一种高兼容性的双塔放供电电路制造技术

本实用新型专利技术所设计的一种高兼容性的双塔放供电电路，包括：场效应管、三极管、处理器控制电路；场效应管，其所有源极端相互连接，且分别连接第一供电输入端、第二供电输入端及测试供电输入端；其所有漏极端相互连接，且分别连接第一供电输出端和第二供电输出端；其中，其源极端和栅极端接地；三极管，其基极端连接处理器控制电路的输出端，用于接收处理器控制电路的控制信号；其基极端还连接测试供电输入端；其发射极端接地；其集电极端连接场效应管的源极端。本实用新型专利技术得到的高兼容性的双塔放供电电路,无需更换供电系统，该供电电路可根据接收的信号自行切换，这些技术的特点是结构简单，成本低，实用效果明显。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及供放电
，尤其是涉及一种高兼容性的双塔放供电电路。
技术介绍
目前，通信设备(例如基站等)的供电系统是保证设备正常运转的重要基础之一，随着通信设备的快速发展，对于各种设备型号、各种运行工况分别具有与其配套的供电系统保证其正常工作运转。但是这种供电系统只能提供通信设备在一种模式下的工作电压，无法保证通信设备在切换工况时，需要更换另外一套供电系统，十分繁琐。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述现有技术中供电系统不兼容的问题，提供一种高兼容性的双塔放供电电路。为了实现上述目的，本技术所设计的一种高兼容性的双塔放供电电路，包括:具有至少一个源极端及至少一个漏极端的场效应管、三极管、处理器控制电路；所述场效应管，其所有源极端相互连接，且分别连接第一供电输入端、第二供电输入端及测试供电输入端；其所有漏极端相互连接，且分别连接第一供电输出端和第二供电输出端；其中，其源极端和栅极端接地；所述三极管，其基极端连接所述处理器控制电路的输出端，用于接收所述处理器控制电路的控制信号；其基极端还连接所述测试供电输入端；其发射极端接地；其集电极端连接所述场效应管的源极端。优选地，所述第一供电输入端与所述场效应管的源极端之间正接有第一二极管；和/或，所述第二供电输入端与所述场效应管的源极端之间正接有第二二极管；所述第一供电输出端与所述场效应管的漏极端之间正接有第三二极管；和/或，所述第二供电输出端与所述场效应管的漏极端之间正接有第四二极管。优选地，所述场效应管的源极端连接有接地的滤波电容。优选地，所述场效应管的源极端依次通过第一电阻和第二电阻接地；所述场效应管的栅极端依次通过第三电阻和第二电阻接地。优选地，所述场效应管的漏极端连接有下拉电阻。优选地，所述三极管的集电极端与所述场效应管的源极端之间连接有第四电阻。优选地，所述测试供电输入端与所述三极管的基极端之间通过第五电阻连接。优选地，所述三极管的发射极端与其基极端通过第六电阻连接。优选地，所述处理器控制电路的输出端与所述三极管的基极端之间通过第七电阻连接。优选地，所述场效应管的型号为IRF7240 ;和/或，所述三极管为NPN型三极管。本技术得到的一种高兼容性的双塔放供电电路，通过场效应管和三极管的配合控制实现提供给通信设备各工况下的供电，无需更换供电系统，该供电电路可根据接收的信号自行切换，这些技术的特点是结构简单，成本低，实用效果明显。【附图说明】图1是实施例的电路结构示意图。图2是实施例的IRF7240芯片的结构示意图。图3是实施例的工作模式切换的流程示意图。图中:部件名称编号，场效应管U1、场效应管U1的源极端S、漏极端D、栅极端G ;三极管U2，三极管U2的发射极端E、基极端B、集电极端C ;第一供电输入端NodeBO、第二供电输入端NodeBl、测试供电输入端RET、处理器控制电路的输出端DC_SWITCH、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、滤波电容C1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、下拉电阻R4、第四电阻R5、第五电阻R6、第六电阻R7、第七电阻R8。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。实施例:如图1和图2所示，本技术所设计的一种高兼容性的双塔放供电电路，包括:具有至少一个源极端S及至少一个漏极端D的场效应管U1、三极管U2、处理器控制电路；所述场效应管U1，其所有源极端S相互连接，且分别连接第一供电输入端NodeBO、第二供电输入端NodeBl及测试供电输入端RET ;其所有漏极端D相互连接，且分别连接第一供电输出端和第二供电输出端；其中，其源极端S和栅极端G接地；所述三极管，其基极端B连接所述处理器控制电路的输出端DC_SWITCH，用于接收所述处理器控制电路的控制信号；其基极端B还连接所述测试供电输入端RET ;其发射极端E接地；其集电极端C连接所述场效应管U1的源极端S。