【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及静电放电(ESD)保护电路，特别涉及使用两个不同电源电压的核心晶体管的ESD保护。
技术介绍
小型电子装置如集成电路(1C)，容易因静电放电(ESD)而受到损害和产生故障。ESD故障也会在工厂发生，导致低产量。所以有各种ESD保护结构放置在IC输入、输出或双向I/O插针的附近。许多保护结构都使用无源部件，如串联电阻器、二极管、和厚氧化膜晶体管。另一种类型的ESD结构使用有源晶体管以安全地分流ESD电流。随着制造能力的提高，装置尺寸得以缩减，在正常运作期间低电压被施加到晶体管。这些较小的晶体管更容易受到过电压而产生故障，但能够在低电源电压下运行，从而仅消耗较少功率，并产生较少的热。这种较小型晶体管经常放置在IC的内部“核心”内，而栅长(gate length)高于最小值的较大晶体管被放置在核心外围。ESD保护结构则安置在使用这些较大晶体管的外围。一些混合电压芯片可以有双核，每个核心都在不同的电源电压上运行。较大晶体管可以用于使用较高电源电压的高电压核心，而较小晶体管可以用于使用较低电源电压的低电压核心。尽管较小核心晶体管的内部节点没有直接与IC的输入...
【技术保护点】
一个混合电压静电放电（ESD）保护电路，包括：高电压核心电路，其有高电压晶体管，该晶体管有一高回跳击穿电压，所述高电压晶体管由一高电压电源供电；低电压核心电路，其有低电压晶体管，该晶体管有一低于所述高回跳击穿电压的低回跳击穿电压，所述低电压晶体管由一低于所述高电压电源的低电压电源供电；第一触发电路，其连接到所述高电压电源，所述高电压电源驱动所述高电压核心电路中的高电压晶体管，当在所述高电压电源上检测到一个ESD脉冲时，所述第一触发电路导通第一栅极；第二触发电路，其连接到所述高电压电源，当在所述高电压电源上检测到所述ESD脉冲时，所述第二触发电路导通第二栅极；钳位晶体管，其为...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：邝国权，
申请(专利权)人：香港应用科技研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。