包含半导体平台结构和导电结的电子器件和所述器件的制作方法技术

一种发光器件，包括：　　　　碳化硅衬底；以及　　　　衬底上的半导体结构，该半导体结构包含平台，该平台具有毗邻衬底的平台底部、与衬底相对的平台表面、以及平台表面和平台底部之间的平台侧壁，其中该半导体结构在毗邻碳化硅衬底处具有第一导电类型，其中该半导体结构在毗邻平台表面处具有第二导电类型，其中该半导体结构具有位于第一和第二导电类型之间的结，并且其中该平台设计成为半导体结构中的发光器件提供电流限制或光学限制中的至少一种。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子领域，尤其涉及电子半导体器件和相关结构的形成方法。
技术介绍
激光器是由光子受激发射产生相干单色光束的器件。光子的受激发射也会产生光增益，这使激光器产生的光束具有高的光能。许多材料能够产生激光效应，包括某些高纯度晶体(常见的例子为红宝石)；半导体；某些类型的玻璃；包括二氧化碳、氯气、氩气和氖气的特定气体；以及某些等离子体。最近，激光器在半导体材料中获得进展，从而具有尺寸更小、成本更低、以及通常和半导体器件相关的其它优点。在半导体领域中，光子起着主要作用的器件称为“光子”或“光电子”器件。反过来，光子器件包括发光二极管(LED)、光电探测器、光伏器件、和半导体激光器。半导体激光器和其它激光器类似之处为发射的辐射具有空间和时间相干性。如前所述，激光器辐射具有高度单色性(即带宽窄)，且其产生高度方向性的光束。然而，半导体激光器在许多方面不同于其它激光器。例如，在半导体激光器中，量子跃迁和材料的能带特性相关；半导体激光器可以具有很紧凑的尺寸，可能具有非常窄的有源区和更大的激光束发散；结介质强烈地影响半导体激光器的特性；对于P-N结激光器，通过二极管本身的正向电流注入产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·伯格曼恩，D·T·埃梅森，A·C·阿巴雷，K·W·哈伯雷恩，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：