【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置,特别地涉及具有分裂栅极构造的半导体装置。
技术介绍
1、在专利文献1的图2公开了一种具有分裂栅极构造的igbt(insulated gatebipolar transistor)。另外,在专利文献1中,如图1所示在芯片端部周边,经由在u字形的栅极沟槽部设置的接触孔而将栅极分裂部与发射极电极连接,无效区域大。另外,仅在构成u字形的栅极沟槽部的2条有源沟槽之中的1条有源沟槽设置有将栅极分裂部与发射极电极连接的接触孔。
2、专利文献1:日本特开2017-147431号公报
3、在专利文献1中,仅在构成u字形的栅极沟槽部的2条有源沟槽之中的1条有源沟槽设置有将栅极分裂部与发射极电极连接的接触孔。因此,存在以下问题,即,如果接触孔发生形成不良,则在2条有源沟槽处,作为埋入电极的栅极分裂部成为浮动电位,发生耐压不良。
技术实现思路
1、本专利技术就是为了解决如上所述的问题而提出的,其目的在于,提供一种能够将埋入电极稳定地与发射极电位连接的半导体装置。<
...【技术保护点】
1.一种半导体装置,其具有:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
4.一种半导体装置,其具有:
5.一种半导体装置,其具有:
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
8.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
9.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
10.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
11.根据权利要求1、4以及5中任一项所述的半导体装置
...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,其具有:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
4.一种半导体装置,其具有:
5.一种半导体装置,其具有:
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
7.根据权利要求5所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员:西康一,阪口浩介,小西和也,
申请(专利权)人:三菱电机株式会社,
类型:发明
国别省市:
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