氮化物半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种氮化物半导体元件，是具备：具有上面及下面的基板（１）、和由基板（１）的上面支撑的半导体叠层构造（４０），基板（１）及半导体叠层构造（４０）至少具有２个解理面的氮化物半导体元件。具备与２个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件（３），解理引发构件（３）的与解理面平行的方向的尺寸小于基板（１）的上面的与解理面平行的方向的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
对于组成以通式InxGayAlzN(其中，x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)表示的氮化物半导体的带隙，通过调整各元素的组成比率，可以具有与蓝色光或紫外光对应的大小。为此，正在积极地研究作为活性层具备氮化物半导体的半导体激光器等发光元件。图1表示了氮化物半导体的晶体构造。氮化物半导体如图1所示，具有六方晶系的晶体构造。由此，当制作将上面(主面)设为(0001)面而将谐振器端面设为M面(1-100)的构成的半导体激光器时，则很容易不是沿着与这些面垂直的A面，而是沿着从A面倾斜30°的晶面产生解理。其结果是，不仅是在进行沿着A面的解理时，而且在进行沿着M面(1-100)的解理而形成谐振器端面时，都会有容易在从M面(1-100)倾斜了60°的方向上产生裂缝的问题。由于此种问题，一直以来，制作具有平滑的谐振器端面的氮化物半导体元件是非常困难的。而且，由于以往作为氮化物半导体元件的基板广泛使用的蓝宝石基板不具有解理性，因此进行过如下的尝试，即，当形成具备了蓝宝石基板的半导体激光器时，通过从在蓝宝石基板上生长的氮化物半导体层一侧开始，沿着M面进行划本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体元件，具备具有上面及下面的基板、和由所述基板的上面支撑的半导体叠层构造，所述基板及半导体叠层构造至少具有２个解理面，其中，具备与所述２个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发构件，所述解理引发构件的与所述解理面平行 的方向的尺寸小于所述基板的上面的与所述解理面平行的方向的尺寸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安杖尚美，横川俊哉，长谷川义晃，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]