频率转换装置及方法制造方法及图纸

光频率转换装置（如图，标记１０），该装置包括：发光器件（如图，标记２０１），用于发射具有第一频率的光，该发光器件（如图，标记２０１）是具有延伸的波导（如图，标记２０４）的边缘发射半导体发光二极管，选择该延伸的波导（如图，标记２０４）使得该波导的基横模的特征在于低射束发散度。该装置（如图，标记１０）还包括光反射器（如图，标记２１４），被构造和设计成使得光多次通过外部腔（如图，标记２１２），并提供用于产生具有第一频率的激光的反馈，所述外部腔限定在发光器件和光反射器之间。该装置（如图，标记１０）还包括位于外部腔（如图，标记２１２）内的非线性光学晶体（如图，标记２１３），其被选择成使得当具有第一频率的光多次通过该非线性光学晶体（如图，标记２１３）时，第一频率被转换成不同于第一频率的第二频率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非线性光学器件，更具体地，涉及用于基于二极管激光器结构转换光频率的装置。
技术介绍
半导体激光器在光纤传输系统、信号放大系统、波分复用传输系统、波分切换系统、波长交叉连接系统等等中起重要的作用。此外，半导体激光器在光学测量领域也是有用的。半导体激光器(于1959年首次提出)是基于非平衡载流子注入半导体有源介质、产生粒子数反转和足够的模式增益来实现激射的。现在参照附图，目前半导体市场中基本上有两种半导体激光器占主导地位，在图1a-b中对它们进行描述。图1a示出了垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，其中光子在垂直方向上(图1a中向上)在高度精细的腔内循环。在这种激光器中，腔很短且每循环的增益很低。因此，至关重要的是保证每次反射时损耗很低，否则，激射将不会发生，或者将需要过大的电流密度，这样不适于连续波的工作。自从1962年首次提出以来，VCSEL变得非常流行。VCSEL可以做的很小，可在低阈值电流下工作并且以成熟化生产的平面技术制造。另一种半导体激光器是边缘发射激光器，如图1b所示。在这种激光器中，有源介质(例如，薄层)放置在折射率大于周围包层的波导内，以确保激光限制在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光频率转换装置，该装置包括：（ａ）发光器件，用于发射具有第一频率的光，所述发光器件是具有延伸的波导的边缘发射半导体发光二极管，所述延伸的波导被选择成使得该延伸的波导的基横模的特征在于低射束发散度；（ｂ）光反射器，构造和设 计成使得所述光多次通过外部腔并且提供用于产生具有所述第一频率的激光的反馈，该外部腔限定在所述发光器件和所述光反射器之间；以及（ｃ）非线性光学晶体，位于所述外部腔内，并被选择成当具有所述第一频率的所述激光多次通过所述非线性光学晶体时， 所述第一频率被转换成不同于所述第一频率的第二频率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：N勒登特索夫，V斯楚金，
申请(专利权)人：PBC激光有限公司，
类型：发明
国别省市：IL[以色列]