晶圆处理设备制造技术

本申请实施例公开了一种晶圆处理设备。其中，晶圆处理设备包括：箱体和液体引流组件，所述箱体用于容置液体，所述箱体内具有多个晶圆安放位，所述晶圆安放位用于安放晶圆；所述液体引流组件设置于所述箱体，用于驱动所述箱体内的所述液体流动以利用流动的所述液体冲刷所述晶圆表面。通过液体引流组件驱动液体流动，一方面，液体在流动中对晶圆进行蚀刻或清洗，另一方面，整个箱体内的液体是流动的，箱体内各处的液体混合较均匀，能够提高晶圆蚀刻或清洗的均匀性。清洗的均匀性。清洗的均匀性。

wafer processing equipment

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆处理设备。

技术介绍

[0002]在半导体器件的生产过程中，需要对晶圆进行多道复杂的处理工序，包括刻蚀、曝光、清洗等。
[0003]相关技术中，在一些对晶圆进行清洗或蚀刻的工艺制程中，通过清洗液或蚀刻液浸泡晶圆，对晶圆进行蚀刻或清洗时，容易造成晶圆表面各处的处理效率不一致的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种晶圆处理设备，能够有效提高晶圆蚀刻或清洗的均匀性。技术方案如下：
[0005]本申请实施例提供了一种晶圆处理设备，包括：
[0006]箱体，所述箱体用于容置液体，所述箱体内具有多个晶圆安放位，所述晶圆安放位用于安放晶圆；
[0007]液体引流组件，设置于所述箱体，用于驱动所述箱体内的所述液体流动以利用流动的所述液体冲刷所述晶圆表面。
[0008]本申请实施例的晶圆处理设备，通过晶圆安放位安放待处理的晶圆，使晶圆竖直立于箱体内，向箱体内注入液体浸没晶圆，可以注入不同的液体，选择对晶圆进行蚀刻或清洗操作；同时，设置了多个晶圆安放位，可以一次性对多个晶圆同时进行处理，提高晶圆处理效率；另外，设置液体引流组件驱动液体流动，一方面，液体在流动中对晶圆进行蚀刻或清洗，另一方面，整个箱体内的液体是流动的，箱体内各处的液体混合较均匀，能够提高晶圆蚀刻或清洗的均匀性。
[0009]在其中一些实施例中，所述液体引流组件包括多个喷头，多个所述喷头安装于所述箱体的内侧且对应多个所述晶圆安放位环设，用于驱动所述液体流动。
[0010]在其中一些实施例中，多个所述晶圆安放位按照预设方向排列，所述液体引流组件的多个所述喷头绕所述预设方向为轴环绕设置在所述晶圆安放位的周侧；
[0011]所述箱体包括底板和连接所述底板的侧板，所述侧板连接所述底板四周并与所述底板围成容置所述液体的容纳空间，所述喷头安装于所述侧板或所述底板，用于驱动所述液体流动。
[0012]在其中一些实施例中，所述喷头固定于所述底板或所述侧板上，所述喷头配置为喷射方向相对所述底板或所述侧板倾斜。
[0013]在其中一些实施例中，所述喷头转动安装于所述底板或所述侧板上，所述晶圆处理设备还包括驱动组件，所述驱动组件安装于所述箱体，且与所述喷头连接用于驱动所述喷头转动。
[0014]在其中一些实施例中，所述喷头包括安装端和喷射端，所述安装端安装于所述箱
体，同一所述液体引流组件中的其中一所述喷头的所述安装端与另一所述喷头的所述喷射端之间的距离小于两个所述喷头的所述安装端之间的距离。
[0015]在其中一些实施例中，所述驱动组件包括电机，所述喷头的所述安装端通过转动轴转动安装于所述箱体内，所述电机的输出轴与所述喷头的转动轴连接以通过所述转动轴带动所述喷头转动。
[0016]在其中一些实施例中，所述喷头通过球头连接件转动安装于所述侧板或所述底板，所述驱动组件包括第一伸缩件和第二伸缩件，所述第一伸缩件的一端和所述第二伸缩件的一端均安装于所述箱体，所述第一伸缩件的另一端和所述第二伸缩件的另一端均与所述喷头连接，所述第一伸缩件和所述第二伸缩件均通过伸缩驱动所述喷头转动。
[0017]在其中一些实施例中，所述晶圆处理设备还包括连杆，所述连杆的长度方向与所述转动轴的长度方向平行，所述连杆连接多个所述喷头，所述驱动组件通过所述连杆带动相连的多个所述喷头同步转动。
[0018]在其中一些实施例中，所述液体引流组件还包括：
[0019]液泵，安放于所述箱体或外置储液箱内，用于抽吸所述箱体内或所述储液箱内的液体；
[0020]导液管，所述导液管连接所述液泵和所述喷头，以将所述液泵抽吸的液体引导至所述喷头。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本申请实施例一提供的晶圆处理设备的侧视剖面图；
