一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质；所述检测方法包括：基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域；其中，所述采集到的待测晶圆的图像上包含有用于表征铜离子的白点；基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型；根据每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质。

技术介绍

[0002]目前，通常使用浮区法(Floating zone，FT)或切克劳斯基法(Czochralski,CZ)制造晶圆，而其中CZ法是最广泛地应用于制造晶圆的方法。在CZ法中，将多晶硅原料置于石英坩埚中，由石墨加热器将多晶硅原料加热并熔融，且将籽晶浸浅在熔融态硅中，通过在旋转经浸没籽晶的同时、将籽晶向上拉伸以使得单晶硅棒生长。经生长的单晶硅棒切割、研磨并且抛光成晶圆。单晶硅棒或晶圆可能具有晶格缺陷，诸如，晶体原生颗粒(Crystal Originated Particle，COP)缺陷、流动图案缺陷(Flow Pattern Defect，FPD)和氧诱发叠层缺陷(Oxygen induced Stacking Fault，OiSF)，这些称为生长缺陷，在实际制备过程中需要减少生长缺陷的浓度以及尺寸。由于晶格缺陷会影响单晶硅棒或晶圆的质量和生产率，因此，快速地评价晶格缺陷以去本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域；其中，所述采集到的待测晶圆的图像上包含有用于表征铜离子的白点；基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型；根据每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述基于采集的待测晶圆的图像，按照设定的条件将所述图像划分为多个检测区域，包括：基于所述采集到的待测晶圆的图像，将所述待测晶圆表面划分为一个圆形待测区域和n个圆环待测区域，其中，所述圆形待测区域与所述圆环待测区域共圆心，所述圆心为所述待测晶圆的像素圆心。3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述基于采集的待测晶圆表面铜离子分布的图像，将所述待测晶圆表面划分为一个圆形待测区域和n个圆环待测区域，包括：基于所述采集到的待测晶圆的图像，获取所述待测晶圆的像素圆心和所述待测晶圆的第一像素半径R；基于所述待测晶圆的像素圆心及设定的第二像素半径r1，确定第一同心圆；其中，r1<R；其中，所述第一同心圆表征所述圆形待测区域；基于所述待测晶圆的像素圆心及第三像素半径r
m
，确定第二同心圆；其中，r
m
＝r1+m
×
Δr，r
m
≤R其中，Δr表示像素半径增长量；m表示第m个所述圆环待测区域，且1≤m≤n；n表示所述圆环待测区域的个数；基于相邻的所述第一同心圆和所述第二同心圆以及任一相邻的两个所述第二同心圆，获得n个所述圆环待测区域。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述基于每个所述检测区域中的铜离子个数，判断每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，包括：获取每个所述检测区域中的铜离子个数；当所述铜离子个数小于设定的数量时，确定对应的所述检测区域的缺陷区域类型为P
v
区域；当所述铜离子个数大于设定的数量时，确定对应的所述检测区域的缺陷区域类型为P
I
区域。5.根据权利要求要求4所述的检测方法，其特征在于，所述基于每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，确定所述待测晶圆表面的缺陷分布状态，包括：基于每个所述检测区域对应的缺陷区域类型，获取不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛兵，
申请(专利权)人：西安奕斯伟设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：