氮化物半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序（Ａ），其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序（Ｂ），其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序（Ｃ），其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序（Ｄ），其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可以期待在光信息处理领域等应用的半导体激光器等。
技术介绍
为了扩大光盘的记录密度，要求缩短数据的读取/写入所需的激光光线的波长。在现在普及的DVD播放器或记录器中，广泛使用了波长660nm带的红色半导体激光器，这种红色半导体激光器，可以通过例如使InGaAlP系化合物半导体在GaAs基板上外延生长的方法制造。近年来，为了比DVD进一步扩大记录密度，正在积极开发下一代光盘。作为这种下一代光盘用的光源，要求能够稳定地放射出比红色光线波长更短的蓝紫色激光光线(波长400nm带)。V族元素中含有氮(N)的III-V族氮化物半导体，比GaAs系半导体的禁带宽度大，由于吸收和放出光线的能量增大，所以发光波长短。因此，氮化物半导体有望作为短波长发光材料受到重视。V族元素中含氮(N)的III-V族氮化物半导体，与GaAs系半导体相比禁带宽度大，由于吸收放出光线的能量增大，所以发光波长短。因此，氮化物半导体有望以短波长发光材料受到重视。在氮化物半导体中，广泛对氮化镓系化合物半导体(GaN系半导体AlxGayInzN(0≤x，y，z≤1，x+y+z＝1))进行了研究，蓝色发光二极管(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：准备氮化物半导体基板的工序（Ａ），其中所述氮化物半导体基板作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，具有分割后起着各芯片用基板作用的多个元件部分、和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元 件间部分的平均厚度，比所述氮化物半导体基板其他部分的厚度更小；工序（Ｂ），其在氮化物半导体基板的上面形成所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序（Ｃ），其在所述氮化物半导体基板的上面、通过所述掩模层的所述开口部分而露出的 区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序（Ｄ），其从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开所述氮...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原岳，川口靖利，石桥明彦，木户口勋，横川俊哉，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]