半导体装置制造方法及图纸

技术编号:41427404 阅读:21 留言:0更新日期:2024-05-28 20:25
提供能够将埋入电极稳定地与发射极电位连接的半导体装置。本发明专利技术涉及的半导体装置具有:半导体基板,具有n型第1半导体层、其上的n型第2半导体层、其上的p型第3半导体层、第3半导体层的上层部的n型第4半导体层;多个第1沟槽栅极,其贯穿第4~第2半导体层而到达第1半导体层内;层间绝缘膜,其覆盖多个第1沟槽栅极;第1主电极,其与第4半导体层相接;以及第2主电极,其设置在与第1主电极相反侧,多个第1沟槽栅极具有下部侧的第1栅极电极和上部侧的第2栅极电极而形成2级构造,多个第1沟槽栅极在设置于主电流流动的有源区域的中央部的电极引出区域被切断,在该部分通过与第1栅极电极连接的第1电极引出部与第1主电极连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置,特别地涉及具有分裂栅极构造的半导体装置。


技术介绍

1、在专利文献1的图2公开了一种具有分裂栅极构造的igbt(insulated gatebipolar transistor)。另外,在专利文献1中,如图1所示在芯片端部周边,经由在u字形的栅极沟槽部设置的接触孔而将栅极分裂部与发射极电极连接,无效区域大。另外,仅在构成u字形的栅极沟槽部的2条有源沟槽之中的1条有源沟槽设置有将栅极分裂部与发射极电极连接的接触孔。

2、专利文献1:日本特开2017-147431号公报

3、在专利文献1中,仅在构成u字形的栅极沟槽部的2条有源沟槽之中的1条有源沟槽设置有将栅极分裂部与发射极电极连接的接触孔。因此,存在以下问题,即,如果接触孔发生形成不良,则在2条有源沟槽处,作为埋入电极的栅极分裂部成为浮动电位,发生耐压不良。


技术实现思路

1、本专利技术就是为了解决如上所述的问题而提出的,其目的在于,提供一种能够将埋入电极稳定地与发射极电位连接的半导体装置。</p>

2、本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其具有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

4.一种半导体装置,其具有:

5.一种半导体装置,其具有:

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

7.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

9.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

10.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

11.根据权利要求1、4以及5中任一项所述的半导体装置,其中,

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,其具有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

4.一种半导体装置,其具有:

5.一种半导体装置,其具有:

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

7.根据权利要求5所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员:西康一阪口浩介小西和也
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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