表面发光半导体激光元件制造技术

一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面发光半导体激光元件以及以单峰横向模式(single-peak 1ransv6rs6 mode)发射;敫光的方法。
技术介绍
表面发光半导体激光元件以垂直于衬底表面的方向发射激光，是应用 于各种领域的非凡的光源。表面发光半导体激光元件具有半导体衬底、在衬底上的包括具有不同 折射率的化合物半导体的一对上下反射体，即衍射布拉格反射体(DBRs)，以及在该对反射体之间构成发光区的有源层。典型的，具有柱型台面结构(post-type mesa structure )的表面发光半导 体激光元件是具有电流限制区的上部DBR。例如，日本未审的专利申请公 开号No.2001-210908公开了 一种包括环形的柱型台面结构(post-type mesa s加cture)的表面发光半导体激光元件，其具有由干法蚀刻上部DBR而得 到的大约3 0 |a m的台面直径、以及通过选择性的氧化AlAs层以有效的将电 流到注入有源层中而形成的环形的柱型台面结构内的电流限制区。参考上述日本专利申请及图12,将描述包括柱型台面结构(post-type mesa structure ) 的常规表面发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造表面发光半导体激光元件的方法，包括步骤：　在衬底上顺序地层叠包括半导体多层的下反射体、有源层、具有高Ａｌ含量层的包括半导体多层的上反射体，和接触层，其中在所述上反射体中，所述高Ａｌ含量层布置得最靠近所述有源层，　蚀刻所述接触层、所述上反射体、所述有源层和所述下反射体以形成台面柱，　在所述台面柱的接触层上和所述台面柱的侧面形成绝缘膜，　在所述接触层上的所述绝缘膜上形成开口以暴露所述接触层，　在接触层上形成比所述绝缘膜的开口小的开口以暴露所述上反射体，　在所述上反射体和接触层上形成构成电极的金属膜，和　在所述金属膜上形成比所述接触膜上的开口小的开口以暴露所述上反射体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：渡部义昭，成井启修，黑水勇一，山内义则，田中嘉幸，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]