[0023]图2是本申请实施例二提供的晶圆处理设备的俯视剖面图；
[0024]图3是本申请实施例三提供的晶圆处理设备的侧视剖面图；
[0025]图4是本申请实施例四提供的晶圆处理设备的侧视剖面图；
[0026]图5是本申请实施例三提供的晶圆处理设备的俯视剖面图；
[0027]图6是本申请实施例四提供的晶圆处理设备的俯视剖面图。
[0028]附图标记：100、箱体；101、晶圆安放位；102、底板；103、侧板；200、液体引流组件；210、喷头；211、安装端；212、喷射端；300、驱动组件；310、电机；320、第一伸缩件；330、第二伸缩件；400、转动轴；500、球头连接件；600、连杆。
具体实施方式
[0029]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施例方式作进一步地详细描述。
[0030]下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法
的例子。
[0031]参见图1－图6，本申请实施例提供了一种晶圆处理设备，包括箱体100和液体引流组件200。
[0032]箱体100用于容置液体，箱体100内具有多个晶圆安放位101，晶圆安放位101用于安放晶圆，液体引流组件200设置于箱体100，用于驱动箱体100内的液体流动以利用流动的液体冲刷晶圆表面。
[0033]本申请实施例的晶圆处理设备，通过晶圆安放位101安放待处理的晶圆，使晶圆竖直立于箱体100内，向箱体100内注入液体浸没晶圆，可以注入不同的液体，选择对晶圆进行蚀刻或清洗操作；同时，设置了多个晶圆安放位101，可以一次性对多个晶圆同时进行处理，提高晶圆处理效率；另外，设置液体引流组件200驱动液体流动，一方面，液体在流动中对晶圆进行蚀刻或清洗，另一方面，整个箱体100内的液体是流动的，箱体100内各处的液体混合较均匀，能够提高晶圆蚀刻或清洗的均匀性。
[0034]具体地，晶圆包括但不限于半导体材料制成的晶片，可以是带有半成品器件或布线的硅片，也可以是未经过处理的单晶硅片。晶圆竖直放置于晶圆安放位101，或使晶圆的表面与水平面成第一角度，第一角度可以大于0且小于90度，即倾斜放置。当晶圆为圆形片状结构时，所有晶圆同轴间隔放置于箱体100内，是箱体100内容纳最多晶圆数量、最节省空间的一种放置方式。
[0035]此外，晶圆安放位101可以包括支撑件，通过支撑晶圆的侧边缘上的若干个支撑点，使晶圆的表面暴露在环境中，不与晶圆放置位接触。晶圆安放位1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括：箱体，所述箱体用于容置液体，所述箱体内具有多个晶圆安放位，所述晶圆安放位用于安放晶圆；液体引流组件，设置于所述箱体，用于驱动所述箱体内的所述液体流动以利用流动的所述液体冲刷所述晶圆表面。2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述液体引流组件包括多个喷头，多个所述喷头安装于所述箱体的内侧且对应多个所述晶圆安放位环设，用于驱动所述液体流动。3.根据权利要求2所述的晶圆处理设备，其特征在于，多个所述晶圆安放位按照预设方向排列，所述液体引流组件的多个所述喷头绕所述预设方向为轴环绕设置在所述晶圆安放位的周侧；所述箱体包括底板和连接所述底板的侧板，所述侧板连接所述底板四周并与所述底板围成容置所述液体的容纳空间，所述喷头安装于所述侧板或所述底板，用于驱动所述液体流动。4.根据权利要求3所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述喷头固定于所述底板或所述侧板上，所述喷头配置为喷射方向相对所述底板或所述侧板倾斜。5.根据权利要求3所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述喷头转动安装于所述底板或所述侧板上，所述晶圆处理设备还包括驱动组件，所述驱动组件安装于所述箱体，且与所述喷头连接用于驱动所述喷头转动。6.根据权利要求5所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述喷头包括安装端和喷射端，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明，张丝柳，白靖宇，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：