耐放射线性半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

在半导体基板(3)之上设置有场效应晶体管(4)。MIM电容器(5)具有依次层叠于半导体基板(3)之上的下部电极(10)、绝缘膜(11)以及上部电极(12)。绝缘膜(11)添加有金属元素(13)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及即使照射重粒子也难以破坏的耐放射线性半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、近年，高速数据通信、gps、卫星广播、或地球观测用途的人工卫星的需求增加。与此相伴，搭载于卫星的半导体装置的数量也显著增加。但是，对于卫星搭载用的半导体装置而言，除了要求一般的地面用途的半导体装置的可靠性之外，还要求用于在特殊的宇宙环境中动作的耐放射线性。在宇宙环境中，会暴露于被加速成高能量的重粒子、质子、电子、或这些粒子碰撞到卫星壳体时产生的伽马射线中。

2、在器件暴露于重粒子的情况下，由于单事件效应而产生大的特性变动，若变动非常大，则有时导致器件破坏。这是因为重粒子在器件内通过的期间对半导体给予能量而在通过轨迹周边产生大量的电子空穴(hole)对。由于该电子空穴对而发生器件内的电荷分布和电位状态的调制，由此诱发过渡性的特性变动。此外，在器件暴露于质子或电子的情况下，由于位移损伤效果(displacement damage effect)而产生微观晶体缺陷，引起特性劣化。另外，在器件暴露于伽马射线的情况下，由于总剂量效应而在器件内部储存电荷而引起特性变动。卫本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐放射线性半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～3中任一项所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

8.一种耐放射线性半导体装置的制造方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种耐放射线性半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～3中任一项所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的耐放射线性半导体装置，其特征在于，

8.一种耐放射线性半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的耐放射线性半导体装置的制造方法，其特征在于，

10.根据权利要求8或9所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木肇，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：