基于反相器的本振驱动电路制造技术

本发明专利技术实施例提供基于反相器的本振驱动电路。本发明专利技术的基于反相器的本振驱动电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、第一反相器以及第二反相器，第一反相器电连接于第一输入端与第一输出端之间，第二反相器电连接于第二输入端与第二输出端之间，第一输入端与第二输出端之间还依次电性连接有第三反相器和第四反相器，第二输入端与第一输出端之间还依次电性连接有第五反相器和第六反相器。通过在第一输入端与第二输出端之间设置第三反相器和第四反相器，在第二输入端与第一输出端之间设置第五反相器和第六反相器，采用共模噪声抵消的方法，增强了对电源和地的噪声抑制能力，并使其鲁棒性和稳定性得到提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信电子线路领域，具体而言，涉及一种基于反相器的本振驱动电路。
技术介绍
在射频接收机电路中，本振驱动电路是必不可缺的一部分，用于将锁相环输出的高质量时钟信号放大并送给混频器电路，无论是接收机的下混频电路还是发射机的上混频电路，都需要这种本振驱动电路。通常本振驱动电路可以分为基于电流模逻辑电路和基于反相器的驱动电路两大类，在传统工艺中，基于电流模逻辑电路的本振驱动电路具备速度优势，但是在目前130nm以下CMOS工艺成为射频收发器主流工艺的背景下，基于反相器的本振驱动电路的使用已经越来越普遍，这一方面是因为工艺提升之后器件速度不断提高，另一方面是基于反相器的本振驱动电路往往具有摆幅大，功耗低的优势。现有技术的反相器单元增益过高，并且对电源以及地上的共模噪声非常敏感，当电源上噪声超过阈值时会被电路本身放大，从而形成震荡，使得电路失去正常的功能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提供一种基于反相器的本振驱动电路，使得电路工作时能够克服电源和地节点工模噪声的影响，增加电路的鲁棒性和稳定性。本专利技术实施例提供的一种基于反相器的本振驱动电路，包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、第一反相器以及第二反相器，所述第一反相器电连接于所述第一输入端与所述第一输出端之间，所述第二反相器电连接于所述第二输入端与所述第二输出端之间，所述第一输入端与所述第二输出端之间还依次电性连接有第三反相器和第四反相器，所述第二输入端与所述第一输出端之间还依次电性连接有第五反相器和第六反相器。优选的，所述第一反相器包括第一N型MOS晶体管和第一P型MOS晶体管，所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极连接，所述第一输入端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极连接，所述第一N型MOS晶体管的源极与电源连接，所述第一P型MOS晶体管的源极接地。优选的，所述第一反相器还包括第一电容和第一电阻，所述第一电容的一端与所述第一输入端连接，所述第一电容的另一端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一电阻的一端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一电阻的另一端连接于所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极之间。优选的，所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极连接后，与所述第一输出端连接。优选的，所述第二反相器包括第二N型MOS晶体管和第二P型MOS晶体管，所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极连接，所述第二输入端连接于所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极之间，所述第二N型MOS晶体管的漏极和所述第二P型MOS晶体管的漏极连接，所述第二N型MOS晶体管的源极与电源连接，所述第二P型MOS晶体管的源极接地，所述第二N型MOS晶体管的漏极和所述第二P型MOS晶体管的漏极连接后，与所述第二输出端连接。优选的，所述第二反相器还包括第二电容和第二电阻，所述第二电容的一端与所述第二输入端连接，所述第二电容的另一端连接于所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极之间，所述第二电阻的一端连接于所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极之间，所述第二电阻的另一端连接于所述第二N型MOS晶体管的漏极和所述第二P型MOS晶体管的漏极之间。优选的，所述第三反相器包括第三P型MOS晶体管和第七P型MOS晶体管，第三P型MOS晶体管的栅极和漏极均与电源连接，所述第三P型MOS晶体管的源极与所述第七P型MOS晶体管的漏极连接，所述第七P型MOS晶体管的栅极与所述第一输入端连接，所述第七P型MOS晶体管的源极接地。优选的，所述第四反相器包括第四N型MOS晶体管和第四P型MOS晶体管，所述第四N型MOS晶体管的栅极和所述第四P型MOS晶体管的栅极均与所述第三P型MOS晶体管的源极连接，所述第四N型MOS晶体管的漏极和所述第四P型MOS晶体管的漏极连接，所述第二输出端连接于所述第四N型MOS晶体管的漏极和所述第四P型MOS晶体管的漏极之间，所述第四N型MOS晶体管的源极与所述电源连接，所述第四P型MOS晶体管的源极接地。