带电压限制装置的晶体管电路及基极-发射极电阻的应用制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种具有至少一个晶体管（２）及一个限制晶体管的集电极－发射极电压的电压限制装置（３）的晶体管电路（１），其中该电压限制装置（３）具有一个配置给晶体管（２）的基极－发射极电阻（４），该电阻的电阻值根据晶体管（２）的集电极－发射极区段的预选择的击穿电压来确定。此外本发明专利技术涉及具有该晶体管电路（１）的点火装置及涉及基极－发射极电阻（４）应用于：借助击穿电压实现晶体管（２）的集电极－发射极区段的电压限制或影响晶体管（２）的集电极－发射极区段的击穿电压。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有至少一个晶体管及一个限制晶体管的集电极-发射极电压的电压限制装置的晶体管电路，具有晶体管电路的机动车点火装置，及具有至少一个晶体管的晶体管电路的基极-发射极电阻的应用。
技术介绍
在使用晶体管时经常需要限制晶体管的集电极-发射极电压，以便保护晶体管本身以及与晶体管相连接的电负载以免过电压或电压尖峰。为了限制集电极-发射极电压由现有技术公知了许多可能性。例如对此可参考DE 32 27 536 A1及EP 0 551 293 B1。在公知的方案中共同的是使晶体管的集电极-发射极电压限制在低于其击穿电压的值上。因此在通过电压限制产生的最大电压与击穿电压之间设有一个安全间隔。
技术实现思路
在具有至少一个晶体管及一个限制晶体管的集电极-发射极电压的电压限制装置的晶体管电路中，根据本专利技术，该电压限制装置具有一个配置给晶体管的基极-发射极电阻，该电阻的电阻值根据晶体管的集电极-发射极区段的预选择的击穿电压来确定。由此给出了一种可能性，利用晶体管的内部的电压击穿来用于电压限制，并同时保持一个窄的容差带，被限制电压的最大值应位于该容差带中。因为现在晶体管的击穿电压用来限制电压，本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有至少一个晶体管及一个限制该晶体管的集电极－发射极电压的电压限制装置的晶体管电路，其特征在于：该电压限制装置（３）具有一个配置给该晶体管（２）的基极－发射极电阻（４），该电阻的电阻值根据晶体管（２）的集电极－发射极区段的一个预选择的击穿电压来确定。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：彼得夫洛赫尔斯，哈特穆特米歇尔，
申请(专利权)人：罗伯特博施有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]