脊条形半导体激光器制造技术

叠层组合物包括：设置在基板上的第１导电型包覆层；设置在第１导电型包覆层上的有源层，和设置在有源层上的脊条形第２导电型包覆层。设置在叠层组合物端面的一对膜，其沿着叠层方向彼此相对。所述成对膜形成为具有彼此不同的光谱反射率。叠层组合物和所述成对膜形成了谐振器结构。当在谐振器长度方向上成对膜中具有较小光谱反射率的一个膜的一侧是前侧，且具有较大光谱反射率的另一个膜的一侧是后侧时，如此构造叠层组合物，即光学限制因数在前侧上比后侧上小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种例如用作光盘装置的光源的半导体激光器，尤其涉及脊条形半导体激光器。
技术介绍
在半导体激光器中，作为用于实现光盘装置的超高密度记录的关键器件，由III-V氮化物半导体材料(例如，AlxGayIn1-x-y(假定0≤x≤1，0≤y≤1)形成的半导体激光器尤其正发展成到实际的应用水平。一些半导体激光器具有下述构造，其中在基板901上以层的形式形成有n型包覆层902、有源层904和p型包覆层907，并以叠层的组合物设置脊，如图9中所示。以这种方式形成的半导体激光器900根据从覆盖所述脊的p型电极921和设置在基板901下侧上的n型电极(没有示出)注入的电流(即载流子)来向外发射激光。在这一点上，因为电流注入的区域由于绝缘层910而仅仅限制于脊的顶点部分，所以在半导体激光器900内部产生增益分布，由此形成波导模式。因而，通过增加有源层901中的载流子密度并限制光，实现了有效的激光发射。此外，在叠层组合物两端以沿着基本垂直于脊伸展方向(Z方向)的方向上彼此相对的方式设置有一对膜931和932，一个膜931(之后称作“前膜”)设置成具有10％的光谱反射率，另一个膜932(“本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器，包括：叠层组合物，其包括设置在基板上的并由氮化物半导体材料制成的第１包覆层，设置在第１包覆层上的并由具有比第１包覆层更大的光折射率的半导体材料制成的有源层，和设置在有源层上的第２包覆层，其具有脊部分，并由具有比有源层更小的光折射率的氮化物半导体材料制成；和设置在叠层组合物的端面的一对膜，其沿着叠层组合物的叠层方向彼此相对，具有彼此不同的光谱反射率，并由电介质材料制成，其中叠层组合物和所述成对的膜形成了谐振器结构，且叠层组合物在前侧上具有比在后侧上更小的光学限制因数，所述前侧是在谐振器结构的长度方向上、其上设置有成对的膜中具有较小光谱反射率的其中一个膜的一侧，所述后侧是其上设置...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤启司，木户口勲，矢岛浩义，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]