半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法技术

一种制造半导体发光器件的方法，其特征在于，包括：　　　　将发光层层叠在未掺杂型、弱ｐ型，或者ｎ型第一半导体衬底上，该发光层由单层或多层半导体层组成；　　　　将ｎ型半导体层层叠在发光层上，该ｎ型半导体层由单层或多层组成；　　　　在ｎ型半导体层表面形成第二半导体衬底，该第二半导体衬底对于发光层所发射光的波长透明；　　　　然后除去第一半导体衬底；以及　　　　在除去第一半导体衬底所暴露的平面上形成透明的电极层，该透明电极层对于发光层所发射光的波长透明。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
本专利技术涉及半导体发光器件以及用来制造该半导体发光器件的方法。最近几年中，在半导体发光器件领域，发光二极管(LEDs)在光学通信、LED信息显示屏等等中被广泛使用。对于这些发光二极管具有高亮度是重要的，发光二极管的亮度，也就是外部量子效率，由内部量子效率和出光效率确定，其中，出光效率受元件结构影响较大。在发光二极管中，使用对于所发射光的波长透明的衬底来增加出光效率。这是因为使用对于光的波长不透明的衬底仅仅能够使一束发射至上表面的光出去，而使用对于所发射光的波长透明的衬底能够使多束光不仅从上表面，而且从四个侧面出去。此外，在下表面上反射的一束光同样能够从上表面和侧面出去。该方法应用于由InGaAsP基半导体材料组成的红外发光二极管、由AlGaAs基半导体材料组成的红光和红外发光二极管、由GaAsP基半导体材料组成的黄光发光二极管、由GaP基半导体材料组成的绿光发光二极管等等。作为制造具有对于所发射光的波长透明的衬底的AlGaInP基发光二极管的制造方法，众所周知，有一种由下列步骤组成的方法，包括，如图10A所示，在对所发射光的波长不透明的n型GaAs衬底110上外延生长n型半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：仓桥孝尚，中津弘志，村上哲朗，大山尚一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：