【技术实现步骤摘要】
一种大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构
[0001]本技术涉及一种芯片陶瓷封装结构。
技术介绍
[0002]在芯片陶瓷封装技术中,大电流陶瓷外壳需求对应的大电流地结构,大电流地结构则需求低电阻,常规方法是如图1所示,将芯片1
‑
3通过多根键合丝1
‑
4键合在瓷件1
‑
1的键合区1
‑
11上,键合区1
‑
11通过大面积铺设金属化层1
‑
9来通过大电流,金属化层1
‑
9再通过若干金属化通孔1
‑
10与瓷件1
‑
1背面连接,实现大电流接地互联。以上现有技术中,在瓷件1
‑
1上大面积铺设金属化层1
‑
9则会占用较大的空间,从而增大了陶瓷外壳尺寸。
技术实现思路
[0003]专利技术目的:针对上述现有技术,提出一种大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构,解决现有技术中大电流地需要在陶瓷外壳上铺设大面积金属化层的问题,有效减小陶瓷外壳的尺寸。
[0004]技术方案:一种大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构,包括带芯腔的陶瓷外壳基座,以及由钨铜或钼铜制备的大电流地散热片;所述大电流地散热片包括上表面的芯片粘接区,所述芯片粘接区边上的至少一个凸台,所述凸台作为键合区,以及所述芯片粘接区四周的钎焊区;芯片设置在所述芯片粘接区上,所述芯片的接地引脚通过键合丝连接到所述键合区;所述大电流地散热片焊接在所述陶瓷 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大电流地与散热片一体化的芯片陶瓷封装结构,其特征在于,包括带芯腔(2)的陶瓷外壳基座(1),以及由钨铜或钼铜制备的大电流地散热片(6);所述大电流地散热片(6)包括上表面的芯片粘接区(6
‑
1),所述芯片粘接区(6
‑
1)边上的至少一个凸台,所述凸台作为键合区(6
‑
2),以及所述芯片粘接区(6
‑
1)四周的钎焊区(6
‑
3);芯片(3)设置在所述芯片粘接区(6
‑
1)上,所述芯片(3)的接地引脚通过键合丝(4)连接到所述键合区(6
‑
2);所述大电流地散热片(6)焊接在所述陶瓷外壳基座(1)的底部,所述芯片(3)位于所述陶瓷外壳基座(1)的芯腔(2)内;在所述陶瓷外壳基座(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:左乔峰,谢凌琰,徐竹煊,万海强,
申请(专利权)人:江苏省宜兴电子器件总厂有限公司,
类型:新型
国别省市:
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