一种低压芯片制造技术

本实用新型专利技术属于芯片生产制备的技术领域，具体的涉及一种低压芯片。该种低压芯片，包括P型原硅片，该P型原硅片的上表面与下表面均覆有P+扩散层；P+扩散层通过U型P/N结结构与磷杂质扩散层相连接；磷杂质扩散层位于U型P/N结结构的凹槽内，磷杂质扩散层的上表面覆有合金层；在U型P/N结结构的两个直立端端部上均有掺氯氧化层，在掺氯氧化层上覆有玻璃钝化层。该种低压芯片漏电值低，满足低漏电的要求。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低压芯片，其特征在于，包括P型原硅片，该P型原硅片的上表面与下表面均覆有P+扩散层；P+扩散层通过U型P/N结结构与磷杂质扩散层相连接；磷杂质扩散层位于U型P/N结结构的凹槽内，磷杂质扩散层的上表面覆有合金层；在U型P/N结结构的两个直立端端部上均有掺氯氧化层，在掺氯氧化层上覆有玻璃钝化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思太，盛春芳，
申请(专利权)人：淄博晨启电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：