推挽式芯片翻转半桥磁阻开关制造技术

本发明专利技术涉及一种推挽式半桥磁阻开关。该磁阻开关包括两个磁传感芯片，每个磁传感芯片具有一个磁感应电阻器以及磁感应电阻器的电气连接焊盘，其特征在于，所述两个磁传感芯片电气互连，二者感应方向反平行，构成推挽式半桥电路，所述磁感应电阻器包括一个或多个串联连接的磁电阻元件，所述磁感应电阻器的焊盘位于所述磁传感芯片的相邻边，且每一焊盘能够容纳至少两个焊线的焊接。根据本发明专利技术的磁阻开关能提高传感器的灵敏度，减小输出电压的偏差以及输出电压随温度的漂移，有利于减小开关传感器的体积并且提高开关传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】
推挽式芯片翻转半桥磁阻开关
本专利技术涉及一种在单一封装中含多个芯片的磁阻传感器产品。更具体地，本专利技术涉及一种推挽式芯片翻转半桥磁阻开关。
技术介绍
磁性开关传感器广泛用于消费电子、白色家电、三表（电表、水表、气表）、汽车以及工业应用等领域。目前主流的磁性开关传感器有霍尔传感器和各向异性磁阻（AMR）传感器。在消费电子和三表应用领域，霍尔开关传感器和AMR开关传感器的功耗可达几微安，这是牺牲其工作频率的情况下获得的，其工作频率为十几赫兹，其开关点为几十高斯；在汽车、工业应用等需要高工作频率的环境，霍尔开关传感器和AMR开关传感器的功耗为毫安级，其工作频率为千赫兹级。以磁性隧道结（MTJ）元件为敏感元件的传感器是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，它利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应，主要表现在磁性多层膜材料中随着外磁场大小和方向的变化，磁性多层膜的电阻发生明显变化。在消费电子和三表等低功耗应用领域，以MTJ元件为敏感元件的开关传感器在工作频率为千赫兹时的功耗为微安级，开关点为十几高斯；在汽车、工业应用等需要高工作频率的环境，以MTJ元件为敏感元件的开关传感器的工作频率可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种推挽式半桥磁阻开关，包括两个磁传感芯片，每个磁传感芯片具有一个磁感应电阻器以及磁感应电阻器的电气连接焊盘，其特征在于：所述两个磁传感芯片电气互连，二者感应方向反平行，构成推挽式半桥电路，所述磁感应电阻器包括一个或多个串联连接的磁电阻元件，所述磁感应电阻器的焊盘位于所述磁传感芯片的相邻边，且每一焊盘能够容纳至少两个焊线的焊接。

【技术特征摘要】
1.一种推挽式半桥磁阻开关，包括两个磁传感芯片，每个磁传感芯片具有一个磁感应电阻器以及磁感应电阻器的电气连接焊盘，其特征在于：所述两个磁传感芯片电气互连，钉扎层的磁化矢量相对彼此旋转180度以使二者感应方向反平行，构成推挽式半桥电路，其中，两个磁传感芯片被布置为感应轴方向相同但感应方向相反，并且感应轴的方向与两个磁传感芯片中心之间的连线平行或垂直，所述磁感应电阻器包括一个或多个串联连接的磁电阻元件，所述磁感应电阻器的焊盘位于其所在磁传感芯片的相邻边，且每一焊盘被拉长能够容纳至少两个焊线的焊接。2.根据权利要求1所述的推挽式半桥磁阻开关，其特征在于：该开关还包括至少一个用于将所述推挽式半桥电路的输出信号转换成开关信号的ASIC。3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：白建民，沈卫锋，雷啸风，张小军，钟小军，
申请(专利权)人：江苏多维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32