具有大的光学超晶格波导的高功率半导体激光器制造技术

本发明专利技术涉及在光－电子装置中通常使用的那种高功率半导体二极管激光器，其主要作为所谓的泵浦激光器，以用于光通信领域中的光纤放大器，例如用于掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）或拉曼放大器。这样的激光器具有单个腔体以及工作在单横向模式，它通过把多层大的光学超晶格结构（ＬＯＳＬ）设置在至少一个提供的覆盖层中而被改进。这个ＬＯＳＬ提供出射光束的很大改进的形状，从而允许将高功率有效地耦合到光－电子网络的光纤。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及通常在光-电子装置中使用的那种高功率半导体二极管激光器，其主要作为所谓的泵浦激光器，以用于光通信领域中的光纤放大器，例如用于掺铒光纤放大器(EDFA)或拉曼放大器。这样的激光器通常具有单个腔体并工作在单个横向和垂直模式。它们在给定的频带提供具有高功率输出的窄带宽的光辐射。特别是，本专利技术涉及工作在大于1100nm波长的这样的激光器。背景与现有技术上述的那种半导体激光器例如已经成为光通信技术中的重要部件，特别是因为这样的激光器可用于由光学装置立即放大光信号。这允许设计全光纤通信系统，从而避免要被发送的信号的任何复杂的变换，这提高了速度以及在这样的系统内的可靠性。在一种光纤通信系统中，激光器可用于泵激掺铒光纤放大器(所谓的EDFA)，这些EDFA已在本领域技术人员所知的各种专利和出版物中进行了描述。技术重要性的例子是三种主要的类型，典型地用于相应于铒的吸收波长的铒放大器应变量子阱InGaAs激光器被使用于980nm；GaAlAs激光器被使用于820nm；以及InGaAsP和多量子阱InGaAs激光器被使用于1480nm。本专利技术尤其针对后一种类型的激光器，即用于大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于产生给定波长的激光束的高功率半导体激光器，所述激光器包括－包括增益区和波导的工作区，－一个或多个覆盖层，其特征在于－在所述覆盖层之一中的大的光学超晶格结构（ＬＯＳＬ），所述超晶格结构是或包括至少两个超 晶格层，所述超晶格层在它们的相应折射率方面是不同的，每个所述层具有大于在所述工作区中电子的德布罗意波长的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N利希滕斯泰因，AC费利，B里德，
申请(专利权)人：布克哈姆技术公共有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]