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本发明提供一种半导体激光元件,其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏,同时能够进一步提高温度特性,该半导体激光元件包括:活性层,在激光的射出端面部具有窗结构;以及p型层,形成在活性层的表面上,含有作为杂质的Mg和Zn。另外,p型...该专利属于三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社授权不得商用。
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本发明提供一种半导体激光元件,其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏,同时能够进一步提高温度特性,该半导体激光元件包括:活性层,在激光的射出端面部具有窗结构;以及p型层,形成在活性层的表面上,含有作为杂质的Mg和Zn。另外,p型...