【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年4月29在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0060724的优先权，其公开内容以引用的方式并入本文。
本公开涉及磁阻芯片封装件，并且具体涉及一种包括屏蔽结构的磁阻芯片封装件。
技术介绍
对于半导体封装件所期望的是在具有高容量数据处理能力的同时减小其尺寸。对用于半导体封装件的芯片的操作速度和集成度的增加有强烈的需求。为了满足这样的需求，已经提出了磁阻芯片(例如，磁阻随机存取存储器或磁性随机存取存储器(MRAM))，其通过利用由磁性材料的极性改变所引起的电阻改变来实现存储器功能。由于磁阻芯片具有这样的风险，即，由于外部磁场所引起的磁性材料的极性改变而导致所存储的信息丢失，因此包括磁阻芯片的封装件(即，磁阻芯片封装件)需要能够实质上减小外部磁场对磁阻芯片封装件的影响的屏蔽结构。
技术实现思路
本专利技术构思提供一种包括屏蔽结构的磁阻芯片封装件，所述屏蔽结构能够减小封装件的厚度并增加屏蔽面积。在一个实施例中，一种磁阻芯片封装件包括：电路板；屏蔽体，其布置在电路板上，所述屏蔽体包括屏蔽基底部件和从屏蔽基底部件的一侧延伸...
【技术保护点】
一种磁阻芯片封装件，包括：电路板；屏蔽体，其包括位于电路板上的屏蔽基底部件和从屏蔽基底部件的一侧延伸的屏蔽中间部件；磁阻芯片，其位于屏蔽基底部件上；内部连接部件，其将磁阻芯片电连接至电路板；包封部件，其包封电路板上的磁阻芯片；以及屏蔽盖，其位于屏蔽中间部件上和包封部件上。
【技术特征摘要】
2015.04.29 KR 10-2015-0060724;2016.04.27 US 15/1401.一种磁阻芯片封装件，包括：电路板；屏蔽体，其包括位于电路板上的屏蔽基底部件和从屏蔽基底部件的一侧延伸的屏蔽中间部件；磁阻芯片，其位于屏蔽基底部件上；内部连接部件，其将磁阻芯片电连接至电路板；包封部件，其包封电路板上的磁阻芯片；以及屏蔽盖，其位于屏蔽中间部件上和包封部件上。2.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽基底部件设置在电路板的一部分上。3.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽中间部件包括位于屏蔽基底部件一侧上的彼此分离的多个柱状物。4.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽中间部件包括实质上完全沿着屏蔽基底部件的一侧延伸的单个连续壁。5.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，磁阻单元阵列仅设置在磁阻芯片的一部分上，并且屏蔽基底部件和屏蔽盖分别位于磁阻单元阵列的下方和上方。6.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽基底部件与屏蔽中间部件一体化形成。7.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽中间部件的上表面高于磁阻芯片的上表面。8.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽中间部件的上表面接触屏蔽盖的下表面。9.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽盖通过进一步延伸超过屏蔽基底部件和屏蔽中间部件的边缘部分而实质上设置在电路板的整个区域上。10.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽基底部件、屏蔽中间部件和屏蔽盖构成用于保护磁阻芯片的磁阻单元阵列的屏蔽结构，其中，该屏蔽结构为单层磁性材料层或者为复合层，在复合层中顺序地堆叠了多个磁性材料层和多个非磁性材料层。11.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，还包括粘合剂层，所述粘合剂层包括磁性材料并且位于包封部件的上表面上和屏蔽中间部件的上表面上，并且其中，屏蔽盖位于该包括磁性材料的粘合剂层上。12.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，在屏蔽中间部件上的包封部件的一部分中形成凹陷孔，该凹陷孔凹陷低于包封部件的上表面，其中，凹陷孔填充有包括磁性材料的粘合剂层，并且其中，屏蔽盖位于该包括磁性材料的粘合剂层上和包封部件上。13.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，在位于屏蔽中间部件上的包封部件的一部分中形成凹陷孔，该凹陷孔凹陷低于包封部件的上表面，并且其中，屏蔽盖位于包封部件上同时填充凹陷孔。14.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，其中，屏蔽基底部件和屏蔽中间部件通过包括磁性材料的粘合剂层彼此连接。15.根据权利要求1所述的磁阻芯片封装件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张在权，李柏雨，金莹宰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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