源极接地，Ｐ型ＣＭＯＳ管或Ｐ型神经ＭＯＳ管的源极与Ｎ型神经ＭＯＳ管或Ｎ型ＣＭＯＳ管的漏极连接并与电压输出端连接，优点是用一个常规ＣＭＯＳ管替代了互补型神经ＭＯＳ管反相器中的一个神经ＭＯＳ管，不但可降低功耗，而且可减少阈值损失，本发明专利技术的反相器与其它的相同功能的反相器比较，节省功耗４６％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种反相器，尤其是涉及一种基于神经MOS管的新型反相器。
技术介绍
反相器是数字电路设计的重要器件，也是逻辑运算中组成最基本完备集(与、或、非)的要素之一。传统CMOS反相器是由一对PMOS和NMOS管组成，在正常工作情况下，PMOS和NMOS管处于两种组合开关状态，实现逻辑1与逻辑0的转换。CMOS反相器是数字电路中最常用的器件，具有以下两个优点1、功耗低(静态功耗为零，除了泄露电流引起的功耗外，其它功耗都可以忽略)；2、电压传输特性接近理想(输出电压完全在0到Vdd之间跳变，且过度区十分陡峭)。但在同一个电路中，不具备阈值控制功能，不同CMOS反相器的阈值难以改变。 随着芯片集成度提高、运行速度加快，导致芯片面积增大、连接复杂性提高、互连线所占面积增大、互连线延迟以及互连线产生的其它寄生效应(如串扰)等问题。因此在电路设计时，不但要考虑提高芯片的可靠性，而且要考虑提高信息密度，以减小芯片面积、降低互连线的复杂性。多值逻辑电路不仅能增加单线携带信息的能力，提高数字电路的信息密度，而且可以减少芯片引线数。传统多值电路的阈值设置是通过多级离子注入技术实现，这不但增本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于神经ＭＯＳ管的新型反相器，其特征在于由一个神经ＭＯＳ管和一个极性相反的ＣＭＯＳ管组成，所述的神经ＭＯＳ管包括Ｎ型神经ＭＯＳ管和Ｐ型神经ＭＯＳ管，所述的ＣＭＯＳ管包括Ｎ型ＣＭＯＳ管和Ｐ型ＣＭＯＳ管，所述的神经ＭＯＳ管的栅极与所述的ＣＭＯＳ管的栅极连接并与电压输入端连接，所述的神经ＭＯＳ管的多个输入栅作为电压控制端与控制电压连接，所述的Ｐ型ＣＭＯＳ管或所述的Ｐ型神经ＭＯＳ管的漏极与电源电压连接，所述的Ｎ型ＣＭＯＳ管或所述的Ｎ型神经ＭＯＳ管的源极接地，所述的Ｐ型ＣＭＯＳ管或所述的Ｐ型神经ＭＯＳ管的源极与所述的Ｎ型神经ＭＯＳ管或所述的Ｎ型ＣＭＯＳ管的漏极连接并与电压输出端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏君，张跃军，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]