优选的，所述第五反相器包括第五P型MOS晶体管和第八P型MOS晶体管，第五P型MOS晶体管的栅极和漏极均与电源连接，所述第五P型MOS晶体管的源极与所述第八P型MOS晶体管的漏极连接，所述第八P型MOS晶体管的栅极与所述第二输入端连接，所述第八P型MOS晶体管的源极接地。优选的，所述第六反相器包括第六N型MOS晶体管和第六P型MOS晶体管，所述第六N型MOS晶体管的栅极和所述第六P型MOS晶体管的栅极均与所述第五P型MOS晶体管的源极连接，所述第六N型MOS晶体管的漏极和所述第六P型MOS晶体管的漏极连接，所述第一输出端连接于所述第六N型MOS晶体管的漏极和所述第六P型MOS晶体管的漏极之间，所述第六N型MOS晶体管的源极与所述电源连接，所述第六P型MOS晶体管的源极接地。与现有技术相比，本专利技术的基于反相器的本振驱动电路通过在第一输入端与第二输出端之间设置第三反相器和第四反相器，在第二输入端与第一输出端之间设置第五反相器和第六反相器，采用共模噪声抵消的方法，增强了对电源和地的噪声抑制能力，并使其鲁棒性和稳定性得到提高。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术较佳实施例提供的基于反相器的本振驱动电路的原理框图。图2为本专利技术较佳实施例提供的基于反相器的本振驱动电路的结构示意图。图3为噪声值和增益值的函数关系图。主要元件符号说明第一输入端10；第二输入端20；第一输出端30；第二输出端40；第一反相器100；第一N型MOS晶体管101；第一P型MOS晶体管102；第一电容103；第一电阻104；第二反相器200；第二N型MOS晶体管201；第二P型MOS晶体管202；第二电容203；第二电阻204；第三反相器300；第三P型MOS晶体管301；第七P型MOS晶体管302；第四反相器400；第四N型MOS晶体管401；第四P型MOS晶体管402；第五反相器500；第五P型MOS晶体管501；第八P型MOS晶体管502；第六反相器600；第六N型MOS晶体管601；第六P型MOS晶体管602。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、第一反相器以及第二反相器，所述第一反相器电连接于所述第一输入端与所述第一输出端之间，所述第二反相器电连接于所述第二输入端与所述第二输出端之间，所述第一输入端与所述第二输出端之间还依次电性连接有第三反相器和第四反相器，所述第二输入端与所述第一输出端之间还依次电性连接有第五反相器和第六反相器。

【技术特征摘要】
1.一种基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端、第一反相器以及第二反相器，所述第一反相器电连接于所述第一输入端与所述第一输出端之间，所述第二反相器电连接于所述第二输入端与所述第二输出端之间，所述第一输入端与所述第二输出端之间还依次电性连接有第三反相器和第四反相器，所述第二输入端与所述第一输出端之间还依次电性连接有第五反相器和第六反相器。2.根据权利要求1所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第一反相器包括第一N型MOS晶体管和第一P型MOS晶体管，所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极连接，所述第一输入端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极连接，所述第一N型MOS晶体管的源极与电源连接，所述第一P型MOS晶体管的源极接地。3.根据权利要求2所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第一反相器还包括第一电容和第一电阻，所述第一电容的一端与所述第一输入端连接，所述第一电容的另一端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一电阻的一端连接于所述第一N型MOS晶体管的栅极和所述第一P型MOS晶体管的栅极之间，所述第一电阻的另一端连接于所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极之间。4.根据权利要求2所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第一N型MOS晶体管的漏极和所述第一P型MOS晶体管的漏极连接后，与所述第一输出端连接。5.根据权利要求1所述的基于反相器的本振驱动电路，其特征在于，所述第二反相器包括第二N型MOS晶体管和第二P型MOS晶体管，所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极连接，所述第二输入端连接于所述第二N型MOS晶体管的栅极和所述第二P型MOS晶体管的栅极之间，所述第二N型MOS晶体管的漏极和所述第二P型MOS晶体管的漏极连接，所述第二N型MOS晶体管的源极与电源连接，所述第二P型MOS晶体管的源极接地，所述第二N型MOS晶体管的漏极和所述第二P型MOS晶体管的漏极连接后，与所述第二输出端连接。6.根据权利要求5所述的基于反相器的本振驱动电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：张君志，
申请(专利权)人：深圳市蓝狮微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44