【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体光元件的制造方法，包括如下步骤，对包括半导体层叠结构的半导体晶片进行解理，使半导体层叠结构的解理面露出，该半导体层叠结构为如下结构：在ＧａＮ系的半导体衬底上，依次层叠分别由ＧａＮ系材料形成的第一导电型的第一半导体层、包含量子阱结构的活性层、以及第二导电型的第二半导体层；在露出的解理面上形成电介质膜，利用基于预定的热处理的Ｇａ空位扩散，使活性层的量子阱结构无序化。
【技术特征摘要】
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