氮化物半导体发光器件及其制造方法技术

公开了一种具有出色可靠性和长寿命的氮化物半导体发光器件及制造这样的氮化物半导体发光器件的方法。氮化物半导体发光芯片安装在次底座（１０３）上，该芯片中，氮化物半导体层和第一电极（２１１）形成在导电衬底的前面上，第二电极（２１２）形成在导电衬底的背面上。安装有氮化物半导体发光芯片的次底座（１０３）安装在管座（１０５）上，由此形成氮化物半导体发光器件。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及即使在高输出下使用仍具有高可靠性和长寿命的氮化物基半导体发光器件及其制造方法。
技术介绍
近年来，使用氮化物基半导体作为用于半导体发光器件的发光二极管(LED)、半导体激光器等的短波发光元件的材料已经得到发展。此处使用的半导体发光器件指的是发光元件芯片，诸如LED芯片，或半导体激光器芯片，其集成安装在作为热沉的支撑基座的安装部件上。例如，安装在安装部件上的半导体激光器芯片被称作半导体激光器件。对于LED芯片，已经实际使用了氮化物基半导体。然而，在将氮化物基半导体用于半导体激光器芯片时，必须要解决如何改善可靠性和高温性能、如何提供高输出等问题。半导体激光器件需要高度有效的散热从而防止由于工作中温度升高而导致发光部分劣化。因此，将半导体激光器芯片安装在支撑基座上从而获得高热导率是十分关键的。安装的方法可以粗略地分为两类结在上法(junction-up method)，借助该方法，通过使芯片的衬底侧面对支撑基座而将其上形成有叠层体的芯片设置在支撑基座上；以及结在下法(junction-down method)，借助该方法，通过使芯片的生长层侧面对支撑基座而将其上形成有叠层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物基半导体发光器件，包括形成在导电衬底上的氮化物基半导体发光元件芯片、以及均用作被视作用于安装该氮化物基半导体发光元件芯片的支撑基座的安装部件的次底座（１０３）、焊料和管座（１０５），其中其中氮化物基半导体层和第一电极（２１ １）顺序形成在该导电衬底的表面上且导电类型与该第一电极的导电类型不同的第二电极（２１２）形成在该导电衬底背面的所述氮化物基半导体发光元件芯片通过使其第二电极侧面对该次底座（１０３）并使第一焊料材料（１０２）置于其间而安装在该次底座（１０３）上，其上安装有所述氮化物基半导体发光元件芯片的所述次底座（１０３）通过使其次底座侧面对该管座（１０５）并使第二焊...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本秀一郎，小河淳，石田真也，神川刚，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]