具有单面裸露电极的二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有单面裸露电极的二极管，包括晶片和与其阴阳极相接通的两个电极延伸脚，所述的两电极延伸脚呈薄片状，且与所述的晶片被封装于封胶之中，两电极延伸脚的底面至少有部分裸露区域，裸露区域可以是底面的部分区域，也可以延伸至整个底面。为了提高封胶与薄片状电极延伸脚表面的附着力，可对电极延伸脚与封胶相接触的表面进行粗化处理或设置孔洞、凸凹槽等。本实用新型专利技术在使用时，其电极延伸脚的裸露区域可直接供线路焊接之用，省去了传统二极管中向封胶外伸出的电极延伸脚部分，因此，可使二极管变得更加轻薄短小，其结构更为紧凑。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光型二极管的结构，适用于发光二极管LED、激光二极管LD、光二极管PD等半导体元件，也适用于影像感测器等受光型半导体元件。本技术的目的是通过以下技术措施来实现的具有单面裸露电极的二极管包括晶片和与其阴阳极相接通的两个电极延伸脚，所述的两电极延伸脚呈薄片状，且与所述的晶片被封装于封胶之中，两电极延伸脚的底面至少有部分裸露区域。使用时，由此形成的单面裸露的电极可直接供线路焊接之用。所述的薄片状电极延伸脚底面的裸露区域可以只是底面的部分区域，也可以延伸至整个底面。为了使所述的封胶不易从薄片状电极延伸脚的表面剥离，可对薄片状电极延伸脚与封胶相接触的表面进行粗化处理，使其呈粗糙状，以提高封胶与电极延伸脚表面的附着力。为了进一步提高封胶与所述的薄片状电极延伸脚表面之间的附着力，还可以在所述的薄片状电极延伸脚与封胶相接触的表面设置孔洞或凸凹槽等。本技术中所述的晶片除了传统的阴阳极分别位于其表面和底面之外，也可以具有双底面电极，此时，可通过覆盖的方式分别与各自的电极延伸脚相接通；此外，本技术中的所述的晶片还可以具有双表面电极，通过导线分别与各自的电极延伸脚相接通。本技术与现有技术相比具有以下优点由于本技术中所述的电极延伸脚呈薄片状，其底面至少有部分裸露区域，使用时，只需直接与上述裸露区域相焊接即可，省去了传统二极管中向封胶外伸出的电极延伸脚部分，因此，可使二极管变得更加轻薄短小，其结构更为紧凑。附图说明图1是传统的发光二极管的结构示意图。图2是本技术的第一个实施例的结构示意图。图3是本技术的第二个实施例中的电极延伸脚的结构示意图。图4是本技术的第三个实施例中的电极延伸脚的结构示意图。图5是本技术的第四个实施例的结构示意图。图6是本技术的第五个实施例的结构示意图。图7是本技术的第六个实施例的结构示意图。图8是本技术的第七个实施例的结构示意图。图3是本技术的第二个实施例中作为电极延伸脚3和5的金属基片的结构示意图，与上述第一个实施例的区别是作为电极延伸脚3和5的金属基片与封胶7的接触表面32和52是粗糙的，这样，可提高封胶7与金属薄片表面的附着力，使封胶不易从金属薄片的表面剥离。图4是本技术的第三个实施例中作为电极延伸脚3和5的金属薄片的结构示意图，与上述第一个实施例的区别是所述的金属薄片与封胶7接触的表面设有孔洞，如4所示，电极延伸脚3设有槽孔34，电极延伸脚5设有圆孔54，封胶7进入上述孔洞后可进一步提高封胶7与金属薄片之间的附着力。图5是本技术的第四个实施例的结构示意图，与上述第一个实施例的区别是作为电极延伸脚3和5的金属薄片上设有凸凹槽36和56，即在金属薄片的底面设有凹槽，与其相对应的表面具有凸起，如5所示。封胶进入上述凸凹槽中的凹陷部分，可进一步提高封胶6与金属薄片之间的附着力。此时，金属薄片底面为部分裸露，凸凹槽对应的底面被封胶覆盖。