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公开了一种具有出色可靠性和长寿命的氮化物半导体发光器件及制造这样的氮化物半导体发光器件的方法。氮化物半导体发光芯片安装在次底座（１０３）上，该芯片中，氮化物半导体层和第一电极（２１１）形成在导电衬底的前面上，第二电极（２１２）形成在导电衬底...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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