施密特触发电路制造技术

本发明专利技术公开了一种施密特触发电路，该电路包括由MOS管构成的反相电路和反馈电路；所述反相电路，用于通过其反转电压决定触发器的负向阈值电压；所述反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变正向阈值电压。本发明专利技术使用最少的MOS管个数，能够通过反馈MOS管对单向阈值电压进行调节，节省芯片面积，实用性大大提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS集成电路领域，具体涉及一种施密特触发电路。
技术介绍
一般单限比较器电路只有一个阈值电压，在输入电压逐渐增大高于阈值电压或者逐渐减小低于阈值电压时，输出电压产生跃变，迟滞比较器将阈值电压分离，产生高低两个电平不同的阈值电压，施密特触发器同迟滞比较器一样相比普通单阈值电压门电路有两个不同的阈值电平。施密特触发器输入电压由低升高到Vth+时输出端电平翻转，Vth+称为正向阈值电压，输入电压从高降低至Vth-时输出电平再次翻转，Vth-称为负向阈值电压，阈值电压差称为迟滞电压。由于迟滞电压的作用施密特触发器拥有广泛的用途，在小信号方面具备一定的抗干扰能力，可有效滤除杂波，在大信号方面可对波形进行整形变换，制作时钟信号源。施密特触发器实现方式有多种，比如通过在比较器中引入正反馈，引入参考电压和反馈电阻来确定阈值电压，或者通过两个倒相器级联并通过MOS管作为反馈来实现，还有运用交叉互补对改变差分放大器负载匹配构成施密特触发电路，他们都有一个缺点那就是MOS管数量较多。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种施密特触发电路。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供一种施密特触发电路，该电路包括由MOS管构成的反相电路和反馈电路；所述反相电路，用于通过其反转电压决定触发器的负向阈值电压；所述反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变正向阈值电压。上述方案中，该电路包括由第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成的反相电路、第三NMOS管构成的反馈回路；所述反相电路的第一PMOS管的源极接电源，栅极接输入信号，漏极与第一NMOS管漏极连接同时作为输出端口；所述反相电路的第一个NMOS管的栅极接输入信号，源极与第二NMOS管的漏极连接，漏极与第一PMOS管的漏极连接同时作为输出端口；所述反相电路的第二个NMOS管的栅极接输入信号，源极接地，漏极与第一NMOS管的源极和第三个NMOS管的源极连接；所述反馈回路的第三NMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接，漏极接电源，源极与第一NMOS管的源极和第二NMOS管的漏极连接。本专利技术实施例还提供一种施密特触发电路，该电路包括由MOS管构成的倒相电路和反馈电路；所述倒相电路，用于通过其反转电压决定触发器的正向阈值电压；所述反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变负向阈值电压。上述方案中，该电路包括由第二PMOS管、第三PMOS管和第四NMOS组成的倒相电路、第四PMOS管构成的反馈回路：所述倒相电路的第二PMOS管的源极接电源，栅极接输入信号，漏极接第三PMOS管的源极；所述倒相电路的第三PMOS的管栅极接输入信号，源极与第二PMOS管的漏极连接，漏极与第四NMOS管的漏极连接同时作为输出端口；所述倒相电路的第四NMOS管的栅极接输入信号，源极接地，漏极与第三PMOS管的漏极连接同时作为输出端口；所述反馈回路的第四PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极连接，漏极接地，源极与第二PMOS管的漏极和第三PMOS管的源极连接。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：本专利技术使用最少的MOS管个数，能够通过反馈MOS管对单向阈值电压进行调节，节省芯片面积，实用性大大提高。附图说明图1为本专利技术实施例1提供一种施密特触发电路的电路图；图2为本专利技术实施例1提供一种施密特触发电路对应的电压传输特性曲线；图3为本专利技术实施例2提供一种施密特触发电路的电路图；图4为本专利技术实施例2提供一种施密特触发电路对应的电压传输特性曲线。