磁控溅镀真空室及其控制方法技术

本发明专利技术公开一种磁控溅镀真空室及其控制方法，磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。本发明专利技术提供的磁控溅镀真空室及其控制方法确保整个系统内均处于真空，以保证磁控溅射时的真空程度。以保证磁控溅射时的真空程度。以保证磁控溅射时的真空程度。

【技术实现步骤摘要】
磁控溅镀真空室及其控制方法


[0001]本专利技术涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种磁控溅镀真空室及其控制方法。

技术介绍

[0002]真空镀膜是在高真空环境下加热金属或金属材料，其氧化物变成气态原子或分子，沉积在金属或非金属表面而形成薄膜的一种方法，具有低能耗、无毒、无废液、污染小等优点。真空镀膜机主要由镀膜室、真空系统、电气控制及机架等部分组成，其中真空系统是用来真空抽气从而获得真空的重要部件，而现有的真空镀膜过程中，往往只是采取直接抽气的方式进行真空处理，而在部分管道中容易积存有部分空气未被抽取而导致真空度不够的现象发生。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提供一种磁控溅镀真空室及其控制方法，旨在解决上述技术问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的一种磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。
[0005]在一实施例中，所述抽真空组件包括第一泵组、第二泵组、第一阀门、维持阀、第二阀门以及分子泵组，所述第一泵组通过所述第一阀门和所述真空腔连通，所述分子泵组的一端通过所述维持阀与所述第二泵组连通，所述第一泵组和所述分子泵组通过第二阀门连通，所述第一泵组和所述第二泵组用于对所述分子泵组的前部管道抽气。
[0006]在一实施例中，所述第一泵组包括第一旋片泵以及罗茨泵，所述罗茨泵位于所述第一旋片泵和所述第一阀门之间。
[0007]在一实施例中，所述第二泵组为第二旋片泵。
[0008]在一实施例中，所述罗茨泵和所述第一阀门之间设有第一管道真空检测器，所述维持阀和所述分子泵组之间设有第二管道真空检测器。
[0009]在一实施例中，所述分子泵组包括第一子分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵、第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门，所述第一分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵的第一端均连接在所述第二阀门和所述维持阀之间，所述第一分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵的第二端分别和所述第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门连通，所述第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门的另一端均与所述真空腔连通。
[0010]在一实施例中，所述真空腔内设置有低温捕集器以通过所述低温捕集器将基片表面上残余的水气分子凝结。
[0011]另外，本专利技术还提供一种磁控溅镀真空室的控制方法，所述磁控溅镀真空室的控制方法基于如上所述的磁控溅镀真空室，所述磁控溅镀真空室的控制方法包括：
[0012]关闭分子泵组、第一阀门以及维持阀，打开第二阀门，通过第一旋片泵和第二旋片泵对分子泵组的前级管道抽气；
[0013]检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第一预设条件时，启动第一泵组的罗茨泵；
[0014]检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第二预设条件时启动分子泵组并打开第二阀门关闭维持阀，通过分子泵组对真空腔抽真空。
[0015]在一实施例中，所述检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第一预设条件时，启动第一泵组的罗茨泵的步骤具体为：检测分子泵组前级管道的真空度，在真空度到达5000Pa时，启动第一泵组的罗茨泵。
[0016]在一实施例中，所述检测分子泵组前级管道的真空度，在达到第二预设条件时启动分子泵组的步骤具体为：检测分子泵组前级管道的真空度，在真空度为0
‑
50Pa时，启动分子泵组。
[0017]本专利技术的技术方案中，可以先关闭分子泵组、第一阀门以及维持阀，打开第二阀门，通过第一旋片泵和第二旋片泵对分子泵组的前级管道抽气，从而在未对真空腔进行抽取真空时，先对分子泵组的前级管道进行气体的抽取，并在前级管道内的气体抽取后，再通过分子泵组对真空腔进行真空处理，以确保整个系统内均处于真空，而并非仅真空腔内处于真空状态。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0019]图1为本专利技术实施例的磁控溅镀真空室的结构示意图；
[0020]图2为本专利技术实施例的分子泵的结构示意图。
[0021]附图标号说明：10、真空室；11、真空腔；12、靶位；13、抽气口；20、抽真空组件；21、第一泵组；211、罗茨泵；212、第一旋片泵；22、第二旋片泵；23、第一阀门；23、维持阀；25、第二阀门；26、第一管道真空检测器；27、第二管道真空检测器；28、第一子分子泵；29、第一高压阀门；30、低温捕集器；40、前级管道。
[0022]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0025]另外，在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0026]并且，本专利技术各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。
[0027]本专利技术提供一种磁控溅镀真空室。
[0028]如图1
‑
2所示，本专利技术实施例提供的磁控溅镀真空室包括真空室10，所述真空室10呈环形，所述真空室10内为真空腔11，沿所述真空室10的周向间隔设置有多个靶位12，其中一个所述靶位12设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室10上设置有抽气口，抽气口处连接有用于将所述真空腔11抽取为真空的抽真空组件20。
[0029]在本实施例中，所述抽真空组件20包括第一泵组21、第二泵组22、第一阀门23、维持阀24、第二阀门25以及分子泵组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁控溅镀真空室，其特征在于，所述磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真空室上设置有抽气口，所述抽气口上连接有用于将所述真空腔抽取为真空的抽真空组件。2.根据权利要求1所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述抽真空组件包括第一泵组、第二泵组、第一阀门、维持阀、第二阀门以及分子泵组，所述第一泵组通过所述第一阀门和所述真空腔连通，所述分子泵组的一端通过所述维持阀与所述第二泵组连通，所述第一泵组和所述分子泵组通过第二阀门连通，所述第一泵组和所述第二泵组用于对所述分子泵组的前部管道抽气。3.根据权利要求2所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述第一泵组包括第一旋片泵以及罗茨泵，所述罗茨泵位于所述第一旋片泵和所述第一阀门之间。4.根据权利要求3所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述第二泵组为第二旋片泵。5.根据权利要求4所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述罗茨泵和所述第一阀门之间设有第一管道真空检测器，所述维持阀和所述分子泵组之间设有第二管道真空检测器。6.根据权利要5求所述的磁控溅镀真空室，其特征在于，所述分子泵组包括第一子分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵、第一高压阀门、第二高压阀门以及第三高压阀门，所述第一分子泵、第二子分子泵、第三子分子泵的第一端均连接在所述第二阀门和所述维持阀之间，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立，薛闯，李俊杰，李新栓，寇立，黄乐，孙桂红，潘继峰，
申请(专利权)人：湘潭宏大真空技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：