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本发明公开一种磁控溅镀真空室及其控制方法，磁控溅镀真空室包括真空室，所述真空室呈环形，所述真空室内为真空腔，沿所述真空室的周向间隔设置有多个靶位，其中一个所述靶位设有离子源用于离子源轰击，另外所述靶材设有NbOx靶材或In/Cr靶材，所述真...
该专利属于湘潭宏大真空技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭宏大真空技术股份有限公司授权不得商用。

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