半导体激光器件、其制造方法以及使用其的光学拾取器件技术

本发明专利技术提供一种具有高可靠性和理想的温度特性同时是高功率器件的半导体激光器件。在衬底上形成有源层以及其间夹置该有源层的两个覆层。所述覆层中的一个形成台面形状的脊，并且该脊包括分开成至少两个分支的波导区域。利用这种结构，减小了注入到有源层的后刻面部分中的载流子密度，由此可以改善半导体激光器的温度特性。同时该器件包括一个区域，在该区域上，脊底部宽度连续变化，脊底部宽度在刻面附近是常数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光器件以及用于制造该半导体激光器件的方法，并且尤其涉及一种适合于在光学拾取器件中使用的半导体激光器件以及制造该半导体激光器件的方法。本专利技术还涉及使用这种半导体激光器件的光学拾取器件。
技术介绍
半导体激光器件在各种应用领域中被广泛地使用。特别是，能够输出波长在650nm波段中的激光的AlGaInP半导体激光器件被广泛地用作光盘系统的光源。近年来，在本领域中已经提出了能够输出波长在405nm波段中的激光的GaN半导体激光器件，并且在光盘系统中可以预期性能进一步的提升。这种半导体激光器件的一种已知的类型具有双异质结构，包括有源层和在其间夹置该有源层的两个覆层，其中覆层之一形成台状脊(参见，例如，日本特开平专利公报No.2001-196694)。附图说明图11示出常规半导体激光器件的结构的正视图。图11示出AlGaInP半导体激光器件的一个例子。在下面的描述中将省略每层的组成比。图11中示出的半导体激光器件包括n型GaAs缓冲层102、n型GaInP缓冲层103和n型(AlGa)InP覆层104，这些层以此顺序层叠在n型GaAs衬底101上，其主平面在方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器件，包括：形成在衬底上的有源层；形成在该有源层的相对表面上的两个覆层；以及由所述覆层中的一个形成的台面形状的脊，其中该脊形成分开成至少两个分支的波导区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高山彻，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]