半桥式驱动装置制造方法及图纸

一种半桥式驱动装置包括有：一推挽式控制芯片，输出占空比小于５０％的第一控制讯号与第二控制讯号；一驱动电路耦接于该推挽式控制芯片与一直流电源，接受该第一控制讯号与该第二控制讯号；以及由二个Ｎ通道场效晶体管组成的半桥式开关元件，该半桥式开关元件耦接于该直流电源、该驱动电路及一变压器，该半桥式开关元件受控于该驱动电路，用以将该直流电源切换为该交流电源，传送至该变压器的一次侧。本实用新型专利技术可以搭配使用推挽式控制芯片进行控制，在实用上更具有弹性，且不会受限于控制芯片。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半桥式驱动装置，连接于一变压器的一次侧与一直流电源，其特征在于，包括有：一第一光耦合开关，接收一第一控制讯号；一第一ＮＰＮ晶体管，其集极端耦接于该第一光耦合开关的第一输出端，其基极端耦接于该第一光耦合开关的第二输出端；　 　一第一ＰＮＰ晶体管，其基极端与射极端分别耦接于该第一ＮＰＮ晶体管的基极端与射极端，其集极端耦接于该一变压器的一次侧；一第一电阻，耦接于该第一ＰＮＰ晶体管的基极端与集极端之间；一第一电容，耦接于该第一ＮＰＮ晶体管的集极端 与该第一ＰＮＰ晶体管的集极端之间；一二极管，其阴极端耦接于该第一ＮＰＮ晶体管的集极端，阳极端耦接于一控制电源；一第二光耦合开关，接收一第二控制讯号，其第一输出端通过一第二电阻耦接于该控制电源，第二输出端耦接到一参考端；　 　一第二ＰＮＰ晶体管，其射极端耦接于该控制电源，其基极端通过一第三电阻耦接于该第二光耦合开关的第一输出端；一第二ＮＰＮ晶体管，其基极端通过一第四电阻耦接于该第二光耦合开关的第一输出端以及通过一第五电阻耦接于该参考端，其射极端耦接于该 参考端，其集极端耦接于该第二ＰＮＰ晶体管的集极端；一第一Ｎ通道场效晶体管，其栅极端耦接于该第一ＰＮＰ晶体管的射极端，其漏极端耦接于该直流电源，其源极端耦接于该变压器的一次侧；及一第二Ｎ通道场效晶体管，其栅极端耦接于该第二ＰＮ Ｐ晶体管的集极端，其漏极端耦接于该第一Ｎ通道场效晶体管的源极端，该第二Ｎ通道场效晶体管的源极耦接到该参考端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振刚，王政雄，
申请(专利权)人：联昌电子企业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]