本技术得到的一种高兼容性的双塔放供电电路，通过场效应管和三极管的配合控制实现提供给通信设备各工况下的供电，无需更换供电系统，该供电电路可根据接收的信号自行切换，这些技术的特点是结构简单，成本低，实用效果明显。在一些说明性实施例中，所述第一供电输入端NodeBO与所述场效应管U1的源极端S之间正接有第一二极管D1 ;和/或，所述第二供电输入端NodeBl与所述场效应管U1的源极端S之间正接有第二二极管D2 ;所述第一供电输出端与所述场效应管U1的漏极端D之间正接有第三二极管D3 ;和/或，所述第二供电输出端与所述场效应管U1的漏极端D之间正接有第四二极管D4。在一些说明性实施例中，所述场效应管U1的源极端S连接有接地的滤波电容C1。在一些说明性实施例中，所述场效应管U1的源极端S依次通过第一电阻R1和第二电阻R2接地；所述场效应管U1的栅极端G依次通过第三电阻R3和第二电阻R2接地。在一些说明性实施例中，所述场效应管U1的漏极端D连接有下拉电阻R4。在一些说明性实施例中，所述三极管的集电极端C与所述场效应管U1的源极端S之间连接有第四电阻R5。在一些说明性实施例中，所述测试供电输入端RET与所述三极管的基极端B之间通过第五电阻R6连接。在一些说明性实施例中，所述三极管的发射极端E与其基极端B通过第六电阻R7连接。在一些说明性实施例中，所述处理器控制电路的输出端DC_SWITCH与所述三极管的基极端B之间通过第七电阻R8连接。在一些说明性实施例中，所述场效应管U1的型号为IRF7240 ;和/或，所述三极管为NPN型三极管。在此对本技术的说明性实施例的工作原理进行简要说明:放供电电路具有以下四种模式:测试模式、CWA供电模式、AISG电源互助模式、AISG独立供电模式；参照图1，①、当电源从一路NodeB (NodeBO或NodeBl) 口输入时，若处于CWA工作状态，MCU输出低电平信号0，控制位断开PM0S，此时只有一路有电，处于CWA供电模式、当电源从一路NodeB 口输入时，若处于AISG建连工作状态，MCU输出高电平信号1，控制位打开PM0S，此时两路均有电，处于AISG电源互助供电模式；③、当电源从RET口输入时，不管此时TMA处于何种工作状态，不管MCU控制位打开或关闭PM0S，此时两路均有电，处于测试模式、当电源从两路NodeB 口输入时，若处于AISG建连工作状态，MCU控制位虽然打开PM0S，但仍处于AISG独立电源模式。其中，上述模式间切换遵从图3所示出的转换关系。该电路兼容多种供电模式，既可以任意端口单端口供电，也支持双端口同时供电，另外为了方便生产，还支持RET端口的测试模式供电。可以避免传统塔放对端口供电的特定要求而限制安装和使用的自由性。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，其架构形式能够灵活多变，只是做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。【主权项】1.一种高兼容性的双塔放供电电路，其特征在于，包括:具有至少一个源极端(S)及至少一个漏极端(D)的场效应管(U1)、三极管(U2)、处理器控制电路； 所述场效应管(U1)，其所有源极端(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高兼容性的双塔放供电电路，其特征在于，包括：具有至少一个源极端（S）及至少一个漏极端（D）的场效应管（U1）、三极管（U2）、处理器控制电路；所述场效应管（U1），其所有源极端（S）相互连接，且分别连接第一供电输入端（NodeB0）、第二供电输入端（NodeB1）及测试供电输入端（RET）；其所有漏极端（D）相互连接，且分别连接第一供电输出端和第二供电输出端；其中，其源极端（S）和栅极端（G）接地；所述三极管，其基极端（B）连接所述处理器控制电路的输出端（DC_SWITCH），用于接收所述处理器控制电路的控制信号；其基极端（B）还连接所述测试供电输入端（RET）；其发射极端（E）接地；其集电极端（C）连接所述场效应管（U1）的源极端（S）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟生，郑子树，王小亮，蒋志伟，
申请(专利权)人：东莞迈特通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44