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例提供一种施密特触发电路，该电路包括由MOS管构成的反相电路和反馈电路；所述反相电路，用于通过其反转电压决定触发器的负向阈值电压；所述反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变正向阈值电压。进一步地，该电路包括由第一PMOS管1、第一NMOS管2和第二NMOS管3管组成的反相电路、第三NMOS管4构成的反馈回路；所述反相电路的第一PMOS管1的源极接电源，栅极接输入信号，漏极与第一NMOS管2漏极连接同时作为输出端口；所述反相电路的第一个NMOS管2的栅极接输入信号，源极与第二NMOS管3的漏极连接，漏极与第一PMOS管1的漏极连接同时作为输出端口；所述反相电路的第二个NMOS管3的栅极接输入信号，源极接地，漏极与第一NMOS管2的源极和第三个NMOS管4的源极连接；所述反馈回路的第三NMOS管4的栅极与第一PMOS管1的漏极和第一NMOS管2的漏极连接，漏极接电源，源极与第一NMOS管2的源极和第二NMOS管3的漏极连接。本专利技术实施例还提供一种施密特触发电路，该电路包括由MOS管构成的倒相电路和反馈电路；所述倒相电路，用于通过其反转电压决定触发器的正向阈值电压；所述反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变负向阈值电压。进一步地，该电路包括由第二PMOS管5、第三PMOS管6和第四NMOS管7组成的倒相电路、第四PMOS管8构成的反馈回路：所述倒相电路的第二PMOS管5的源极接电源，栅极接输入信号，漏极接第三PMOS管6的源极；所述倒相电路的第三PMOS管6的管栅极接输入信号，源极与第二PMOS管5的漏极连接，漏极与第四NMOS管7的漏极连接同时作为输出端口；所述倒相电路的第四NMOS管7的栅极接输入信号，源极接地，漏极与第三PMOS管6的漏极连接同时作为输出端口；所述反馈回路的第四PMOS管8的栅极与第三PMOS管6的漏极和第四NMOS管7的漏极连接，漏极接地，源极与第二PMOS管5的漏极和第三PMOS管6的源极连接。实施例1本专利技术实施例提供一种施密特触发电路，如图1、2所示，该电路由三个NMOS管与一个PMOS管，具体为第一PMOS管1、第一NMOS管2、第二NMOS管3、第三NMOS管4：所述第一PMOS管1的栅极接输入信号IN，源极接电源VCC，漏极接所述第一NMOS管2的漏极；所述第一NMOS管2的栅极接输入信号IN，漏极接第一PMOS管1的漏极，源极接所述第二NMOS管3的漏极；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种施密特触发电路，其特征在于，该电路包括由MOS管构成的反相电路和反馈电路；所述反相电路，用于通过其反转电压决定触发器的负向阈值电压；所述反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变正向阈值电压。

【技术特征摘要】
1.一种施密特触发电路，其特征在于，该电路包括由MOS管构成的反相
电路和反馈电路；
所述反相电路，用于通过其反转电压决定触发器的负向阈值电压；
所述反馈电路，用于通过改变MOS管的宽长比改变正向阈值电压。
2.根据权利要求1所述的施密特触发电路，其特征在于，该电路包括由
第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成的反相电路、第三NMOS
管构成的反馈回路；
所述反相电路的第一PMOS管的源极接电源，栅极接输入信号，漏极与第
一NMOS管漏极连接同时作为输出端口；
所述反相电路的第一个NMOS管的栅极接输入信号，源极与第二NMOS
管的漏极连接，漏极与第一PMOS管的漏极连接同时作为输出端口；
所述反相电路的第二个NMOS管的栅极接输入信号，源极接地，漏极与
第一NMOS管的源极和第三个NMOS管的源极连接；
所述反馈回路的第三NMOS管的栅极与第一PMOS管的漏极和第一
NMOS管的漏极连接，漏极接电源，源极与第一NMOS管的源极和第二NMOS
管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶东，谢正开，程春云，梁盛林，张波，毕磊，毕超，
申请(专利权)人：峰岹科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44