半导体激光元件和其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体激光元件，其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏，同时能够进一步提高温度特性，该半导体激光元件包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构；以及ｐ型层，形成在活性层的表面上，含有作为杂质的Ｍｇ和Ｚｎ。另外，ｐ型层所含有的Ｚｎ的杂质浓度，比ｐ型层所含有的Ｍｇ的杂质浓度大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是，涉及一种在激光射出端面部具有窗结构的。
技术介绍
在现有技术中，在可记录的DVD系统中，为了能够两层记录，需要提高向盘上照射的激光的强度。为了提高向这样的盘上照射的激光的强度，需要实现作为光源的半导体激光的高输出化。另外，为了半导体激光的高输出化，提高COD(Catastrophic OpticalDamage激光射出端面恶化)等级(level)是不可缺的。这里，已经知道，COD在以下所示的周期中发生。首先，如果向存在表面电平的射出端面部高密度地注入电流，则由于该电平，会产生非发光再耦合。为此，射出端面部发热。由于该发热，射出端面部的活性层的能隙(energy gap)减少，所以光吸收扩大。通过这样，进一步增大了发热。由于这样的周期，使得射出端面部的温度上升，所以结晶熔解，结果，破坏射出端面部。作为抑制这样的COD的半导体激光元件，在现有技术中，公知具有由Zn扩散导致的窗结构的半导体激光元件。这样的半导体激光元件，例如在“IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS，VOL.29，NO.6，p1874-1877，1993”中有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光元件，其特征在于，包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构；以及ｐ型层，在所述活性层的表面上形成，含有作为杂质的Ｍｇ和Ｚｎ，其中，所述ｐ型层所含有的所述Ｚｎ的杂质浓度比所述ｐ型层所含有的所述Ｍｇ的杂质浓度大。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：广山良治，三宅辉明，宫田让，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，鸟取三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]