本实施例中的凸凹槽可采用冲压方式制得。图6是本技术的第五个实施例的结构示意图，与上述第一个实施例的区别是作为电极延伸脚3和5的金属薄片上设有平凹槽38和58，如6所示。封胶进入上述平凹槽中，可进一步提高封胶6与金属薄片之问的附着力。此时，金属薄片底面也为部分裸露，平凹槽对应的底面被封胶覆盖。本实施例中的平凹槽可采用冲压、蚀刻或切割等方式制得。图7是本技术的第六个实施例的结构示意图，与上述第一个实施例的区别是本实施例中晶片1具有双底面电极2和4，以覆盖的方式分别与电极延伸脚3和5相接通。在封胶7封装后，作为电极延伸脚3和5的金属薄片的底面呈裸露。图8是本技术的第七个实施例的结构示意图，与上述第一个实施例的区别是本实施例中晶片1具有双表面电极2和4，通过导线6分别与各自的电极延伸脚3和5相接通。在封胶7封装后，作为电极延伸脚3和5的金属薄片的底面呈裸露。在上述封胶的封装过程中，会有少许封胶覆盖至金属薄片的底面，此时，可采用研磨、蚀刻或喷砂等方式除去，以提供焊接所需的裸露区域。权利要求1.具有单面裸露电极的二极管，包括晶片和与其阴阳极相接通的两个电极延伸脚，其特征是所述的两电极延伸脚呈薄片状，且与所述的晶片被封装于封胶之中，两电极延伸脚的底面至少有部分裸露区域。2.根据权利要求1所述的具有单面裸露电极的二极管，其特征是所述的薄片状电极延伸脚底面的裸露区域延伸至整个底面。3.根据权利要求1或2所述的具有单面裸露电极的二极管，其特征是所述的薄片状电极延伸脚与封胶相接触的表面呈粗糙状。4.根据权利要求1所述的具有具有单面裸露电极的二极管，其特征是所述的薄片状电极延伸脚与封胶相接触的表面设有孔洞。5.根据权利要求1所述的具有单面裸露电极的二极管，其特征是在所述的薄片状电极延伸脚与封胶相接触的表面设置凸凹槽。6.根据权利要求1所述的具有单面裸露电极的二极管，其特征是在所述的薄片状电极延伸脚与封胶相接触的表面设置平凹槽。7.根据权利要求1所述的具有单面裸露电极的二极管，其特征是所述的晶片具有双底面电极，以覆盖的方式分别与各自的电极延伸脚相接通。8.根据权利要求1所述的具有单面裸露电极的二极管，其特征是所述的晶片具有双表面电极，通过导线分别与各自的电极延伸脚相接通。专利摘要本技术公开了一种具有单面裸露电极的二极管，包括晶片和与其阴阳极相接通的两个电极延伸脚，所述的两电极延伸脚呈薄片状，且与所述的晶片被封装于封胶之中，两电极延伸脚的底面至少有部分裸露区域，裸露区域可以是底面的部分区域，也可以延伸至整个底面。为了提高封胶与薄片状电极延伸脚表面的附着力，可对电极延伸脚与封胶相接触的表面进行粗化处理或设置孔洞、凸凹槽等。本技术在使用时，其电极延伸脚的裸露区域可直接供线路焊接之用，省去了传统二极管中向封胶外伸出的电极延伸脚部分，因此，可使二极管变得更加轻薄短小，其结构更为紧凑。文档编号H01S5/00GK2525682SQ02225850公开日2002年12月11日 申请日期2002年2月10日 优先权日2002年2月10日专利技术者汪秉龙 申请人:汪秉龙本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有单面裸露电极的二极管，包括晶片和与其阴阳极相接通的两个电极延伸脚，其特征是：所述的两电极延伸脚呈薄片状，且与所述的晶片被封装于封胶之中，两电极延伸脚的底面至少有部分裸露区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪秉龙，
申请(专利权)人：汪秉龙，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]