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氮化物半导体元件及其制造方法技术
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文档序号:3313161
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本发明提供一种氮化物半导体元件,是具备:具有上面及下面的基板(1)、和由基板(1)的上面支撑的半导体叠层构造(40),基板(1)及半导体叠层构造(40)至少具有2个解理面的氮化物半导体元件。具备与2个解理面中的任意一个相接的至少一个解理引发...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。
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